有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
另
一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)
水平，
SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
的影響很小。體二極管的通電劣化一般認(rèn)為SiC-MOSFET存在稱為“體二極管的通電劣化”的故障模式。這是正向電流持續(xù)流過MOSFET的體二極管時，電子-空穴對的重新復(fù)合能量使稱為“堆垛層錯”的缺陷擴大
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
SiC MOSFET的價格調(diào)查?！ 〗Y(jié)論 硅IGBT在20世紀(jì)80年代對電力電子領(lǐng)域產(chǎn)生了巨大的積極影響，從那時起它一直是該行業(yè)的主力。下一項革命性技術(shù)將是SiC MOSFET。今天的SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET晶體管必須在較高的柵極電壓下工作，考慮到后者必須具有快速的dV / dt才能實現(xiàn)快速的開關(guān)時間。為了滿足下一代MOSFET的嚴(yán)格要求，RECOM推出了各種轉(zhuǎn)換器，專門為SiC MOSFET驅(qū)動器
2019-07-30 15:15:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
模塊。這些設(shè)計平臺目 前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器 的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準(zhǔn)。設(shè)計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅(qū)動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
相機、智能醫(yī)療視覺、智能駕駛等行業(yè)有著極大市場需求，英碼在視頻圖像技術(shù)上有著豐富的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗，基于多年對行業(yè)需求的深刻洞察，為行業(yè)打造了新一代AI ISP視頻處理產(chǎn)品和解決方案。英碼重磅推出新一代低
2022-06-07 15:12:36
導(dǎo)讀：日前，TDK公司宣布推出新一代PCB基板式開關(guān)電源--CUT75系列產(chǎn)品。CUT75系列新品是伴隨著市場對更輕薄、更高效率，更高性價比的三路輸出開關(guān)電源的需求而問世，為客戶系統(tǒng)的小型化
2018-09-27 15:24:27
新一代PON以及云數(shù)據(jù)中心的未來
2021-06-07 06:30:00
新一代軍用通信系統(tǒng)挑戰(zhàn)
2021-03-02 06:21:46
新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān)：靈活性與高性能至關(guān)重要各種各樣的數(shù)字設(shè)備進入到越來越多的家庭之中，如各種多媒體應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、語音與數(shù)據(jù)通信平臺，以及娛樂系統(tǒng)等。當(dāng)今消費者通常可在家中通過因特網(wǎng)寬帶連接獲得日益豐富
2009-10-05 09:18:53
在過去幾年里，一系列新的終端市場和應(yīng)用開始涌現(xiàn)，推動了對更高性能位置傳感器的需求。這在磁性位置傳感器 IC 領(lǐng)域尤為明顯，此類傳感器的供應(yīng)商已經(jīng)響應(yīng)市場的急切呼喚，開始推出新產(chǎn)品，專為快速發(fā)展
2020-08-10 06:01:54
新一代視頻編碼器怎么樣？
2021-06-02 06:39:01
本文介紹了歐勝微電子公司最新一代音頻數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)的架構(gòu)，專注于設(shè)計用于消費電子應(yīng)用中提供高電壓線驅(qū)動器輸出的新器件系列。
2019-07-22 06:45:00
芯訊通推出新款超小尺寸5G模組SIM8202G－M2
2020-12-18 06:51:55
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
近日，成都方舟微電子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，簡稱ARK)推出新一代250V MOSFET系列產(chǎn)品，包括N型MOS管、P型MOS管以及N-P對管
2011-04-15 11:51:00
現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。這也是FAI公司在MOSFET產(chǎn)品系列中，另一突破。俺是電子發(fā)燒友，有做MOSFET這一系列，歡迎大家多多討論。。。`
