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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529

QLC是什么?它對(duì)閃存存儲(chǔ)市場(chǎng)意味著什么?

Micron公司最近推出了第一款QLC閃存產(chǎn)品,為NAND閃存市場(chǎng)又增添一位成員。而英特爾公司也計(jì)劃在2018年下半年推出其首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-06-14 08:55:2617255

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569

長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 芯片導(dǎo)入江波龍 U 盤(pán),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)一條龍

中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)處于自研有成、發(fā)奮追趕的位置,對(duì)應(yīng)到下游存儲(chǔ)模組產(chǎn)業(yè),也協(xié)同上游芯片產(chǎn)業(yè)正在成形中,其中,深圳江波龍絕對(duì)占有一席之地。 日前江波龍已采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3DNAND芯片生產(chǎn)U盤(pán),期待新一代
2019-06-14 15:35:132741

原廠3D NAND揭秘:從32層至128層及更高,給產(chǎn)業(yè)帶來(lái)怎樣的變化?

層3DNAND過(guò)渡,同時(shí)推進(jìn)下一代128層3DNAND技術(shù)發(fā)展進(jìn)程。 從2013年三星研發(fā)出24層3DNAND,到日前SK海力士首發(fā)128層1Tb4DNAND,原廠快速發(fā)展的3D技術(shù)使得業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)
2019-07-05 09:11:115852

國(guó)科微新一代SSD主控支持國(guó)產(chǎn)128QLC閃存

在SSD市場(chǎng)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)量產(chǎn)了國(guó)產(chǎn)3D閃存,國(guó)內(nèi)SSD主控廠商也是遍地開(kāi)花。日前國(guó)科微發(fā)布了新一代SSD主控GK2302V200系列,全面適配國(guó)產(chǎn)的128層TLC/QLC閃存,最高能使用160
2020-05-11 09:58:424482

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出致鈦3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案

,重量輕,強(qiáng)度高,定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢(mèng)想。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在未來(lái)推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報(bào)來(lái)看,這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤(pán)。它
2020-08-28 18:24:142934

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布子品牌“致鈦?ZHITAI” 高性能M.2硬盤(pán)正式官宣

也上線了。 致鈦的官微簡(jiǎn)介提到,它們是長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下致鈦?ZHITAI品牌官方微信公眾平臺(tái)提供高品質(zhì)3DNAND閃存產(chǎn)品及解決方案,讓記憶承載夢(mèng)想。 對(duì)于這個(gè)品牌名字,官方公眾號(hào)剛剛發(fā)文做了解釋?zhuān)率鞘歉裎镏轮?,是精誠(chéng)所致,更是寧?kù)o致遠(yuǎn)。 鈦,
2020-08-28 15:36:445908

全球首個(gè)176層3D NAND Flash量產(chǎn),不是QLC

11月10日消息,美光宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)全球首個(gè)176層3DNANDFlash。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3DNAND閃存。 美光、Intel合作
2020-11-10 17:16:523081

【芯聞精選】長(zhǎng)江存儲(chǔ)或在2021年中旬試產(chǎn)首批192層閃存;國(guó)芯科技或闖關(guān)科創(chuàng)板…

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存
2021-01-13 09:32:013633

三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長(zhǎng)江存儲(chǔ)探討3D NAND技術(shù)

成功,認(rèn)真投入3D技術(shù)研發(fā),而且正要進(jìn)入量產(chǎn)的一個(gè)工廠--武漢存儲(chǔ)基地,原本計(jì)劃的是一個(gè)10萬(wàn)片產(chǎn)能的平面一工廠,現(xiàn)在可以做15萬(wàn),2019年這個(gè)廠也將真正進(jìn)入量產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05

什么是QLCQLC閃存會(huì)取代TLC、MLC嗎?

