中國芯國產進程加速 刺激了NAND Flash和DRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊，2020 年 SK 海力士將進行一系列的人事調動和業(yè)務重組，為實現(xiàn)從開發(fā)、制造，以及業(yè)務的后期處理等統(tǒng)一的管理，會將 DRAM 和 NAND Flash 兩大開發(fā)部門整合在一起。

重組后，SK 海力士首席半導體技術專家 Jin Kyo-won 將提升為開發(fā)制造總裁，負責 DRAM 和 NAND Flash 從開發(fā)到批量生產，提高運營效率。

SK 海力士是重要的 NAND Flash 和 DRAM 供應商，據(jù)中國閃存市場 ChinaFlashMarket 數(shù)據(jù)，2019 年 Q3 季度，SK 海力士 DRAM 市場占有率 28.4%，全球排名第二；NAND Flash 市場占有率 9.6%，全球排名第六。

作為全球第二大 DRAM 供應商，SK 海力士于 2019 年 10 月宣布采用第三代 10nm 級（1znm）工藝開發(fā)出 16Gbit DDR4，與第二代（1ynm）產品相比，生產率提高了約 27%，計劃將與 2020 年開始全面供應，積極響應市場需求。

與之競爭的是三星和美光，其中三星早在 2019 年 3 月就宣布于下半年采用 1znm 工藝技術量產 8Gb DDR4，生產率提高 20%以上；美光也在 8 月份大規(guī)模生產 1znm 16Gb DDR4 產品。三星、SK 海力士、美光 DRAM 都已進入第三代 10nm 級制程技術，隨著技術的不斷提高，量產的難度也加大，再往后發(fā)展將用到 EUV 工藝，能否順利過渡是穩(wěn)固市場的關鍵。

在 NAND Flash 市場上，三星、SK 海力士均已宣布新一代 128 層 3D TLC NAND 已開始量產或送樣，2020 年西部數(shù)據(jù)、鎧俠、美光等 128 層 3D NAND 也將面世，英特爾甚至將在 2020 年推出 144 層 QLC NAND，同業(yè)者之間的競爭如火如荼。

在經(jīng)歷 2016 年和 2017 年 NAND Flash 價格大幅上漲后，2018 年和 2019 上半年價格再度下滑，截止到第三季度，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、SK 海力士、英特爾等 Q3 季度的 NAND Flash 銷售雖環(huán)比增加， 但在獲利方面依然表現(xiàn)同比下滑，西部數(shù)據(jù)和鎧俠甚至虧損嚴重。

SK 海力士同樣面臨著營收的挑戰(zhàn)，在 2019 年三季度，其營收達 6.8 兆韓元，同比下滑 40%；凈利潤 0.495 兆韓元，同比大減 89%，更創(chuàng) 2016 年第二季以來的新低紀錄，其中 DRAM 收入占 77%，NAND Flash 收入占 20%。

不僅要面對產業(yè)周期性變化，DRAM 和 NAND Flash 技術的推進，也使得企業(yè)投入的資金增加，獲利變得更加艱難。隨著 NAND Flash 價格的觸底，以及對看旺 2020 年市場需求，近期 NAND Flash 行情已出現(xiàn)轉機，中國閃存市場 ChinaFlashMarket 分析，不僅渠道市場價格上漲，企業(yè)級需求旺盛，原廠已對 2020 年 Q1 部分產品宣布漲價，PC OEM 市場價格或也將開始上漲，而手機端產品價格 2020 年 Q2 或有漲價反應。

隨著中國芯片國產化進程的加速，新晉者的加入，戰(zhàn)局再度升溫，對于 SK 海力士而言，一定程度上將刺激在 NAND Flash 和 DRAM 戰(zhàn)略布局上加快步伐。在下一波存儲行情上行之前，SK 海力士將 DRAM 和 NAND Flash 研發(fā)部門合并，不僅有助于提高技術研發(fā)水平，穩(wěn)固市場地位，更能有效的配合、響應存儲市場周期性變化，提高企業(yè)獲利的能力。