2012-04-28 10:21:32
，新一代基站設(shè)施成為二者競爭的焦點，同時Femtocell的發(fā)展?jié)摿σ参薋PGA和DSP廠商?！ ★w思卡爾是第一個向市場推出商用四核心DSP的廠商。飛思卡爾現(xiàn)在在市場上主推的產(chǎn)品是第二代四核DSP
2019-07-19 06:10:44
一個全球性的非盈利性行業(yè)組織促進國際電信聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化部門HomeGrid（ITU - T）今天宣布新一代有線家庭網(wǎng)絡(luò)G.hn標(biāo)準(zhǔn)化工作，G.hn技術(shù)已經(jīng)在向國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院（NIST）申請批準(zhǔn)
2012-03-09 09:58:46
一個全球性的非盈利性行業(yè)組織促進國際電信聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化部門HomeGrid（ITU - T）今天宣布新一代有線家庭網(wǎng)絡(luò)G.hn標(biāo)準(zhǔn)化工作，G.hn技術(shù)已經(jīng)在向國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院（NIST）申請批準(zhǔn)
2012-04-13 10:28:29
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業(yè)頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球?qū)τ诙际谢A(chǔ)建設(shè)、新能源、節(jié)能環(huán)保等方面的政策支持，擴大對于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進一步促進SiC/GaN功率元件的發(fā)展。
2022-08-12 09:42:07
此前幾個月，我們推出了新一代顯示處理器特別的預(yù)覽，代號為“Cetus”。當(dāng)時，我們已經(jīng)明確討論過該款顯示處理器可以為整體的圖形流水線和Mali多媒體家族（包括圖形，視頻和顯示處理器）所帶來的改善
2019-07-24 07:18:29
5.405億美元，年復(fù)合增長率(CAGR)超過18%。此外，IHS Markit的研究表明，預(yù)計SiC MOSFET器件到2025年將產(chǎn)生超過3億美元營收，幾乎達到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷SiC分立
2018-10-23 16:22:24
PLC新一代超小型控制器(LOGO！)的編程方法與操作
2020-04-07 09:00:02
STM32U599平衡圖顯性能與功耗的新一代產(chǎn)品，內(nèi)容包含： STM32U5x9 的高性能與高階圖形加速器 、STM32U5的矢量圖形 、STM32U5x9 的低功耗設(shè)計 、LPBAM - sensor hub等。
2023-09-05 07:21:11
Hiroaki Nishimoto表示：“我們非常榮幸地推出新一代智能IPTV機頂盒，新產(chǎn)品的智能功能和高性能可滿足IPTV服務(wù)和完美用戶體驗的技術(shù)要求。新一代StreamCruiser? SmartTV
2013-09-22 11:35:00
Hiroaki Nishimoto表示：“我們非常榮幸地推出新一代智能IPTV機頂盒，新產(chǎn)品的智能功能和高性能可滿足IPTV服務(wù)和完美用戶體驗的技術(shù)要求。新一代StreamCruiser? SmartTV
2013-11-08 10:36:06
導(dǎo)讀：這款眼鏡可以拍攝短視頻并分享到社交媒體上，在年輕用戶群體中有著不錯的人氣。
近日，據(jù)外媒報道，著名社交媒體公司Snap準(zhǔn)備推出旗下新一代Spectacles智能眼鏡，這款新品將
2018-12-02 09:23:05
全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）與專注于為互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心提供節(jié)能、可拓展系統(tǒng)解決方案的創(chuàng)新者 Virident 宣布共同開發(fā)和推出新一代存儲解決方案。專為
2019-07-23 07:01:13
近日，山特電子（深圳）有限公司（以下簡稱山特）宣布，將推出新一代城堡EX系列
2010-04-27 16:25:36
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關(guān)管以提高開關(guān)頻率，縮小設(shè)備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅(qū)動，望批準(zhǔn)！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點，根據(jù)這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進一步降低ROHM在行業(yè)中率先實現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
