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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>新型非易失存儲器硬件損耗均衡算法簡介

新型非易失存儲器硬件損耗均衡算法簡介

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聊聊存儲器的相關(guān)知識

具有記憶功能。按照存儲介質(zhì)的特性,可以分“存儲器”和“非易失性存儲器”兩類。存儲器斷電后,里面存儲
2022-02-11 07:51:30

計算機(jī)的存儲器采用分級存儲體系的目的是什么

計算機(jī)硬件能直接執(zhí)行哪種語言?計算機(jī)的存儲器采用分級存儲體系的目的是什么?常用的虛擬存儲器由哪兩級存儲器組成?
2021-09-17 06:44:39

計算機(jī)組成原理(3)——存儲器 精選資料推薦

存儲器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲器)、磁表面存儲器....
2021-07-26 06:22:47

賽普拉斯存儲器的解決方案!

開發(fā)周期、長期供貨和最先進(jìn)技術(shù)。從便攜式電子產(chǎn)品到網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,賽普拉斯的存儲器系列產(chǎn)品總能提供相應(yīng)的存儲器方案:低功耗、異步、同步與性 SRAM,以及多端口 SRAM、FIFO 等。賽普拉斯提供完整
2020-09-01 19:40:50

鐵電存儲器FM18L08資料推薦

半導(dǎo)體公司推出的一種與SRAM相似但卻具有性的隨機(jī)存儲器,它沒有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問題,而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
2021-04-15 07:14:23

鐵電存儲器FM24C256在電能表中的使用概述

一. 概述:FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,擁有隨即存取記憶體和性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯(FRAM),容量為
2019-07-11 06:08:19

鐵電存儲器FRAM的結(jié)構(gòu)及特長

和閃存)結(jié)合起來。鐵電存儲器是一種特殊工藝的性的存儲器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜(Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37

鐵電存儲器的三個典型應(yīng)用

,擦寫次數(shù)低,寫數(shù)據(jù)功耗大等缺點(diǎn)。 鑒于以上情況,越來越多的設(shè)計者將目光投向了新型性鐵電存儲器(FRAM)。鐵電存儲器具有以下幾個突出的優(yōu)點(diǎn): i. 讀寫速度快。串口FRAM的時鐘速度可達(dá)
2014-04-25 11:05:59

鐵電存儲器的技術(shù)原理

鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09

鐵電存儲器的技術(shù)原理

鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57

集成鐵電存儲器的MCU有何作用

的寫入次數(shù)、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度(允許其通過軟件變更來完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:性,寫入速度快,無限次寫入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實(shí)時時鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時,性事件計數(shù),可鎖定的64位序列號區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟性CPLD,處理

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟性CPLD,處理EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時開啟性CPLD,處理
2023-10-24 15:38:16

相變存儲器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器

相變存儲器:能實(shí)現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器 從下面的幾個重要特性看,相變存儲器(PCM)技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求: 容量
2009-12-31 10:09:301115

Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計

本文基于AVR單片機(jī)擴(kuò)展Flash存儲器和以太網(wǎng)控制器設(shè)計了一款嵌入式文件系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲存儲器使用的損耗均衡,為延長Flash存儲器的使用壽命提供研究方法。
2011-06-27 09:19:501836

網(wǎng)絡(luò)存儲器簡介及應(yīng)用

網(wǎng)絡(luò)存儲器的概念簡介,以及網(wǎng)絡(luò)存儲器的應(yīng)用分析,本文進(jìn)行相關(guān)的介紹。
2011-11-03 16:40:581130

基于存儲熵的存儲負(fù)載均衡算法

在分布式存儲系統(tǒng)中,一般都是以磁盤空間利用率( DU)來判斷各存儲節(jié)點(diǎn)的負(fù)載均衡程度,當(dāng)所有節(jié)點(diǎn)的磁盤空間利用率相等時,是整個分布式存儲系統(tǒng)的存儲負(fù)載均衡點(diǎn)。但是在實(shí)際的應(yīng)用場景中,磁盤1/0速率
2017-11-29 15:36:540

新型的嵌入式存儲器測試算法[圖]

摘要: 針對目前嵌入式存儲器測試算法的測試效率與故障覆蓋率難以兼得的現(xiàn)狀,提出了兼顧二者的測試算法。實(shí)驗結(jié)果表明該算法最適合對存儲器進(jìn)行大批量的測試。在測試效率上的優(yōu)勢很明顯,故障覆蓋率也能達(dá)到
2018-01-19 03:47:02919

新型存儲器與傳統(tǒng)存儲器介質(zhì)特性對比

目前新型存儲器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584

基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設(shè)計

基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設(shè)計(嵌入式開發(fā)產(chǎn)品)-該文檔為基于硬件損耗均衡算法的片上norflash控制器設(shè)計講解文檔,是一份很不錯的參考資料,具有較高參考價值,感興趣的可以下載看看………………
2021-07-30 15:41:069

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來,市場對新興存儲器并不友善,盡管人們?nèi)匀幌M鎯?nèi)計算(copute in memory)能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器
2023-02-14 11:33:401484

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462548

國產(chǎn)鐵電存儲器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用

眾所周知,鐵電存儲器(FRAM)是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的性、隨機(jī)存取兩個特長的鐵電隨機(jī)存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上,不僅不需要備用電池,而且
2023-09-27 10:00:51

國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20(MB85RS2MT)可用于微控制領(lǐng)域

嵌入式鐵電存儲器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制中可以進(jìn)行快速可靠的性數(shù)據(jù)存儲與處理,是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的性的理想選擇,例如傳感與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22

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