RAM有哪些分類(lèi)？特點(diǎn)是什么？DRAM和SRAM對(duì)比分析哪個(gè)好？
2022-01-20 07:16:10
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
。盡管本文絕不是對(duì)所有內(nèi)存技術(shù)的全面討論，但在討論所提出的內(nèi)存技術(shù)時(shí)，DRAM，SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點(diǎn)。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類(lèi)型（具有不同的速度），但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
概念理解：FLASH存儲(chǔ)器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是FLASH得存儲(chǔ)容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲(chǔ)控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
前言：MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類(lèi)SRAMFlash容量容量小容量大讀寫(xiě)速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
解析SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)
2020-12-31 06:35:01
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開(kāi)始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類(lèi)：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
你好，我試圖擴(kuò)展16 MB SRAM和16 MB或閃存到MYSTM32 F7MCU芯片。該芯片具有2個(gè)接口的存儲(chǔ)器，F(xiàn)MC和QSPI。誰(shuí)能給我一個(gè)建議，SRAM和NOR Flash產(chǎn)品我應(yīng)該一起去嗎？
2019-11-04 11:23:02
無(wú)法支持 Linux 和 Windows 系統(tǒng)，這里我說(shuō)的單片是指M系列的單片機(jī)，但是可以跑ucos或FreeRTOS系統(tǒng)。2. Flash和Sram的理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)
2022-05-10 15:26:10
XMC：AT32的XMC是一個(gè)將AHB傳輸信號(hào)轉(zhuǎn)換與外部存儲(chǔ)器信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的外設(shè)。支持的外部存儲(chǔ)器有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM、NOR FLASH、PSRAM、NAND FLASH、PC卡和同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-14 20:31:33
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。另一種稱(chēng)為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)
2015-11-04 10:09:56
如題，本人想玩下STM32對(duì)NAND FLASH ,NOR FLASH ,SRAM的訪問(wèn)，來(lái)熟悉這些器件的應(yīng)用，不知這里有哪位大俠用STM32玩過(guò)這些,可以交流交流。。。
2020-05-25 20:04:22
1. 程序和數(shù)據(jù)在Flash和SRAM上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)在講解 STM32 啟動(dòng)過(guò)程之前，我們先來(lái)了解一下 STM32 的程序和數(shù)據(jù)在 Flash 和 SRAM 上到底是如何存儲(chǔ)的，因?yàn)橛辛诉@方面的知識(shí)
2022-02-18 06:13:34
數(shù)據(jù)手冊(cè)里的這句話如何理解？256K FLASH+64K SRAM 的產(chǎn)品支持用戶(hù)選擇字配置為（192K FLASH+128K SRAM）、（224K FLASH+96K SRAM）、（256K
2022-06-20 07:37:12
fpga芯片工作時(shí)外部需要接
Flash和
SRAM嗎？
flash和
sram都是干什么的?。?/div>
2014-12-25 08:32:25
在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級(jí)緩沖，二級(jí)緩沖。另一種稱(chēng)為動(dòng)態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格
2013-01-04 00:20:57
一般來(lái)說(shuō)DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
： SRAM處于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器金字塔的最頂端，在速度上，SRAM》DRAM》NAND。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的操作條件比較簡(jiǎn)單，就是簡(jiǎn)單的MOS管打開(kāi)，相互fighting或者傳輸值的過(guò)程，用core電壓就可以實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 16:42:13
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠商DRAM銷(xiāo)售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短，速度也比SRAM慢，不過(guò)它還是比任何的ROM都要快，但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多，計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。
DRAM：
DRAM利用MOS管的柵電容
2023-05-19 15:59:37
的情況，大部分設(shè)計(jì)人員會(huì)考慮外擴(kuò)SRAM，SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快，也不存在讀寫(xiě)限制的問(wèn)題，確實(shí)是考慮外擴(kuò)內(nèi)存的首選，但如果采用并口外擴(kuò)內(nèi)存需要較多的MCU管腳，給MCU
2018-09-18 14:03:15
我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。
我們?cè)?SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。
給出了兩個(gè) icf 文件：
1) 內(nèi)存
2023-05-05 06:38:08