處理器共同推出米爾MYC-YD9360核心板及開發(fā)板，賦能新一代車載智能、電力智能、工業(yè)控制、新能源、機器智能等行業(yè)發(fā)展，滿足多屏的顯示需求。
2023-12-22 18:07:58
1、引言隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和社會的進步，移動通信技術(shù)正在經(jīng)歷著日新月異的變化。當(dāng)人們還在研究和部署第三代移動通信系統(tǒng)的同時，為了適應(yīng)將來通信的要求，國際通信界已經(jīng)開始著手研究新一代的移動通信系統(tǒng)
2019-07-17 06:47:32
。產(chǎn)品憑借優(yōu)異的性能、良好的品質(zhì)、靈活的應(yīng)用方案和強大的技術(shù)支持，已經(jīng)大批量出貨給國內(nèi)外知名客戶。圖4 比亞迪電池保護IC產(chǎn)品針對電池二級保護的實際需求，比亞迪推出新一代鋰電池二級保護方案。該二級保護方案
2015-12-30 18:23:07
12月7日下午，奇虎360特供機官方微博承認(rèn)將與諾基亞合作，推出新一代 360 特供機。諾基亞和奇虎 360安全衛(wèi)士官方微博也隨后轉(zhuǎn)發(fā)此微博，證實合作的可能性。奇虎360和諾基亞此次合作極為保密
2012-12-09 17:40:48
新一代數(shù)據(jù)中心有哪些實踐操作范例？如何去推進新一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展？
2021-05-25 06:16:40
自動化測試系統(tǒng)的設(shè)計挑戰(zhàn)有哪些？如何去設(shè)計新一代自動化測試系統(tǒng)？
2021-05-11 06:52:57
對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設(shè)計高性能門極驅(qū)動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
如何確保新一代車載網(wǎng)絡(luò)的性能和一致性？
2021-06-17 11:17:17
機器視覺傳感器供應(yīng)商康耐視公司推出了新一代Checker檢測傳感器。全新的Checker 200系列具備和Checker 101相同的使用簡易性，但是功能更為強大，而且憑借其小巧的尺寸幾乎可以
2018-10-26 16:27:01
德州儀器（TI）推出新一代KeyStone II架構(gòu)
2021-05-19 06:23:29
深圳比亞迪微電子有限公司嵌入式產(chǎn)品中心將在本屆慕尼黑電子展上隆重推出全新指紋識別芯片。該芯片打破了指紋識別技術(shù)中依賴于外部金屬環(huán)發(fā)射電信號的傳統(tǒng)，摒棄金屬環(huán)讓指紋識別模組的無金屬環(huán)技術(shù)方案成為現(xiàn)實
2016-03-14 16:26:25
電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認(rèn)證。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導(dǎo)入階段。
按照汽車行業(yè)的驗證周期維度來算，預(yù)估在1-2年后，就能看到國產(chǎn)
2024-01-19 14:55:55
電子已有兩款核心產(chǎn)品通過此項認(rèn)證。目前，芯塔電子1200V/80mΩ SiC MOSFET在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進入批量導(dǎo)入階段。
按照汽車行業(yè)的驗證周期維度來算，預(yù)估在1-2年后，就能看到國產(chǎn)
2024-01-19 14:53:16
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
斯巴魯近日宣布將從明年起運用其新一代EyeSight安全系統(tǒng)，并在10月2日首先透露了新一代產(chǎn)品的細節(jié)。
2020-08-26 07:28:47
國際主流CPU差距較大，無法適應(yīng)競爭激烈的芯片市場。為了追上國際一流水平，中科院計算所于2012年開始研制新一代龍芯架構(gòu)GS464E。2014年底使用GS464E核心的首款芯片3A-1500流片，預(yù)計
2015-05-08 10:52:52
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
小型化。然而，必須首先解決一個問題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機  
2010-01-13 17:18:57
，另一方面想要控制封裝溫度變化，最終目標(biāo)是創(chuàng)造新的可靠性記錄： 可靠性是現(xiàn)有技術(shù)水平5倍多; 高溫性能同樣大幅提升 能夠在攝氏200度或更高溫度環(huán)境中工作。專案將針對整合式SiC元件的特性優(yōu)化封裝方法
