親愛的社區(qū)，我有幾個(gè)關(guān)于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認(rèn)啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內(nèi)核啟動 A53 內(nèi)核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
接下來宇芯電子介紹關(guān)于SRAM靈敏放大器的原理。在SRAM 中，讀操作開始前，先要對兩條位線進(jìn)行預(yù)充電，將兩條位線初始化為相同的高電平。預(yù)充完后，字線選中的存儲單元對位線進(jìn)行充放電。存儲單元尺寸很小
2020-05-09 17:39:15
介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況：standby（空余），read（讀）和write（寫）。
2020-12-28 06:17:10
我沒有在當(dāng)前文檔中找到明確的答案：兩個(gè)內(nèi)核同時(shí)訪問 SRAM 是如何處理的？內(nèi)部 SRAM 是雙端口的（我的意思是兩個(gè)內(nèi)核可以在沒有額外等待狀態(tài)的情況下尋址和訪問同一個(gè) SRAM），還是存在某種仲裁
2023-03-01 06:49:21
接上一個(gè)部分繼續(xù)說，兩片SRAM乒乓送顯的意思就是，SRAM1發(fā)送數(shù)據(jù)的時(shí)候，SRAM2儲存數(shù)據(jù)。而當(dāng)SRAM2送數(shù)據(jù)的時(shí)候，SRAM1儲存數(shù)據(jù)。這樣做的好處就是降低了數(shù)據(jù)傳送的壓力，速度減少為原來
2014-03-26 10:14:48
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下
2019-04-16 09:20:18
的通路，稱為位線。每一個(gè)存儲單元都能通過選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲器的讀操作分析。 圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲單元讀操作分析存儲單元的讀操作是指被
2020-04-29 17:27:30
1、第一個(gè)圖中的由CPLD傳來的信號存儲到SRAM中，但是SRAM之后沒有連接別的芯片，信號一直待在存儲器里嗎，這個(gè)SRAM存儲器有什么用？。2、第二個(gè)圖中的SRAM存儲器連接在CPLD和USB芯片之間，起到信號暫存的作用，很好理解。兩種CPLD和SRAM的連接方式有什么區(qū)別？求解答謝謝大佬們
2020-04-01 17:45:39
關(guān)于HFSS軟件的使用介紹HFSS軟件的使用關(guān)鍵有兩點(diǎn)：激勵施加和邊界設(shè)定，都在一個(gè)窗口下完成 務(wù)必楚wave port terminal port的區(qū)別以及三根line的區(qū)別，合理施加 對于
2009-12-22 17:14:01
的全面推廣和普遍應(yīng)用將是不可逆轉(zhuǎn)的趁勢，這也給RFID測試領(lǐng)域帶來了巨大的需求和嚴(yán)峻的
挑戰(zhàn)。負(fù)責(zé)制訂RFID標(biāo)準(zhǔn)的
兩大主要國際組織ISO和EPCglobal都針對RFID協(xié)議一致性測試及其系統(tǒng)設(shè)計(jì)發(fā)布了相關(guān)的規(guī)范?！?/div>
2019-06-04 08:17:09
方案，可以使SRAM保持良好的性能，并最終能夠?qū)⒏嗟木w管封裝到集成電路中。而且還能降低導(dǎo)線電阻和延遲，提高SRAM的執(zhí)行速度。 SRAM由6個(gè)晶體管組成，控制讀寫的兩條連線被稱為位線和字線，是兩
2020-05-11 15:40:48
關(guān)于藍(lán)牙與WiFi共處技術(shù)的介紹
2021-05-28 07:21:14
現(xiàn)代高級雷達(dá)系統(tǒng)正在受到多方面的挑戰(zhàn)——頻率分配上的最新變化導(dǎo)致許多雷達(dá)系統(tǒng)的工作頻率非常接近通信基礎(chǔ)設(shè)施和其他頻譜要求極高的系統(tǒng)。