【追蹤嫌犯的利器】定位技術(shù)原理解析（4）
2020-05-04 12:20:20
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
`手機(jī)通信原理解析：第 1 章 無(wú)線通信原理第2 章 移動(dòng)通信系統(tǒng)第3 章 移動(dòng)通信系統(tǒng)的多址接入技術(shù)第4 章 移動(dòng)通信系統(tǒng)的語(yǔ)音編碼第5 章 GSM移動(dòng)通信系統(tǒng)的數(shù)字
2011-12-14 14:31:20
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
本篇文章是為了記錄flash，sram，dram，rom，ram在單片機(jī)等的應(yīng)用ROM和RAM都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM停止供電仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，RAM掉電之后丟失數(shù)據(jù)，如：計(jì)算機(jī)的內(nèi)存1、ROM
2022-01-11 06:25:18
比如L4+我知道SRAM和寄存器是能正常供電的，但是DRAM stop模式下是正常供電的嗎？？
2019-01-15 08:19:38
請(qǐng)問(wèn)一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
的應(yīng)用場(chǎng)合。并口SRAM通常速度都比較快，應(yīng)用在很多高速場(chǎng)合，比如作為CPU的高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache），如下圖所示：SRAM處于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器金字塔的最頂端，在速度上，SRAM>DRAM
2020-06-17 16:26:14
各位大佬，請(qǐng)問(wèn)bootrom加載nand flash的spl，會(huì)解析頭部的字段嗎，比如magic check_sum和length？然后拷貝length長(zhǎng)度的代碼到sram再執(zhí)行？
2021-12-28 07:08:45
【鋰知道】鋰電池基本原理解析：充電及放電機(jī)制電池充電最重要的就是這三步：第一步：判斷電壓
2021-09-15 06:47:08
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制，來(lái)構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:10
45 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:32
8479 虛擬存儲(chǔ)器部件原理解析
2010-04-15 14:25:202909 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶(hù)可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。
2011-09-28 11:29:252637 問(wèn)題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？ 答：名詞解釋如下 DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式 SRAM--------靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器，
2012-11-13 15:08:223345 觸摸屏的應(yīng)用與工作原理解析
2017-02-08 02:13:1738 Linux MTD下獲取Nand flash 各個(gè)參數(shù)的過(guò)程的詳細(xì)解析
2017-10-30 08:38:527 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小。
2017-11-03 16:11:1211256 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（static RAM），簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設(shè)備中，常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）、FLASH（閃速存儲(chǔ)器）、DRAM（動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性
2017-11-16 10:19:550 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司
2017-12-02 11:08:3230767 常見(jiàn)存儲(chǔ)器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存儲(chǔ)器可以分為很多種類(lèi)，其中根據(jù)掉電數(shù)據(jù)是否丟失可以分為RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和ROM（只讀存儲(chǔ)器
2017-12-04 14:23:041862 使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路
2018-01-26 01:26:56656 
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050542 
隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫(xiě)速度快無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫(xiě)速度不佳。
2018-06-22 11:40:0011380 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122131 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類(lèi)：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能
2018-05-30 07:18:0019347 
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:479614 SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。
2019-12-17 07:06:002478 
DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485 它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 SRAM與DRAM相對(duì)比SRAM不需要通過(guò)刷新電路就能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則
2020-03-08 17:15:003527 
兼容，并且滿(mǎn)足各種應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)高性能和低成本的要求，XM8A51216也可以當(dāng)做異步SRAM使用，稱(chēng)為新型國(guó)產(chǎn)SRAM芯片也不為過(guò), XM8A51216是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM
