三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè)，計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后，于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
2015-08-11 08:32:00
720 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:321684 
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17917 
，既有超強的性能，同時兼顧了低功耗的設(shè)計，外加強大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲器的特點①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲器內(nèi)部以塊為單元進行分割，而各塊又以頁為單位進行
2018-04-11 10:11:54
三星788df電路圖紙,三星788df顯示器原理圖
2008-09-23 13:37:35
三星LED大功率燈杯鋁合金燈體：防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑，反光率高。
2019-11-05 09:02:01
三星GALAXY Note II的成功是大家有目共睹的，5.5英寸的超大屏幕，準(zhǔn)旗艦的超高規(guī)格贏得了一批消費者的青睞，但是它不便宜的價格也讓一些經(jīng)濟緊張的用戶對之望而卻步。因此，三星推出了相對
2012-12-19 15:54:04
的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得
2015-12-16 11:31:26
的攝像頭，整體成像質(zhì)量出色，可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統(tǒng)，主頻高達(dá)1GHz的處理器保證了整機的流暢運行，機身自帶16GB的擴展存儲，同時還支持高達(dá)
2011-05-04 18:51:39
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
`2018年的手機盛事一樁接著一樁。蘋果、華為、小米、魅族剛舉行完新品發(fā)布會，三星馬上宣布新機計劃。三星即將推出市面上首款4攝像頭手機產(chǎn)品，并加速進入中端市場?？磥?，千元買三星新手機的那些年，又回來
2018-10-29 17:01:33
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
預(yù)告明年的存儲器市況持續(xù)走低。另外，三星高層主管指出，受到需求趨緩、價格下MAX3232EUE+T滑的影響，市況并不好，三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，三星今年在半導(dǎo)體部門資本支
2012-09-21 16:53:46
對DRAM價格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味，而更多人擔(dān)心，存儲器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會有一個大的翻轉(zhuǎn)，已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲器產(chǎn)業(yè)，會不會在MRAM等新技術(shù)出現(xiàn)后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
觀點：蘋果與三星這場“世紀(jì)專利大戰(zhàn)”的硝煙看似早已漸去，實際上這兩家公司在全球各地的法院展開的專利大戰(zhàn)還未了結(jié)，雙方又開始醞釀一場新的戰(zhàn)斗。而且，三星MAX3232EUE+T 推出新的平面廣告
2012-10-09 16:39:58
三星電子宣布開發(fā)出720萬像素的CMOS圖像傳感器(CIS)，據(jù)稱這是世界上第一款720萬像素的袖珍相機CIS。在此前的6月份，三星推出了500萬像素CIS?！ ?b class="flag-6" style="color: red">三星這款720萬像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
隨機存儲器，DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片，并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前，三星只是為本國市場生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期，三星開始進入系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，在
2019-04-24 17:17:53
請問哪位有三星的2440u***驅(qū)動的，需要win7 64位的？
2014-08-07 12:19:51
請教一下各位大神，2A的整流橋用快恢復(fù)管來做，是否ＥＭＩ會很好呢？三星的手機充電器 在用。
2016-12-15 11:14:05
三星貼片電阻的卷帶上的標(biāo)簽上有個P M2，在條碼的旁邊有時候是PM3或S之類的，哪位大蝦告訴我下，那是什么意思??？
2012-07-28 16:37:17
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
、汽車、軍事、游戲及計算機等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPROM存儲器的理想代替產(chǎn)品。此外，Ramtron已計劃在2008年陸續(xù)推出SPI、I2C及并行接口V系列F-RAM產(chǎn)品。 
2008-10-08 09:23:16
海力士也將在2021年中推出基于176層4D NAND新技術(shù)的UFS和SSD產(chǎn)品。而三星雖然還未宣布下一代產(chǎn)品具體層數(shù)，但是近期也在公開會議中表示，將在2021年量產(chǎn)第七代V-NAND，使用“雙堆棧
2022-01-26 08:35:58
） >>產(chǎn)品相關(guān)資源下載（游戲 主題 軟件 電影 壁紙 鈴聲 電子書） 編輯點評：三星GALAXY S3擁有更快的四核處理器、更大的高清屏幕以及給力的識別系統(tǒng)，能夠?qū)⑦@些元素匯集一身，目前市場上可以與之抗衡的機型寥寥無幾，喜歡這款手機的朋友可以關(guān)注下。
2012-12-05 14:19:07
三星ic，大量求購三星ic，帝歐還長期回收ssd固態(tài)硬盤，回收服務(wù)器內(nèi)存條，回收硬盤，回收cpu,回收芯片，回收傳感器，收購連接器，收購鉭電容，回收sd卡，收購tf卡?；厥展S庫存ic，大量收購工廠庫存
2021-05-28 19:17:34
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2021-04-06 18:09:48
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2021-09-03 19:23:00
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2021-04-28 18:52:33
啟動模式講完了，我們知道是主閃存存儲器啟動的。主閃存存儲器被映射到啟動空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
。接口速度高達(dá)每秒52MB，eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是1.8v或者是3.3v。eMMC內(nèi)嵌式存儲器，三星公司叫“MoviNAND”，而Sandisk的才叫iNAND 但原理都
2013-05-27 22:01:53
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來信息，并且難以修復(fù)?！ ?、光盤存儲器 價格低，容量大，耐用，可用于長期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤慢得多。光盤存儲器三大類型：CD光盤存儲器，DVD 光盤存儲器，BD光盤存儲器。
2019-06-05 23:54:02
對DRAM芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機使用的有機發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
flash中運行。嵌入式系統(tǒng)多用一個小容量的nor flash存儲引導(dǎo)代碼，用一個大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
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2021-09-09 19:05:33
回收東芝手機字庫 181-2470 同上1558 同步同號回收三星手機字庫 stm8s207cbt6.，_回收意法半導(dǎo)體：從系統(tǒng)存儲器導(dǎo)入，從sram導(dǎo)入。boot導(dǎo)入程序位于系統(tǒng)存儲器，用于通過
2021-07-28 11:29:11
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
本帖最后由 sinpo1984 于 2011-3-30 14:31 編輯
三星半導(dǎo)體推出的ARM Cortex-A8架構(gòu)處理器，采用45nm低功耗精湛工藝，對于圖形的處理和多媒體的兼容性都是
2011-03-30 14:30:37
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2020-10-31 15:48:52
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2021-04-14 19:04:16
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2021-03-10 17:45:41
