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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲(chǔ)器

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2020-10-31 15:48:52

大量回收三星高通CPU 回收三星高通CPU

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2021-04-14 19:04:16

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2021-03-10 17:45:41

女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市

女性的最愛 三星粉色GALAXY Note上市手機(jī)之家資訊中心4月9日消息,三星向來有推出粉色經(jīng)典機(jī)型的習(xí)慣,如今這一顏色也用在了GALAXY Note上了,該機(jī)將于近期在香港上市,售價(jià)為5998
2012-04-13 18:49:11

如何用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲(chǔ)器控制

。然而,現(xiàn)在新一中檔的FPGA提供這些塊、高速FPGA架構(gòu)、時(shí)鐘管理資源和需要實(shí)現(xiàn)下一DDR3控制的I/O結(jié)構(gòu)。那么,究竟怎么做,才能用中檔FPGA實(shí)現(xiàn)高速DDR3存儲(chǔ)器控制呢?
2019-08-09 07:42:01

如何設(shè)置三星s5的ble連接?

你好,我創(chuàng)建了我的“BLE應(yīng)用程序”,比如“FunMe”示例。我有很大的問題,因?yàn)槲业膽?yīng)用程序返回GATT錯(cuò)誤0x85與三星S5,而三星S4工作良好。我該怎么解決呢?有特定的設(shè)置嗎?最好的問候阿爾貝托
2019-11-01 10:16:37

開箱! 三星Galaxy Buds無線耳機(jī)能扛嗎?

三星于2019年北京時(shí)間2月21日在美國舊金山發(fā)布了Galaxy s10系列的手機(jī)新品,與此同時(shí)還推出三星Galaxy Buds無線耳機(jī)。為此不少三星系列愛好者爭先購買,今天我就給這款三星
2019-05-25 18:55:06

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)

手機(jī)進(jìn)水了怎么辦?三星手機(jī)
2013-05-13 17:34:01

新技術(shù)世代即將來臨,存儲(chǔ)器依然炙手可熱

2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力,在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出,第五的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00

有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請(qǐng)教

三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02

未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展

未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41

求助 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的區(qū)別

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別?特點(diǎn)?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含部分,片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

系統(tǒng)設(shè)計(jì)存在設(shè)計(jì)基于閃存的可靠的嵌入式和存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)仍然面對(duì)重大挑戰(zhàn)。隨著每新產(chǎn)品的出現(xiàn),目前存儲(chǔ)器技術(shù)要求尺寸越來越小,但耑要較大系統(tǒng)級(jí)變化來維持系統(tǒng)級(jí)討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲(chǔ)器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35

蘋果與三星或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">推出12英寸平板電腦

` 【PConline 資訊】12英寸的平板真的會(huì)推出么?前段時(shí)間業(yè)內(nèi)人士的預(yù)測引來無數(shù)猜想。近日,taiwan《Digitimes (電子時(shí)報(bào))》引述計(jì)算機(jī)產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈消息稱,蘋果和三星均在計(jì)劃
2013-10-29 10:18:00

請(qǐng)問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

迅為電子推出基于三星Exynos 4412的ARM Cortex A9核心板

`三星四核處理Exynos 4412是當(dāng)前最熱門的ARM處理之一,其強(qiáng)勁的性能、出色的功耗控制無不為行內(nèi)人士稱道。迅為電子推出國內(nèi)最小的Exynos4412核心板,引出絕大多數(shù)處理PIN腳資源
2013-06-18 16:07:28

郭臺(tái)銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應(yīng)面板

三星電子在2010年的時(shí)候告密導(dǎo)致鴻海集團(tuán)(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當(dāng)時(shí)痛斥三星電子為”專打小報(bào)告的小人”,同時(shí)他也表示一定會(huì)從韓國人的手裡把這個(gè)錢給賺回來,時(shí)隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05

閃速存儲(chǔ)器的分類及特征

損耗電流較小的特征。但在另一方面,由于單元是串聯(lián)連結(jié)的,所以面向順序存取,具有隨機(jī)存取速度慢的缺點(diǎn)。菱與日立結(jié)合NAND及NOR閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn),開發(fā)了DINOR(Divided bit-line NOR
2018-04-09 09:29:07

首款基于Pixelworks的第六代移動(dòng)視覺處理i6發(fā)布

提供領(lǐng)先的創(chuàng)新視頻和顯示處理解決方案提供商——Pixelworks, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:PXLW)今日發(fā)布了其第六代移動(dòng)視覺處理---i6,這是首款基于Pixelworks大量移動(dòng)顯示
2020-11-23 14:02:58

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

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2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

高速SDRAM存儲(chǔ)器接口電路設(shè)計(jì)

的。一般比較常用的SDRAM包括現(xiàn)代HY57V系列、三星K4S系列和美光MT48LC系列。例如,4M×32位的SDRAM,現(xiàn)代公司的芯片型號(hào)為HY57V283220,三星公司的為K4S283232,美
2019-06-03 05:00:07

高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器

高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器 SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片,用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091

空氣產(chǎn)品公司與三星達(dá)成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030

三星推出容量達(dá)1Tb的V-NAND單晶粒

在舊金山的閃存峰會(huì)上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:00759

三星宣布,將量產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒,速度將比LPDDR4存儲(chǔ)器快50%

三星 17 日宣布,量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒,速率可達(dá) 6,400Mbps,比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%,同時(shí)功耗降低 30%,三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:003077

三星其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片開始量產(chǎn),存儲(chǔ)市場將迎來大容量需求爆發(fā)

三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片,聲稱其堆疊層數(shù)超過90層,可能指的是其96層,制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682

三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5亮相,采用了新的64層V-NAND技術(shù)設(shè)計(jì)

三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤(PSSD),提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND(垂直NAND)技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì),具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性,使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092422

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間)、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566

三星推出閃存更快功耗更低V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04624

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級(jí)到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù),三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901

三星計(jì)劃6月完成第六代1cDRAM開發(fā) 長江存儲(chǔ)即將推出存儲(chǔ)卡類產(chǎn)品

三星電子計(jì)劃在今年6月前完成11納米制程第六代1cDRAM的開發(fā)。
2022-04-19 11:31:192704

Techinsights對(duì)存儲(chǔ)器未來的發(fā)展分析

而主要的 NAND 制造商正在競相增加垂直 3D NAND 門的數(shù)量,并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如,三星 V7 V-NAND、鎧俠和西部數(shù)據(jù)公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:112990

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

市場對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度,可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會(huì)
2022-11-08 13:37:36577

三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

NAND Flash存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)知識(shí)

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析,以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

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