2020-04-30 15:00:285833 SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開(kāi)表示0，并且狀態(tài)會(huì)保持到接收了一個(gè)改變信號(hào)為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會(huì)丟掉信息。SRAM的速度非?？?，通常能以20ns
2020-06-29 15:40:1212300 
速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲(chǔ)容量及基本特點(diǎn)。 半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲(chǔ)矩陣，譯碼驅(qū)動(dòng)電路和讀/寫(xiě)電路等等。 下面介紹幾個(gè)重要的概念： 讀寫(xiě)電
2020-07-16 14:07:445228 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 SRAM的S是Static的縮寫(xiě)，全稱(chēng)是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫(xiě)，全稱(chēng)是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場(chǎng)效應(yīng)管組成一個(gè)存儲(chǔ)bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0018044 
存儲(chǔ)器 IC 設(shè)計(jì)廠晶豪科技 （ESMT）昨日公開(kāi)表示，利基型 DRAM 與 NOR Flash 均已漲價(jià)。 晶豪科技指出，利基型 DRAM 部分價(jià)格已開(kāi)始調(diào)高，合約價(jià)方面則將從明年第一季起開(kāi)
2020-12-08 13:43:471630 
如若某一天，某種通用存儲(chǔ)器或殺手級(jí)存儲(chǔ)器將能夠同時(shí)替代SRAM，DRAM和閃存。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，雖然下一代存儲(chǔ)技術(shù)仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲(chǔ)器，但它們可以結(jié)合存儲(chǔ)器的傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)來(lái)滿(mǎn)足對(duì)利基市場(chǎng)的需求。
2020-12-24 17:20:38962 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級(jí)高速緩存。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存
2021-01-11 16:48:1819308 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，各種存儲(chǔ)器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲(chǔ)器主要有以下幾種類(lèi)型：靜態(tài)RAM（SRAM），動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，FLASH MEMORY。這里討論
2021-01-11 16:44:201714 01前言 STM32片上自帶FLASH和SRAM，簡(jiǎn)單講FLASH用來(lái)存儲(chǔ)程序的，SRAM是用來(lái)存儲(chǔ)運(yùn)行程序中的中間變量。本文詳細(xì)分析下如何查看程序中FLASH和SRAM的使用情況。 本文開(kāi)發(fā)工具
2021-04-09 17:53:027246 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供一文讀懂SRAM和DRAM資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-15 08:40:1416 前言：MCU中的SRAM和Flash相當(dāng)于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對(duì)比區(qū)別分類(lèi)SRAMFlash容量容量小容量大讀寫(xiě)速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價(jià)格高昂低廉
2021-10-25 13:36:0914 DRAM相比較來(lái)說(shuō)待機(jī)電流消耗較低，且其存取時(shí)間也比DRAM和閃存更短。為此,SRAM是公認(rèn)最適合使用在可穿戴產(chǎn)品上的.SRAM具備有更為快速、低功耗的功能。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機(jī)訪問(wèn)的優(yōu)點(diǎn)。 SRAM的類(lèi)型可按照以下進(jìn)行分
2021-10-28 16:17:171102 背景本篇文章將介紹一下ARM架構(gòu)的ARM-M系列單片機(jī)的flash以及ram，以及程序啟動(dòng)的邏輯。提前申明，本人所寫(xiě)的本文是汲取網(wǎng)上的知識(shí)以及自己的理解，如果哪里講的不對(duì)請(qǐng)廣大網(wǎng)友指正。本文先以
2021-12-02 10:21:134 史密斯圓圖和阻抗匹配原理解析
2022-11-02 20:16:231622 什么是晶振 晶振工作原理解析
2022-12-30 17:13:573726 
今天就帶你詳細(xì)了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說(shuō)明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲(chǔ)代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時(shí)候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51589 
元器件原理＜DRAM＞ 由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成 數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法 ＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞ 存儲(chǔ)單元
2023-07-12 17:29:08754 
mobile收入增長(zhǎng)及DDR5、HBM等出貨擴(kuò)大的推動(dòng)下，SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分別實(shí)現(xiàn)26.4%和48.9%的環(huán)比增長(zhǎng)
2023-09-05 16:13:32317 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08477 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論