什么是QLCQLC的出現(xiàn)是不是意味著SSD性能在倒退?QLC閃存會(huì)取代TLC、MLC嗎?
2021-06-18 06:27:34

國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

進(jìn)行測(cè)試。若進(jìn)度符合預(yù)期,預(yù)計(jì)最快2019年第3季將可望投產(chǎn),屆時(shí)將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈,而長(zhǎng)江存儲(chǔ)也規(guī)劃2020年將跳過(guò)963DNAND,截道超車(chē)跨向1283DNAND。隨著量產(chǎn)技術(shù)提升及規(guī)劃產(chǎn)能30萬(wàn)
2021-07-13 06:38:27

泛普MTS Windows Kernel版驅(qū)動(dòng)研發(fā)成功

泛普納米日前宣布,繼第九代納米觸控膜研發(fā)成功之后,版本號(hào)為7.0.1.0的泛普MTS Windows Kernel版驅(qū)動(dòng)也成功問(wèn)世。新版驅(qū)動(dòng)不僅支持的系統(tǒng)更多,而且支持區(qū)域觸控,同時(shí)極大的提升了納米
2016-02-14 14:12:17

閃存技術(shù)基礎(chǔ)-1-3 #存儲(chǔ)技術(shù)

閃存IC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)閃存技術(shù)
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:32:08

S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)

S25FS128SDSNFI100,MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器  1.8 V帶CMOS I/O的單電源  具有多I/O的串行外圍接口 
2023-02-07 14:23:17

鈉硫電池研發(fā)成功

鈉硫電池研發(fā)成功 2009年11月28日8:28:59      據(jù)外電報(bào)道,國(guó)家電網(wǎng)公司上周表示,已開(kāi)發(fā)出可用
2009-11-28 08:29:09655

閃存真的要降價(jià)了 東芝成功研發(fā)世界首款4比特3D QLC閃存 大容量硬盤(pán)將更便宜

東芝日前宣布,他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言,這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-06-30 16:43:40560

QLC閃存跟TLC閃存有什么區(qū)別?QLC能否取代TLC成為SSD閃存首選?

目前,東芝和西數(shù)先后宣布成功開(kāi)發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片,即QLC閃存,這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么,它與TLC閃存又有什么區(qū)別,能否取代TLC成為SSD主流閃存之選?
2017-08-01 10:21:1393396

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層NAND閃存預(yù)計(jì)2018年內(nèi)量產(chǎn)

NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ),也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片,國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750

存儲(chǔ)器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC閃存儲(chǔ)器,性能獲重大提升

日前,東芝(TOSHIBA)、西數(shù)(WD)等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC閃存儲(chǔ)器,核心容量可達(dá) 1.33TB,單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC閃存儲(chǔ)
2018-07-26 18:01:002026

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將首次公布3D NAND閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)宣布,將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)。
2018-07-30 17:57:274031

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

新一代立體堆疊閃存方案有什么優(yōu)勢(shì)?美光,SK海力士,長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在使用

今年的閃存技術(shù)峰會(huì),美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱(chēng)之為“4D NAND”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱(chēng)之為Xtacking,美光則稱(chēng)之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫(xiě)
2018-08-12 09:19:286688

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

QLC閃亮登場(chǎng),與其他閃存的區(qū)別是什么?

2018年8月7日的美國(guó)閃存峰會(huì)(FMS)上,海力士,三星,東芝,西部數(shù)據(jù),Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品,滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)容量日益激增的需求,那么QLC是什么呢?它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:497064

國(guó)內(nèi)研法的32層3DNAND閃存芯片已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)?對(duì)于國(guó)產(chǎn)你期待嗎?

紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)近日在出席首屆中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)時(shí)透露,紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的1000人團(tuán)隊(duì)耗資10億美元,歷時(shí)2年研發(fā)成功了國(guó)內(nèi)第一顆32層3DNAND閃存芯片,將在2018年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-26 10:46:279823

QLC閃存就要來(lái)了!何為QLC?