女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機之家資訊中心4月9日消息，三星向來有推出粉色經(jīng)典機型的習(xí)慣，如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了，該機將于近期在香港上市，售價為5998
2012-04-13 18:49:11
你好，我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”，比如“FunMe”示例。我有很大的問題，因為我的應(yīng)用程序返回GATT錯誤0x85與三星S5，而三星S4工作良好。我該怎么解決呢？有特定的設(shè)置嗎？最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37
手機進水了怎么辦？三星手機
2013-05-13 17:34:01
2018年上半進入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高，美日韓存儲器大廠都卯盡全力，在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出，第五代的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手冊說有Unique ID可以用，但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域，可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
方便移動設(shè)備應(yīng)用.存儲器系統(tǒng)設(shè)計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
衍生了一些新的技術(shù)，來助力其閃存產(chǎn)品向3D方向發(fā)展。其中，就包括了三星的V-NAND、東芝的BiCS技術(shù)3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星在3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57
` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會推出么？前段時間業(yè)內(nèi)人士的預(yù)測引來無數(shù)猜想。近日，taiwan《Digitimes (電子時報)》引述計算機產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈消息稱，蘋果和三星均在計劃
2013-10-29 10:18:00
DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎？
2019-08-05 22:52:59
`三星四核處理器Exynos 4412是當(dāng)前最熱門的ARM處理器之一，其強勁的性能、出色的功耗控制無不為行內(nèi)人士稱道。迅為電子推出國內(nèi)最小的Exynos4412核心板，引出絕大多數(shù)處理器PIN腳資源
2013-06-18 16:07:28
損耗電流較小的特征。但在另一方面，由于單元是串聯(lián)連結(jié)的，所以面向順序存取，具有隨機存取速度慢的缺點。三菱與日立結(jié)合NAND及NOR閃速存儲器的特點，開發(fā)了DINOR（Divided bit－line NOR
2018-04-09 09:29:07
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2021-07-06 19:32:41
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2021-02-23 17:54:12
的。一般比較常用的SDRAM包括現(xiàn)代HY57V系列、三星K4S系列和美光MT48LC系列。例如，4M×32位的SDRAM，現(xiàn)代公司的芯片型號為HY57V283220，三星公司的為K4S283232，美
2019-06-03 05:00:07
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲器
全球最大的序列式快閃存儲器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01677 高性能20納米級NAND閃存存儲器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個20納米級(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲器卡和嵌入式存儲解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 
三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。 旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對今年營運看法樂觀。
2018-02-01 05:34:011107 
西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030 位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:467373 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 根據(jù)韓國媒體的報導(dǎo)，韓國存儲器大廠三星已經(jīng)確認(rèn)，將會在韓國平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠，用于擴大DRAM、NAND Flash快閃存儲器的產(chǎn)能。 之前，韓國媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:114712 ，存儲器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972 在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達(dá)1Tb，用于消費級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:00759 三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲芯片，聲稱其堆疊層數(shù)超過90層，可能指的是其96層，制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 三星電子有限公司今天宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤（PSSD），提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND（垂直NAND）技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計，具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性，使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092422 此外，新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙，與前一代相比改進了30%，讀取信號時間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能，電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND（垂直NAND）。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684 的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元，這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462 
在2016年的舊金山閃存峰會上，三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間）、包含獨特的電路設(shè)計與優(yōu)化后的主控，三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251151 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473 的投資額就達(dá)8萬億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力，此次再度大舉投資擴產(chǎn)，或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進，再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 在市場NAND Flash快閃存儲器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 昨日消息，國內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長江存儲宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812 市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577 存儲器的歷史始于1984年，彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328 對 NAND 存儲器的需求也大幅增加。從移動或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心，從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件， NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場景愈發(fā)多樣化，各種要求也隨之出現(xiàn)，常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 
三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:1515 
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