最高的64層3D NAND芯片。據(jù)techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預(yù)計正式量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計2020年底有望將產(chǎn)能提升至月產(chǎn)6萬片晶圓的規(guī)模。
2019-08-27 09:32:51
2187 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次
2019-12-13 10:46:0711441 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0640846 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:041500 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 提升, 已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯片的
2020-09-11 10:03:292569 2018年底長江存儲實現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國存儲芯片的歷史。
2019-01-28 17:18:5517026 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲器的量產(chǎn)工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
這段時間以來，最熱的話題莫過于iPhone X的Face ID，關(guān)于用它刷臉的段子更是滿天飛。其實iPhone X 實現(xiàn)3D視覺刷臉是采用了深度機(jī)器視覺技術(shù)(亦稱3D機(jī)器視覺)。由于iPhone X的推動，3D視覺市場或許將被徹底的激活。
2019-07-25 07:05:48
什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
3D SLC NAND FLASH的量產(chǎn)。2021年量產(chǎn)96層256Mb的3D NAND Flash，2022年量產(chǎn)192層3D NAND FLASH。圖 3 3D NAND 進(jìn)程如圖3所示，3D
2020-11-19 09:09:58
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進(jìn)入
2020-03-19 14:04:57
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉(zhuǎn)45度，自己填加的3D模型旋轉(zhuǎn)45度后，代表3D模型的機(jī)械層不會和PCB重合；而用封裝向?qū)М嫷哪Ｐ蜁蚉CB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉(zhuǎn)45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉(zhuǎn)了45度，但是在2D模式下的機(jī)械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
請教大家一個問題： Altium designer 的3D封裝在機(jī)械層是有線的，我的板子在機(jī)械層也畫了線來切掉一部分。那么在PCB的生產(chǎn)加工中，3D封裝位于機(jī)械層的線是否會影響加工效果。請實際操作過的回答下，非常感謝。如下圖：
2016-07-22 14:05:18
對于我們的項目，我們將 QSPI 閃存連接到以下引腳： 而我們的板子會使用qspi flash作為默認(rèn)的啟動源，不會有任何其他的啟動設(shè)備。在此配置中，我們應(yīng)該如何處理 BOOT_CFG 引腳？從
2023-04-17 08:50:47
采用BiCS4技術(shù)的96層3D NAND已經(jīng)出貨給零售商，早在6月底時我們已經(jīng)了解到西部數(shù)據(jù)的BiCS 4 NAND不僅會有TLC類型，而且會有QLC。使用BiCS 4技術(shù)的TLC NAND芯片和采用
2022-02-03 11:41:35
6工廠，于2018年9月正式落成，主要是量產(chǎn)最新研發(fā)的96層3D NAND，這次西部數(shù)據(jù)宣布延后導(dǎo)入新設(shè)備，應(yīng)是第二期設(shè)備，第一期已于落成時導(dǎo)入。不過，這次西部數(shù)據(jù)宣布四日市工廠將減少投入晶圓，可能是
2022-02-01 23:19:53
SK海力士雖然并未有擴(kuò)產(chǎn)消息傳出，但是近期相繼宣布下一代（176層）NAND閃存技術(shù)取得顯著進(jìn)展。其中，美光最新的176層3D NAND已經(jīng)在新加坡工廠量產(chǎn)，將在2021年推出基于該技術(shù)的新產(chǎn)品，SK
2022-01-26 08:35:58
pcb 3D導(dǎo)step用creo打開為什么絲印層顯示不出來 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現(xiàn)，同時也希望對NAND進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化。長江存儲：2019年量產(chǎn)64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產(chǎn)業(yè)新晉者
2018-09-20 17:57:05
利用低溫制造存儲電路完成。在同一個3D芯片的不同層放上邏輯和存儲電路，BeSang的工藝中每個晶圓包含了更多的裸片，這使得單位裸片的成本也降低了?！ eSang CEO Sang-YunLee說
2008-08-18 16:37:37
和Neytiri對世界美好的愿望和共同的追求，使雙方互相看到了地球人和納威人之間不可分割的聯(lián)系，而觀眾則通過先進(jìn)的3D視頻處理技術(shù)，觀賞到了3D電影的逼真效果，感受到這部電影帶來的震撼。那么有誰知道，為什么說FPGA主導(dǎo)了3D視頻處理市場呢？
2019-08-06 08:26:38
使用DLP技術(shù)的3D打印光固化成形法 (SLA)，一個常見的3D打印工藝，與傳統(tǒng)打印很相似。與硒鼓將碳粉沉積在紙張上很類似，3D打印機(jī)在連續(xù)的2D橫截面上沉淀數(shù)層材料，這些材料一層層的疊加
2022-11-18 07:32:23
的NU4000芯片，賦予機(jī)器終端“人眼 + 人腦”的能力，并針對中國市場調(diào)優(yōu)，為客戶提供高效、優(yōu)質(zhì)的本地化支持?！?b class="flag-6" style="color: red">中國，北京——2021年11月25日，全球3D芯片的引領(lǐng)者銀牛的母公司，銀牛微電子宣布，面向機(jī)器人
2021-11-29 11:03:09
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場對降價的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運(yùn)各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機(jī)掉電測試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%， 營業(yè)收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209 據(jù)報道，蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:11991 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當(dāng)然也能拉低產(chǎn)品的售價。
2017-07-05 08:47:54573 如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)
2017-10-13 20:33:26
6 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價格一直在下滑，市場供需情況已經(jīng)變了，本來預(yù)計Q3季度會有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:554492 
NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲芯片，國內(nèi)的存儲芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長江存儲正在
2018-05-16 10:06:003750 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強(qiáng)的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:364734 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期，堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462115 非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。
2018-09-17 16:30:301863 32-48層，廠商們還在研發(fā)64層甚至更高層數(shù)的堆棧技術(shù)。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中，三星最早量產(chǎn)了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星
2018-10-08 15:52:39395 關(guān)鍵詞：東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商東芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片，并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268 研發(fā)支持原廠3D TLC NAND高品質(zhì)固件的固態(tài)硬盤完整解決方案。據(jù)了解，MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片，已經(jīng)適配了全球全部量產(chǎn)的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒，繼在今年9月國內(nèi)首發(fā)量產(chǎn)
2018-11-19 17:22:316838 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582 紫光集團(tuán)旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進(jìn)度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522080 據(jù)Digitimes報道，長江存儲（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險試產(chǎn)預(yù)計三季度啟動，目前良率已經(jīng)實現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442618 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。作為中國首款64層3DNAND閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺。
2019-09-02 16:27:503468 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021051 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團(tuán)收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612 近日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 紫光集團(tuán)旗下長江存儲近日宣布，已開始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存（3DNAND），容量為256Gb，以滿足固態(tài)硬盤（SSD）嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用的需求，這也是中國首款64
2019-10-08 09:19:53906 紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 ，已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:161889 ，已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:191922 ，已成為閃存市場的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯
2020-09-11 11:12:341883 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:552599 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:216521 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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