QLC即Quad-Level Cell架構(gòu),每個(gè)閃存單元內(nèi)可儲(chǔ)存4個(gè)比特?cái)?shù)據(jù),相比TLC閃存存儲(chǔ)密度提升33%。為了表達(dá)4比特?cái)?shù)據(jù),一個(gè)QLC閃存單元擁有多達(dá)16種電壓狀態(tài),對(duì)閃存品質(zhì)及主控糾錯(cuò)能力提出了很高的要求。
2019-04-09 09:56:534247

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在第三季度量產(chǎn)64層3D閃存

據(jù)Digitimes報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)將于年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442618

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要精力轉(zhuǎn)移到128閃存芯片上 有望在2020年大規(guī)模投產(chǎn)

近日,獲悉,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃于今年年底前投入64層3D閃存的量產(chǎn)工作。其中風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)預(yù)計(jì)三季度啟動(dòng),目前良率已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了顯著爬升。
2019-05-22 14:22:164315

SK海力士全球首個(gè)量產(chǎn)128層堆疊4D閃存:沖擊176層

SK海力士宣布,已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功,并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片,此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:282931

中國(guó)首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展

NAND閃存,以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。作為中國(guó)首款64層3DNAND閃存,該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺(tái)。
2019-09-02 16:27:503468

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612

Intel推出新款固態(tài)硬盤(pán)665P,使用QLC閃存技術(shù)

在近日于韓國(guó)首爾舉行的存儲(chǔ)開(kāi)放日活動(dòng)中,Intel推出了使用QLC閃存的新款固態(tài)硬盤(pán)665P,繼續(xù)使用了660P所采用的慧榮SM2263主控,但閃存顆粒升級(jí)為96層3D QLC,但單Die依舊維持1024Gb容量(128GB)。
2019-09-27 15:22:293276

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國(guó)產(chǎn)第三代閃存的到來(lái)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001495

中國(guó)首款64層三維閃存芯片發(fā)布 中國(guó)邁出打破美日韓壟斷的關(guān)鍵一步

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)近日宣布,已開(kāi)始量產(chǎn)基于自主研發(fā)Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存(3DNAND),容量為256Gb,以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)(SSD)嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用的需求,這也是中國(guó)首款64
2019-10-08 09:19:53906

西數(shù)認(rèn)為QLC閃存在1XX層才有優(yōu)勢(shì)

如同HDD硬盤(pán)中的SMR技術(shù)一樣,QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢(shì),究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差,但是現(xiàn)在的價(jià)格還沒(méi)有達(dá)到預(yù)期。
2019-12-10 10:56:012332

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲(chǔ)容量最大達(dá)4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級(jí)QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156

QLC閃存強(qiáng)勢(shì)來(lái)襲,將會(huì)要取代TLC嗎

閃存芯片中,除了我們耳熟能祥的SLC,MLC,TLC以外,還有一種叫QLC閃存芯片。
2019-12-19 13:46:431063

國(guó)產(chǎn)閃存市場(chǎng)迎新機(jī)遇 長(zhǎng)江存儲(chǔ)將全面推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升

2020年全球閃存將進(jìn)入牛市周期,價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)大幅上漲,這對(duì)國(guó)產(chǎn)閃存來(lái)說(shuō)也是一次機(jī)會(huì)。在日前的湖北兩會(huì)上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示他們研發(fā)的64層閃存已經(jīng)在去年量產(chǎn),正在擴(kuò)增產(chǎn)能。
2020-01-15 09:34:162650

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)96層直接投入128閃存研發(fā)和量產(chǎn)工作

1月16日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴年會(huì),并在會(huì)前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報(bào)。
2020-01-17 08:48:222257

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度全球第一

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?,F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083034

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存128層堆疊產(chǎn)品里先進(jìn)水平還差多遠(yuǎn)?

