NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
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材料用于RFFE的元器件制造，以及用于3D人臉識(shí)別的VCSEL和光電探測(cè)器。如今，在iPhone X的材料清單（BOM）中列出的約121顆器件中，約15顆器件是在150mm晶圓上制作的。這代表什么呢
2019-05-12 23:04:07
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:59 編輯
3.晶圓的處理—微影成像與蝕刻
2012-08-01 23:27:35
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
`3Q可控硅P管控制 半波輸出但是換N管控制，可控硅打開無(wú)法關(guān)閉。最后不得已換成4Q可控硅，請(qǐng)問(wèn)3Q可控硅怎么控制？？求高人指導(dǎo)，非常感謝?。。。。
2019-03-08 21:36:48
Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快
2022-01-26 07:56:35
1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因?yàn)槔脭?shù)據(jù)輸人輸出引腳（I／O 1 ～I(xiàn)／O 8 ），能夠以時(shí)分方式賦予數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲(chǔ)器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
感動(dòng)上游晶圓代工業(yè)者再次友情贊助，LCD驅(qū)動(dòng)IC及MOSFET芯片價(jià)格的調(diào)漲動(dòng)作已是勢(shì)在必行，臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商指出，第4季價(jià)格漲幅應(yīng)會(huì)在10%以上，而且，這已是公司先吸收不少晶圓生產(chǎn)成本的結(jié)果，后續(xù)不排除MOSFET芯片價(jià)格還會(huì)持續(xù)上升。
2020-10-15 16:30:57
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
**第一至第三章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位，存取周期為200ns，則存儲(chǔ)器的帶寬是多少？存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
大增的刺激下，市場(chǎng)前景的預(yù)期下，三星和英特爾同樣瞄準(zhǔn)了未來(lái)的晶圓代工，并且都積極投入研發(fā)費(fèi)用及資本支出，由此對(duì)MAX2321EUP臺(tái)積電造成威脅。但據(jù)資料顯示，去年全球半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)約年成長(zhǎng)5.1
2012-08-23 17:35:20
單恐不可避免，在客戶端可能面臨庫(kù)存調(diào)整之下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)下半年恐旺季不旺。 臺(tái)積電第2季營(yíng)收估達(dá)101至104億美元，季減2.04至季增0.87%，仍有機(jī)會(huì)續(xù)寫新猷，雙率也將續(xù)站穩(wěn)高檔；雖然客戶需求
2020-06-30 09:56:29
+ 4HNO3 + 6 HF? 3H2SiF6 +4 NO + 8H2O 拋光：機(jī)械研磨、化學(xué)作用使表面平坦，移除晶圓表面的缺陷八、晶圓測(cè)試主要分三類：功能測(cè)試、性能測(cè)試、抗老化測(cè)試。具體有如:接觸測(cè)試
2019-09-17 09:05:06
1965年在總結(jié)存儲(chǔ)器芯片的增長(zhǎng)規(guī)律時(shí)(據(jù)說(shuō)當(dāng)時(shí)在準(zhǔn)備一個(gè)講演)所使用的一份手稿。 “摩爾定律”通常是引用那些消息靈通人士的話來(lái)說(shuō)就是：“在每一平方英寸硅晶圓上的晶體管數(shù)量每個(gè)12月番一番。”下面
2011-12-01 16:16:40
之一。由于硅的物理性質(zhì)穩(wěn)定，是最常被使用的半導(dǎo)體材料，近年又研發(fā)出第 2 代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦，和第 3 代半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等。晶圓是用沙子做成的，你相信嗎？自然界中的硅，通常是
2022-09-06 16:54:23
效率高，它以圓片形式的批量生產(chǎn)工藝進(jìn)行制造，一次完成整個(gè)晶圓芯片的封裝大大提高了封裝效率。 2）具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點(diǎn)，即輕，薄，短，小。封裝尺寸接近芯片尺寸，同時(shí)也沒有管殼的高度限制。 3）封裝芯片
