存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)受疫情影響不大，但，芯片價(jià)格狂漲！

因?yàn)橐咔橛绊?，全?guó)多個(gè)省市實(shí)行封閉管控措施，導(dǎo)致線上服務(wù)大增，比如游戲、教學(xué)、購物、視頻等等，這些將推動(dòng)數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)網(wǎng)絡(luò)對(duì)存儲(chǔ)需求的增加，存儲(chǔ)產(chǎn)品或?qū)⒂瓉硪徊ㄐ枨笤鲩L(zhǎng)。

近期雖然很多企業(yè)復(fù)工受到阻礙，但據(jù)了解，存儲(chǔ)工廠生產(chǎn)受疫情影響不大，一些廠商表示，春節(jié)期間，工廠保持正常運(yùn)營(yíng)狀態(tài)。

疫情期間，存儲(chǔ)廠商生產(chǎn)受影響不大

從全球存儲(chǔ)工廠布局來看，各家原廠Fab工廠都集中在韓國(guó)、日本、美國(guó)、新加坡，其中三星Fab工廠主要集中在韓國(guó)華城和平澤，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的NAND Flash生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)位于日本四日市，美光的生產(chǎn)線則位于美國(guó)和新加坡，SK海力士則在韓國(guó)清州和利川。

目前三星有大陸西安工廠，英特爾大連Fab68工廠生產(chǎn)NAND Flash，長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash生產(chǎn)基地在武漢，NOR Flash廠商武漢新芯在武漢，SK海力士無錫工廠生產(chǎn)DRAM。

據(jù)供應(yīng)鏈業(yè)內(nèi)人士介紹，目前企業(yè)在大陸地區(qū)的產(chǎn)線生產(chǎn)影響不大，三星表示西安芯片廠生產(chǎn)如常，一直未停工。SK海力士無錫的DRAM生產(chǎn)工廠和后端產(chǎn)線，以及重慶的SSD組裝和測(cè)試產(chǎn)線沒有中斷，將全力保證生產(chǎn)，英特爾Fab68工廠的大連生產(chǎn)也不會(huì)有太大的影響。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前也向媒體表示，工廠一直正常運(yùn)行，值班員工并不與外界接觸。目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)正常有序進(jìn)行，駐守在廠區(qū)的長(zhǎng)存及廠商員工無感染病例，并采用分區(qū)隔離管控措施，避免外界病毒的帶入。

武漢新芯疫情期間也未中斷生產(chǎn)，但在產(chǎn)能方面會(huì)受影響，已適當(dāng)下調(diào)了Q1產(chǎn)能。武漢新芯公司董事長(zhǎng)楊道虹表示，公司已申請(qǐng)帶寬擴(kuò)容支持，未來能夠保障5000名以上的員工同時(shí)遠(yuǎn)程在線辦公。目前，除研發(fā)略有延遲外，企業(yè)基本保持計(jì)劃進(jìn)度。

就目前情況而言，各家原廠生產(chǎn)基地集中在國(guó)外，且處于大陸地區(qū)的工廠產(chǎn)能生產(chǎn)受影響不大，但是一些封裝企業(yè)工廠復(fù)工較難，直接導(dǎo)致成品量交付不足，進(jìn)而影響市場(chǎng)交易。

不過，2月8日，國(guó)家集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布了抗擊新冠肺炎疫情倡議書，號(hào)召封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈各單位根據(jù)行業(yè)重點(diǎn)用戶需求，集中產(chǎn)業(yè)鏈資源，優(yōu)先確保重點(diǎn)企業(yè)、重點(diǎn)項(xiàng)目、疫情防控急需物資生產(chǎn)企業(yè)，以及疫情重點(diǎn)區(qū)域長(zhǎng)江存儲(chǔ)和武漢新芯等重點(diǎn)用戶的供應(yīng)和服務(wù)。

近日，國(guó)內(nèi)幾大封測(cè)企業(yè)也已經(jīng)陸續(xù)安排生產(chǎn)，長(zhǎng)電科技2月18日在上證e互動(dòng)平臺(tái)上回復(fù)，“公司江陰廠區(qū)19年底已安排接續(xù)生產(chǎn)計(jì)劃，僅部分員工返鄉(xiāng)過年。公司是當(dāng)前市場(chǎng)急需醫(yī)療電子產(chǎn)品生產(chǎn)鏈中的關(guān)鍵企業(yè)，在嚴(yán)格實(shí)施防疫措施、保障安全的前提下，公司努力生產(chǎn)，優(yōu)先保障相關(guān)客戶需求；政府及相關(guān)部門也給予大力支持。”

華天科技2月18日在全景網(wǎng)互動(dòng)平臺(tái)表示，“目前公司及主要子公司已經(jīng)復(fù)工生產(chǎn)。公司CIS封裝業(yè)務(wù)飽滿?！?/p>

可見，在國(guó)家集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、政府及相關(guān)部門的大力支持下，以及各大封測(cè)企業(yè)陸續(xù)復(fù)工，原本受疫情影響不大的存儲(chǔ)廠商生產(chǎn)將會(huì)更快進(jìn)入正常運(yùn)行狀態(tài)。