據(jù)介紹,長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu),已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并正擴(kuò)充產(chǎn)能,將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模,并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:174775

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品推出

1月16號(hào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開(kāi)市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?,F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:553442

長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,跳過(guò)96層直接量產(chǎn)128閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC),并正擴(kuò)充產(chǎn)能,將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模。
2020-01-17 15:06:231939

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將跳過(guò)96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔曾公開(kāi)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128閃存研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21861

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128閃存今年投入技術(shù)研發(fā)和實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在今年,全球閃存廠商都在集體奔向100+層,例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨,并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存,三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期,國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示,將跳過(guò)96層,直接投入128閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:513452

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布成功研制128QLC 3D閃存 將是業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格3D NAND

今日(4月13日),長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:09805

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128QLC規(guī)格的3DNAND閃存,滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128QLC3DNAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:113068

業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3D NAND閃存有哪些特點(diǎn)?

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

國(guó)產(chǎn)SSD主控廠商成功研發(fā)4K LDPC算法

國(guó)內(nèi)的主控廠商聯(lián)蕓科技日前宣布研發(fā)成功4K LDPC算法,這是國(guó)內(nèi)SSD主控芯片廠商第一次實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的連續(xù)突破,將極大地提高QLC閃存的可靠性及使用壽命。
2020-04-15 08:49:034144

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793

中國(guó)128QLC閃存后 三星正研發(fā)160層閃存

對(duì)3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競(jìng)爭(zhēng)力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存
2020-04-20 09:25:073456

三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧3D閃存 將大幅改進(jìn)制造工藝

上周中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類(lèi)型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國(guó)產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒(méi)閑著,三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47481

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過(guò)了96層

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,128QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:224866

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

淺談QLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤(pán)的使用壽命

最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷,最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128QLC 3D NAND閃存,多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先,最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1017363

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì),屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:33850

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128QLC?3D?NAND閃存芯片研發(fā)成功

龍宇燃油公布,合同已經(jīng)公司于2020年4月10日召開(kāi)的第四屆董事會(huì)第二十九次會(huì)議審議通過(guò),根據(jù)《公司章程》的規(guī)定,該合同無(wú)需提交股東大會(huì)批準(zhǔn)。該合同標(biāo)的位于北京市順義區(qū)臨空經(jīng)濟(jì)核心區(qū)天柱西路8號(hào),雙方因其業(yè)務(wù)發(fā)展的需要,由北京金漢王技術(shù)有限公司在位于北京市順義區(qū)臨空經(jīng)濟(jì)核心區(qū)天柱西路8號(hào)的數(shù)據(jù)中心向阿里云計(jì)算有限公司提供數(shù)據(jù)中心托管服務(wù)。
2020-09-18 11:06:282379

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

QLC閃存、TLC閃存是什么?QLC閃存、TLC閃存有何區(qū)別?

閃存是最常用器件之一,在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是,大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí),本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣,不妨
2020-11-06 17:38:5882922

臺(tái)電聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出SSD騰龍DS10,紀(jì)念中華半導(dǎo)體崛起

眾所周知,長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)是我國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)界的第一梯隊(duì)企業(yè),早些時(shí)候宣布發(fā)布并量產(chǎn)國(guó)產(chǎn) 64 層 TLC 閃存顆粒以及 128QLC 3D 閃存,之后還推出了自家的致鈦系列 SSD,同時(shí)
2020-11-18 14:10:471680

長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅僅一年奪下全球閃存第七

在2019年9月份之前,國(guó)內(nèi)廠商在全球閃存市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有存在感,國(guó)產(chǎn)率基本上為0,一年之后國(guó)產(chǎn)閃存已經(jīng)進(jìn)入全球第七了,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了全球1%。
2020-11-19 15:25:045996

長(zhǎng)江存儲(chǔ)證實(shí)華為Mate40用上國(guó)產(chǎn)閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年9月份國(guó)內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存,一提到國(guó)產(chǎn)閃存,很多人都說(shuō)沒(méi)看見(jiàn),實(shí)際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國(guó)產(chǎn)閃存,華為Mate40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存。 日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-11-20 18:15:272685