2021-02-23 16:35:18
我們想要描述SMA連接器和尖端之間的共面晶圓探針。我們正在考慮使用“微波測(cè)量手冊(cè)”第9.3.1節(jié)中的“使用單端口校準(zhǔn)進(jìn)行夾具表征”。我們將使用ECAL用于SMA側(cè)，并使用晶圓SOL終端用于探頭側(cè)
2019-01-23 15:24:48
`晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結(jié)束后，晶圓的表面會(huì)形成許多格狀物，成為晶格。經(jīng)過(guò)切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預(yù)留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
Plane）：圖中的剖面標(biāo)明了器件下面的晶格構(gòu)造。此圖中顯示的器件邊緣與晶格構(gòu)造的方向是確定的。（6）晶圓切面／凹槽（Wafer flats／notche）：圖中的晶圓有主切面和副切面，表示這是一個(gè) P 型 晶向的晶圓（參見第3章的切面代碼）。300毫米晶圓都是用凹槽作為晶格導(dǎo)向的標(biāo)識(shí)。
2020-02-18 13:21:38
字需要 2 字節(jié)對(duì)齊。ARM920T 體系結(jié)構(gòu)將存儲(chǔ)器看成是從零地址開始的字節(jié)的線性組合。從 0字節(jié)到 3字節(jié)放 置第 1個(gè)存儲(chǔ)的字?jǐn)?shù)據(jù)，從第 4個(gè)字節(jié)到第 7個(gè)字節(jié)放置第 2個(gè)存儲(chǔ)的字?jǐn)?shù)據(jù)，依次排列
2019-09-27 09:37:35
萊迪思半導(dǎo)體公司 Sid Mohanty: EDN ChinaDDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求
2019-05-24 05:00:34
DDR3存儲(chǔ)器接口控制器是什么？有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-04-30 06:57:16
STM32學(xué)習(xí)筆記（7）——DMA直接存儲(chǔ)器訪問(wèn)一、DMA簡(jiǎn)介二、DMA功能框圖1. DMA請(qǐng)求2. 通道3. 仲裁器二、DMA的結(jié)構(gòu)體定義和庫(kù)函數(shù)定義1. DMA初始化結(jié)構(gòu)體2. DMA庫(kù)函數(shù)3
2022-01-26 07:54:39
貨力道強(qiáng)，月底前不會(huì)跌價(jià)。全球DRAM業(yè)式微，NAND Flash成主流，金士頓等國(guó)內(nèi)記憶體模塊業(yè)去年起皆將重心轉(zhuǎn)至Nand flash產(chǎn)品線。蘇治源表示，Kingston目前在全球DRAM模塊市占穩(wěn)
2022-02-10 12:26:44
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
KF432C16BBAK2/64金士頓內(nèi)存條KF432C16BBAK4/128訴求缺貨的存儲(chǔ)器族群，今年以來(lái)漲勢(shì)凌厲，存儲(chǔ)器模塊龍頭金士頓(Kingston)的DRAM及NAND Flash模塊更是
2022-02-11 14:02:48
(EMIF) 的顯著改進(jìn)。KeyStone 架構(gòu)能夠以 1333MT/s以上的速率支持高性能 DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)器。雖然總線能配置成 16 或 32 位（為節(jié)省面板空間和功耗），但其實(shí)際支持的總線
2011-08-13 15:45:42
受惠背光市場(chǎng)的備貨效應(yīng)，以及商業(yè)照明訂單大量釋出，LED訂單需求能見度可望延續(xù)至第2季，由于旺季效應(yīng)加溫，晶電、隆達(dá)、東貝等可望受惠。晶電副總張世賢表示，第2季為L(zhǎng)ED傳統(tǒng)旺季，晶電訂單大幅增加
2013-04-22 17:48:33
一個(gè)64M Nand flash存儲(chǔ)器與S3C2410處理器的Nand flash相應(yīng)接口連接，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)64M存儲(chǔ)空間是否屬于8個(gè)bank中的一個(gè)bank？因?yàn)橛行险f(shuō)bank 0到bank 7
2012-11-20 21:41:20
地址和各種存儲(chǔ)器類型一、存儲(chǔ)器類型思維導(dǎo)圖如圖所示：二、探究S3C2440啟動(dòng)地址1.為什么nand啟動(dòng)地址是4096？指令：ldr sp, = 4096因?yàn)镾3C2440的nand控制器會(huì)自動(dòng)把nand flash中前4K代碼數(shù)據(jù)搬到內(nèi)部SRAM（0x4000,0000）中，同時(shí)還把這塊S..