Flash顆粒、閃存卡等產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲

近日，企業(yè)陸續(xù)積極復(fù)工，但由于原廠供貨較少，以及疫情導(dǎo)致封裝生產(chǎn)和供貨受阻，復(fù)工后市場(chǎng)部分Flash顆粒、SSD、閃存卡等產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)上漲。

目前雖然受到了疫情的影響，但上游原廠的NAND Flash生產(chǎn)基地主要在海外，在大陸的工廠以及國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)也因?yàn)镕AB工廠本身的防護(hù)等級(jí)高，所受影響也較小，因此NAND Flash產(chǎn)能產(chǎn)出沒有問題。但原廠供貨依然很少，尤其是對(duì)渠道市場(chǎng)基本無貨，再加上物流、交通等對(duì)供貨的影響，進(jìn)而刺激價(jià)格進(jìn)一步上漲。

目前的市場(chǎng)現(xiàn)狀是，數(shù)據(jù)中心、企業(yè)等需求在增長(zhǎng)，由于市場(chǎng)閃存價(jià)格持續(xù)上漲，再加上原廠供貨少、漲價(jià)，以及企業(yè)復(fù)工率低、物流、交通等諸多因素影響，導(dǎo)致中國(guó)大陸市場(chǎng)交易很差，也包括以中國(guó)大陸客戶為主的海外企業(yè)遇到交付難題。

因?yàn)樵诖汗?jié)假期之前，下游廠商庫存一直就不足，所以部分企業(yè)不得不高價(jià)采購來補(bǔ)充庫存，也正因?yàn)椴少彸杀驹黾樱袌?chǎng)訂單受到抑制，市場(chǎng)普遍存在惜售的現(xiàn)象。

雖然如此，原廠還是很看好數(shù)據(jù)中心、企業(yè)等需求，并看漲NAND Flash行情。在近期的財(cái)務(wù)報(bào)告中，三星預(yù)計(jì)2020年Q1 DRAM需求有所減少，NAND Flash價(jià)格則會(huì)隨服務(wù)器需求增長(zhǎng)而上漲；美光預(yù)計(jì)2020年DRAM和NAND Flash供應(yīng)將低于預(yù)期，而企業(yè)級(jí)SSD供應(yīng)短缺，將會(huì)推動(dòng)價(jià)格上漲；KIOXIA雖然虧損嚴(yán)重，但NAND Bit季度出貨量環(huán)比增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)ASP上漲趨勢(shì)還將持續(xù)，并推動(dòng)2020年供應(yīng)和需求恢復(fù)平衡狀態(tài)。

因此，原廠延續(xù)大陸春節(jié)假期前側(cè)重高利潤(rùn)市場(chǎng)并嚴(yán)控供貨的策略，原廠的態(tài)度也成為價(jià)格上漲的另一個(gè)要素。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能爬坡還需要較長(zhǎng)時(shí)間

2019年國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存及閃存都取得了重要進(jìn)展，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層堆棧3D閃存，合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存。此外，紫光也會(huì)在2021年進(jìn)軍內(nèi)存市場(chǎng)，這是國(guó)內(nèi)最重要的三支存儲(chǔ)芯片力量。不過就算開始量產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)能爬坡依然是個(gè)長(zhǎng)期而且艱巨的任務(wù)，至少需要數(shù)年時(shí)間才能對(duì)全球市場(chǎng)產(chǎn)生影響。

雖然上文提到，存儲(chǔ)廠商當(dāng)前的生產(chǎn)受到疫情的影響不大，但是國(guó)金證券認(rèn)為，合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)大廠量產(chǎn)初期，良率不佳，再受到新型冠狀病毒影響設(shè)備驗(yàn)收及裝機(jī)，預(yù)期長(zhǎng)江存儲(chǔ)美國(guó)／日本／歐洲的半導(dǎo)體設(shè)備移入將延遲數(shù)月。

此外，國(guó)內(nèi)公司設(shè)計(jì)及制程工藝技術(shù)與國(guó)際大廠仍有幾個(gè)世代的差距，比如長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 64層 NAND vs. 三星／海力士／Kioxia/ 鎂光的 96/112/128層 NAND，合肥長(zhǎng)鑫的 1x DRAM vs. 三星／海力士/ 鎂光的 1z DRAM，而造成其品質(zhì)、規(guī)格種類、數(shù)量、成本及價(jià)格均不具顯著的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

基于此，國(guó)金證券目前預(yù)估，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片在全球存儲(chǔ)器DRAM+NAND半導(dǎo)體市場(chǎng)份額在 2022年應(yīng)該不會(huì)超過 5%，2025年預(yù)計(jì)可達(dá)12%。

也就是說5年后，國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存及閃存才能在全球市場(chǎng)上拿下10%以上的份額，相比現(xiàn)在會(huì)有質(zhì)的提升，但是總體來看國(guó)產(chǎn)閃存、內(nèi)存依然是少數(shù)派，對(duì)市場(chǎng)的影響力恐怕還會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落在三星、美光、東芝等公司之后。