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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>新型非易失存儲器靜態(tài)損耗均衡算法

新型非易失存儲器靜態(tài)損耗均衡算法

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2014-04-25 11:05:59

鐵電存儲器的技術原理

而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導體存儲器可以分為兩類--性和性。性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲器的技術原理

而言,鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導體存儲器可以分為兩類--性和性。性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57

集成鐵電存儲器的MCU有何作用

的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度(允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內存與程序內存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:性,寫入速度快,無限次寫入,最關鍵是
2021-11-10 08:28:08

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復位,看門狗定時性事件計數(shù),可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

高速同步雙口靜態(tài)存儲器IDT70V9289電子資料

概述:IDT70V9289是一款高速同步雙口靜態(tài)存儲器(SRAM),可實現(xiàn)不同傳輸方式的雙路高速數(shù)據(jù)流的無損傳輸,它主要由I/O控制存儲器陣列、計數(shù)/地址寄存和一些邏輯電路組成。
2021-04-08 08:06:26

存儲器的分類及原理

存儲器的分類及原理,動態(tài)隨機存儲器,靜態(tài)隨機存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術.
2008-08-17 22:29:4320

提供電池備份的偽靜態(tài)存儲器-Provide Battery

本文主要介紹的是提供電池備份的偽靜態(tài)存儲器
2009-04-23 10:02:2621

隨機靜態(tài)存儲器低能中子單粒子翻轉效應

隨機靜態(tài)存儲器低能中子單粒子翻轉效應:建立了中子單粒子翻轉可視化分析方法,對不同特征尺寸(0.13~1.50μm)CMOS工藝商用隨機靜態(tài)存儲器(SRAM)器件
2009-10-31 14:23:4235

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟性CPLD,處理

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟性CPLD,處理EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟性CPLD,處理
2023-10-24 15:38:16

靜態(tài)移位寄存器組成的串行存儲器

靜態(tài)移位寄存器組成的串行存儲器
2009-12-04 17:23:14845

相變存儲器:能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

相變存儲器:能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器 從下面的幾個重要特性看,相變存儲器(PCM)技術均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求: 容量
2009-12-31 10:09:301115

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設計

本文基于AVR單片機擴展Flash存儲器和以太網(wǎng)控制器設計了一款嵌入式文件系統(tǒng),實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲存儲器使用的損耗均衡,為延長Flash存儲器的使用壽命提供研究方法。
2011-06-27 09:19:501836

新型的嵌入式存儲器測試算法[圖]

摘要: 針對目前嵌入式存儲器測試算法的測試效率與故障覆蓋率難以兼得的現(xiàn)狀,提出了兼顧二者的測試算法。實驗結果表明該算法最適合對存儲器進行大批量的測試。在測試效率上的優(yōu)勢很明顯,故障覆蓋率也能達到
2018-01-19 03:47:02919

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質特性對比

目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584

基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設計

基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設計(嵌入式開發(fā)產品)-該文檔為基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設計講解文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
2021-07-30 15:41:069

新型非易失存儲器硬件損耗均衡算法簡介

需要設計一些算法使得能對整個存儲器均衡的訪問,而不是僅僅去對幾個特定的區(qū)域持續(xù)寫入,將對某些塊的操作分布到整片存儲器上,實現(xiàn)各塊寫入的平衡,這類算法就稱為損耗均衡(wear leveling)算法。
2022-10-13 15:00:55688

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462548

國產鐵電存儲器SF25C20(MB85RS2MT)可用于微控制領域

嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制的設計。將鐵電存儲器添加到微控制中可以進行快速可靠的性數(shù)據(jù)存儲與處理,是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應用的性的理想選擇,例如傳感與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22

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