2022-02-15 07:30:08
STM32 存儲(chǔ)器一 存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32
STM32的存儲(chǔ)器、電源和時(shí)鐘體系-第3季第2部分視頻課程 互聯(lián)網(wǎng)課程品牌《...
2021-08-03 06:55:48
體驗(yàn)，贏得歐美原廠、業(yè)內(nèi)專家和廣大客戶的一致好評(píng)。第一季的成功舉辦，讓SouVR積累了更多經(jīng)驗(yàn)和資源，為SouVR 3D/VR產(chǎn)品展示季【第二季】打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；顒?dòng)于2009年4月1日開始，屆時(shí)將有更多
2009-03-25 15:06:02
行自定義。如圖，是Cortex-M3存儲(chǔ)器映射結(jié)構(gòu)圖。 Cortex-M3是32位的內(nèi)核，因此其PC指針可以指向2^32=4G的地址空間，也就是0x0000_0000——0xFFFF_FFFF這一
2018-08-14 09:22:26
最慢，壽命也最短(約1000次擦寫)。目前市面上基于Nand flash的存儲(chǔ)器，如sd卡、u盤等大多為MLC型，但對(duì)于高容量Nand存儲(chǔ)器，如64G以上sd卡等，很有可能為TLC型Nand flash
2015-07-26 11:33:25
世界首款3D芯片工藝即將由無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個(gè)示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個(gè)縱向晶體管的記憶存儲(chǔ)單元。該芯片由韓國(guó)國(guó)家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
東莞樟木頭回收呆滯晶振 個(gè)人存儲(chǔ)器收購(gòu)科啟達(dá)電子專業(yè)回收各種庫(kù)存電子呆料，通信模塊，貼片三極管，電感，開關(guān)，發(fā)廣管，電源Ic，通信模塊，高頻管，濾波器，晶振，光藕，集成電路，MOS管，保險(xiǎn)絲
2021-10-30 17:11:40
這個(gè)是譯碼法來(lái)選擇片外的存儲(chǔ)器，用三根線可以選擇8個(gè)8KB的片外存儲(chǔ)器（8*8=64KB），但是要是把64KB的存儲(chǔ)地址分配給4KB的存儲(chǔ)器，為什么需要4根高位地址線，求專家詳解
2018-12-18 14:38:17
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
機(jī)能都被檢測(cè)到。晶圓測(cè)試也就是芯片測(cè)試（die sort）或晶圓電測(cè)（wafer sort）。 在測(cè)試時(shí)，晶圓被固定在真空吸力的卡盤上，并與很薄的探針電測(cè)器對(duì)準(zhǔn)，同時(shí)探針與芯片的每一個(gè)焊接墊相接觸（圖
2011-12-01 13:54:00
,TSOP 48封裝， 12*20mm。 4、穩(wěn)定性，CS創(chuàng)世 SD NAND的控制器是最新，內(nèi)部是SLC NAND。tSD/qSD內(nèi)部是TLC NAND Flash晶圓，只適合對(duì)價(jià)格很敏感的消費(fèi)類
2022-06-09 14:46:21
的專業(yè)工藝，包括：0.18um邏輯、混合信號(hào)、模擬、高電壓、嵌入式存儲(chǔ)器和其他工藝。世界先進(jìn)目前擁有兩座八吋晶圓廠，平均每月約產(chǎn)出110,000片晶圓。 Top7 Dongbu，收入4.95億美元，同比
2011-12-01 13:50:12
近期整理和搜集了一些工程師們?cè)趩纹瑱C(jī)（主要是一些主流的STM32，全志V3S等等單片機(jī)上的應(yīng)用）上面使用SD NAND的一些資料，在這里也跟大家分享一下 SD NAND這款芯片存儲(chǔ)的功能和亮點(diǎn)。簡(jiǎn)單
2019-04-03 16:42:14
?。?）雙極型存儲(chǔ)器特點(diǎn)：運(yùn)算速度比磁芯存儲(chǔ)器速度約快 3個(gè)數(shù)量級(jí)，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡(jiǎn)化?！ 。?）MOS晶體管存儲(chǔ)器特點(diǎn)：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低
2020-12-25 14:50:34
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
/UploadFiles/2010-05/huqin/125354514528.jpg][/url](圖4)3、存儲(chǔ)器的選片及總線的概念至此，譯碼的問(wèn)題解決了，讓我們?cè)賮?lái)關(guān)注另外一個(gè)問(wèn)題。送入每個(gè)單元的八根線是用從什么地方