2019-06-27 04:20:26
損耗。最新的模塊中采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，損耗更低組成全SiC功率模塊的SiC-MOSFET在不斷更新?lián)Q代，現(xiàn)已推出新一代產(chǎn)品的定位–采用溝槽結(jié)構(gòu)的第3代產(chǎn)品
2018-12-04 10:11:50
部件過去是一個緩慢的過程，因此不可行，現(xiàn)在這種情況正在發(fā)生改變?！ ⊥ㄟ^新一代高端多核器件，飛思卡爾推出了 SRPG（狀態(tài)保持電源門控）概念。這種技術(shù)在掉電時不把模塊狀態(tài)存儲到外部存儲器，而是允許每個
2013-04-03 09:39:16
客戶的新一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計具備高性能、高可靠性和市場競爭力，ADI公司已決定開發(fā)各種硬件和軟件設(shè)計平臺，其既可用于評估IC，又可作為完整系統(tǒng)的構(gòu)建模塊。這些設(shè)計平臺目前針對戰(zhàn)略客戶而推出，代表了驅(qū)動
2018-10-22 17:01:41
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。這是士蘭微電子自主研發(fā)所推出的第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品
2011-03-28 09:20:22
1538 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。
2016-03-22 11:44:063151 2月27日，中國航空工業(yè)自主研制的新型長航時偵察打擊一體型多用途無人機系統(tǒng)——“翼龍”Ⅱ成功首飛?！耙睚垺雹蚴罪w成功代表我國大型察打一體型無人機已達到全球一流水平，也標(biāo)志著中國具備向海外市場交付新一代察打一體無人機航空外貿(mào)產(chǎn)品的能力，在全球航空裝備外貿(mào)中的競爭力升級。
2017-02-28 14:18:171085 茅臺集團提出了“智慧茅臺”的重要規(guī)劃，要實現(xiàn)“智慧茅臺”達到國內(nèi)一流水平。
2018-03-05 16:02:003286 近日，海南省正式印發(fā)《海南智能電網(wǎng)2019—2021年建設(shè)方案》（以下簡稱《方案》）?！斗桨浮诽岢?，海南省力爭到2021年基本建成安全、可靠、綠色、高效的省域智能電網(wǎng)，到2025年全面建成智能電網(wǎng)綜合示范省，到2030年推動全省電力營商環(huán)境達到世界一流水平。
2019-06-08 09:00:002524 羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S”公司）推出新一代R&S RTP高性能示波器，該示波器將高級信號完整性測量與高速的實時分析采集相結(jié)合。
2022-06-08 16:53:491346 隨著行車數(shù)據(jù)及多媒體信息的海量增長，匯頂科技新一代中大尺寸車載觸控賦能新一代智能座艙。匯頂科技繼大規(guī)模商用中小尺寸車規(guī)觸控芯片后，推出新一代車規(guī)觸控單芯片方案——GA687X，支持12.3到27英寸
2022-10-25 20:20:02757 2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
還發(fā)布了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅兼容15~18V驅(qū)動，而且比導(dǎo)通電阻下降25%，其損耗更低、成本更優(yōu)，綜合性能達到國際一流水平。
2023-12-25 18:42:34559 
長沙超算中心算力重歸國際一流水平 同時湖南公布2024年十大產(chǎn)業(yè)項目 長沙積極打造成全球研發(fā)中心城市；長沙產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，已經(jīng)形成新一代自主安全計算系統(tǒng)國家級先進制造業(yè)集群。 據(jù)湖南省政府工作報告數(shù)據(jù)
2024-01-25 16:04:02937 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29126 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5298 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 成功地研制出步距角精度可達到與HB型步進電機同等水平，專供直流無刷電機使用的高精度步距角控制系統(tǒng)。為多功能復(fù)合機等各大產(chǎn)品領(lǐng)域提供高效率、小型輕量化的新一代電機產(chǎn)品。研制出新一代控制技術(shù)——高精度步
2022-10-05 13:17:41
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