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

楊士寧表示,很多人反映很少看到國(guó)產(chǎn)內(nèi)存, 實(shí)際上華為Mate 40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存。 他強(qiáng)調(diào),與國(guó)際存儲(chǔ)大廠6年的路程相比, 長(zhǎng)江存儲(chǔ)僅用了短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了3D NAND的32層、64層、128層的跨越。 會(huì)議上, 他還展示了長(zhǎng)江存儲(chǔ) 先進(jìn)的Xt
2020-11-23 11:59:264351

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存已經(jīng)打入了華為Mate40供應(yīng)鏈

日前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在參加活動(dòng)時(shí)表示,與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比,該公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)從32層到64層再到128層的跨越,3年完成他們6年走過(guò)的路。
2020-11-27 10:00:182378

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧:打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒

存儲(chǔ)研發(fā)太快了,要慢一點(diǎn)兒3、長(zhǎng)江存儲(chǔ)要賺錢(qián),楊士寧從做技術(shù)轉(zhuǎn)型做生意的人。 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。 楊士寧表示:雖然長(zhǎng)存的 64 層 3DNAND 只是我們第一個(gè)產(chǎn)品,但是這顆產(chǎn)品
2020-12-09 10:26:227624

國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)能將在年底占全球的7%

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。
2021-01-12 14:29:501454

長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快在2021年中旬試產(chǎn)首批192層閃存,國(guó)產(chǎn)閃存產(chǎn)能年底可占全球7%

2019年長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)的64層閃存開(kāi)始量產(chǎn)之后,2020年他們又帶來(lái)了128閃存,2021年則會(huì)帶來(lái)192層閃存。 日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),中國(guó)閃存廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速擴(kuò)張閃存產(chǎn)能,計(jì)劃在2021
2021-01-12 14:37:426603

爆料稱(chēng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 09:53:583573

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存產(chǎn)能翻倍?謠言!

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382074

長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍

此前4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:202851

盤(pán)點(diǎn)2020年存儲(chǔ)行業(yè)十大事件

2020年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功,這也是業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362093

長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)蘋(píng)果驗(yàn)證 三星與西部數(shù)據(jù)聯(lián)手 鎧俠推UFS 3.1標(biāo)準(zhǔn)的閃存樣品

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND據(jù)悉已通過(guò)蘋(píng)果驗(yàn)證,2022年將急起直追成為第3家iPhone的Flash供應(yīng)商。
2022-03-31 14:24:462974

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

2022年4月19日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:461748

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UC023閃存芯片 專(zhuān)為5G時(shí)代打造

  昨日消息,國(guó)內(nèi)專(zhuān)注于3D NAND閃存存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:521812

蘋(píng)果欲與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格

蘋(píng)果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YTMC)納入供應(yīng)商名單。蘋(píng)果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23529

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

QLC閃存 D5-P5430的基本規(guī)格、性能表現(xiàn)

SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430,可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43490

拐彎突破美國(guó)禁令!長(zhǎng)江存儲(chǔ)神秘閃存曝光

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311234

QLC閃存將取代混合存儲(chǔ)?

基于四級(jí)單元(QLC)的存儲(chǔ)陣列采用軟件支持的ASIC或FPGA邏輯(以克服生命周期限制、提高耐用性和性能),目前已部署用于通用塊存儲(chǔ)用例。它們還被部署在備份和災(zāi)難恢復(fù)用例中,在這些用例中,取代 TLC 介質(zhì)設(shè)備陣列的性能并不那么重要。
2023-08-16 10:26:45624

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類(lèi)型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:46844

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專(zhuān)利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專(zhuān)利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專(zhuān)利。
2023-11-13 17:24:51547

零的突破!中國(guó)閃存芯片正式步入國(guó)際主流水平

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道長(zhǎng)江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注,其中128QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存,容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:335009

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)128QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128QLC規(guī)格的3D NAND閃存長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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