2018-06-12 10:35:10
空間的程序設(shè)計(jì)。以上的程序設(shè)計(jì)測(cè)試代碼分別如下：3設(shè)計(jì)分析本文設(shè)計(jì)的單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展板主要使用的擴(kuò)展方法是向鎖存器里存放數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片選地址和存儲(chǔ)單元塊選地址。為了擴(kuò)展數(shù)據(jù)容量達(dá)8MB的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，采用了16
2018-07-26 13:01:24
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
，擴(kuò)大利基產(chǎn)品量產(chǎn)規(guī)模與提高寬能隙產(chǎn)品的比重，希望今年能達(dá)全年獲利的目標(biāo)。缺貨潮延續(xù)已超半年交貨期大幅拉長(zhǎng)2017年以來(lái)，全球半導(dǎo)體行業(yè)刮起的缺貨風(fēng)潮正在擴(kuò)大范圍，從存儲(chǔ)器、硅晶圓一路擴(kuò)展到
2018-06-13 16:08:24
面對(duì)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)供給日益吃緊，大廠都紛紛開始大動(dòng)作出手搶貨了。前段時(shí)間存儲(chǔ)器大廠韓國(guó)三星亦到中國(guó)***地區(qū)擴(kuò)充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
的變化。 需求不足跌價(jià)成必然2018年NAND閃存之所以大降價(jià)，一個(gè)關(guān)鍵原因就是64層堆棧的3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)了從32層／48層堆棧到64層堆棧的飛躍，使得NAND閃存每GB成本降至8美分
2021-07-13 06:38:27
萊迪思半導(dǎo)體公司 Sid Mohanty: EDN ChinaDDR3存儲(chǔ)器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過(guò)去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲(chǔ)器器件有了一些新的要求
2019-05-27 05:00:02
寬度為16位;當(dāng)PRGW引腳為高電平時(shí)程序存儲(chǔ)器寬度為32位。 STRBO和STRBl各為一組訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的選通信號(hào)，各有4個(gè)信號(hào)引腳(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2
2019-06-14 05:00:08
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
DDR3存儲(chǔ)器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個(gè)特定的FPGA系列LatticeECP3實(shí)現(xiàn)DDR3存儲(chǔ)器控制器。
2021-04-30 07:26:55
的工作時(shí)鐘頻率。然而，設(shè)計(jì)至DDR3的接口也變得更具挑戰(zhàn)性。在FPGA中實(shí)現(xiàn)高速、高效率的DDR3控制器是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。直到最近，只有少數(shù)高端（昂貴）的FPGA有支持與高速的DDR3存儲(chǔ)器可靠接口的塊
2019-08-09 07:42:01
如何讀取ErOM或程序存儲(chǔ)器W/MPLAB X IDE和PICTIT3？我必須恢復(fù)到MPLAB IDE并連接到PICTIT3來(lái)讀取芯片ErOM。
2020-04-07 14:17:19
`據(jù)***媒體報(bào)道，全球12吋硅晶圓缺貨如野火燎原，不僅臺(tái)積電、NAND Flash存儲(chǔ)器廠和大陸半導(dǎo)體廠三方人馬爭(zhēng)相搶料，加上10納米測(cè)試晶圓的晶棒消耗量大增，臺(tái)積電為鞏固蘋果（Apple
2017-02-09 14:43:27
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
Mobile DRAM、服務(wù)器DRAM、消費(fèi)型電子用利基型DRAM等第二季合約價(jià)也全面大漲1成以上，其中，服務(wù)器DRAM價(jià)格漲幅最大已逼成2成，利基型DRAM價(jià)格可望調(diào)漲15~20%。受惠于各應(yīng)用規(guī)格DRAM
2017-06-13 15:03:01
招聘6/8吋晶圓測(cè)試工藝工程師/主管1名工作地點(diǎn)：無(wú)錫工資：面議要求：1. 工藝工程師：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)3年以上，工藝主管：晶圓測(cè)試經(jīng)驗(yàn)5年以上；2. 精通分立器件類產(chǎn)品晶圓測(cè)試，熟悉IC晶圓測(cè)試尤佳
2017-04-26 15:07:57
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
`武漢回收高端晶振 存儲(chǔ)器IC收購(gòu)公司科啟達(dá)專業(yè)電子回收18年，價(jià)高同行，誠(chéng)信報(bào)價(jià)(專業(yè)高價(jià)回收，價(jià)格更理想) 有貨的老板可以報(bào)來(lái)問(wèn)價(jià)科啟源長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)德州TI,AD系列,鎂光，仙童，等集成IC
2021-02-25 14:22:10
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
在3D打印機(jī)上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬(wàn)次隨機(jī)掉電測(cè)試。解決TF卡在3D打印機(jī)上常讀寫錯(cuò)誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲(chǔ)器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲(chǔ)器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲(chǔ)器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
Linux將虛擬存儲(chǔ)器高端的1/4留給內(nèi)核，剩下3/4全留給用戶進(jìn)程。虛擬存儲(chǔ)器上中的程序主要由以下幾個(gè)重要組成部分：
2019-08-07 07:00:01
`西安回收存儲(chǔ)器IC 回收存儲(chǔ)器IC庫(kù)存呆料 *** QQ122149901 深圳藍(lán)微興電子公司長(zhǎng)期高價(jià)回收一切電子元件專業(yè)致力于工廠和個(gè)人積壓庫(kù)存(1) 回收電子元件: IC:K9F系列FLASH
2020-04-10 11:48:13
`鄭州市收購(gòu)存儲(chǔ)器IC 找回收購(gòu)晶振的公司科啟源電子長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)電子料，誠(chéng)信收購(gòu)廠家處理積壓電子料收購(gòu)工廠積壓電子呆料，收購(gòu)貼片電容，收購(gòu)貼片鉭電容，收購(gòu)貼片電解電容，收購(gòu)貼片二三極管，收購(gòu)貼片
2020-09-02 09:58:48
如圖 2 所示，DINOR閃速存儲(chǔ)器如圖 3 所示，AND閃速存儲(chǔ)器單元的結(jié)構(gòu)如圖 4 所示。市場(chǎng)上銷售的閃速存儲(chǔ)器基本上就是NOR及NAND兩種，其中只有NAND閃速存儲(chǔ)器的單元是串聯(lián)的，其他所有類型
2018-04-09 09:29:07
記憶。浮置柵被設(shè)計(jì)成可以存儲(chǔ)電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進(jìn)行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長(zhǎng)時(shí)間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲(chǔ)器將失去
2018-04-10 10:52:59
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 提出一種適用于未來(lái)高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:41
16 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 存儲(chǔ)器大廠南亞科5日公布7月份營(yíng)收，受惠存儲(chǔ)器跌價(jià)收斂，市場(chǎng)需求增溫，以及日韓貿(mào)易戰(zhàn)效應(yīng)，拉抬存儲(chǔ)器價(jià)格進(jìn)一步回溫的情況下，營(yíng)收金額達(dá)到45.76億元（新臺(tái)幣，下同），較6月份的48.86億元成長(zhǎng)
2019-08-06 11:33:432499 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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