2019-07-22 07:50:19
說起LED照明驅(qū)動芯片，首先，我們來了解LED照明驅(qū)動芯片的分類。LED照明驅(qū)動芯片它主要可分為通用芯片和專用芯片兩種。通用芯片一般用于LED顯示屏的低端產(chǎn)品，如戶內(nèi)的單、雙色屏等。由于led是電流
2015-05-26 16:10:52
malloc申請。 小白我看了一下，一個(gè)是flash.ld文件，該文件有堆棧的相關(guān)配置，另一個(gè)是通過項(xiàng)目屬性-》Toolchain-》ARM/GNU Linker下有關(guān)于Memory Settings的設(shè)置。 目的：通過配置，程序中所有的malloc申請的空間自動分配到外部SRAM空間請大家多多指教！謝謝
2018-01-09 13:51:48
有個(gè)關(guān)于stm32用FSMC讀寫SRAM的任務(wù)，看了一點(diǎn)資料后，還是有點(diǎn)不明白的地方?，F(xiàn)在假設(shè)我已經(jīng)調(diào)用FSMC_SRAM_Init()初始化完成了?，F(xiàn)在我的問題是，怎樣使用外部SRAM呢？是不是
2015-11-26 18:55:51
為什么要使用thumb模式，與ARM相比較，Thumb代碼的兩大優(yōu)勢是什么？
2022-11-02 14:17:55
伺服電機(jī)分為交流伺服和直流伺服兩大類。交流伺服電機(jī)的基本構(gòu)造與交流感應(yīng)電動機(jī)(異步電機(jī))相似。在定子上有兩個(gè)相空間位移90°電角度的勵磁繞組Wf和控制繞組WcoWf，接恒定交流電壓，利用施加到Wc上
2021-06-28 09:45:02
單片機(jī)最小系統(tǒng)電路包括哪兩大類
2023-10-31 07:28:49
存取電路的不同，目前大 致可以將 SRAM 單元分為上述三種端口的類型，下面分別介紹這些單元的結(jié)構(gòu)。 圖 1 SRAM單元基本結(jié)構(gòu) 單端口 SRAM根據(jù)圖1中反相器的不同，單端口SRAM單元有電阻負(fù)載型
2020-07-09 14:38:57
RT-Thread操作系統(tǒng)組件，請移步到《基于 STM32CubeMX 添加 RT-Thread 操作系統(tǒng)組件(一）- 詳細(xì)介紹操作步驟》文章閱讀。好了，喝杯茶先^_^，繼續(xù)前行。上一篇介紹關(guān)于《單線程SRAM動態(tài)內(nèi)存如何使用》...
2021-08-24 06:57:57
上一篇文章，我們只是粗略地介紹了一下吸波材料的類型和與吸波原理相關(guān)的知識。那么您可能會問：吸波材料為什么會吸收電磁波？在接下來的文章中，我們會向您較詳細(xì)地介紹吸波材料的兩大類吸波機(jī)制。今天我們向您
2019-07-01 08:12:47
設(shè)計(jì)的SRAM單元中。由于SRAM是易失性的，因此需要在啟動時(shí)對其進(jìn)行配置。有兩種編程模式：主模式和從模式。SRAM存儲單元如圖9.4所示。圖9.4 SRAM單元在主模式下，F(xiàn)PGA從外部源讀取可配置數(shù)據(jù)
2022-10-27 16:43:59
本文介紹多點(diǎn)電容觸摸屏設(shè)計(jì)有哪些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，和如何使用TTSP方案來幫助設(shè)計(jì)者面對這些挑戰(zhàn)，使多點(diǎn)電容觸摸屏設(shè)計(jì)比以往更容易。
2021-04-06 09:05:59
，它連接到兩個(gè)SRAM?？紤]到PCB布局的困難（因?yàn)槲覀兪褂玫氖?12k x 36個(gè)SRAM - 每個(gè)SRAM有36條數(shù)據(jù)線和19條地址線），建議兩個(gè)SRAM具有相同的時(shí)鐘頻率，但有兩個(gè)IO。請幫助我們繼續(xù)最近的方法。我需要輸入這些用于FPGA實(shí)現(xiàn)以及PCB上的布線。
2020-08-27 07:38:50
各位高手， 我現(xiàn)在碰到一個(gè)大問題： 我用ucgui做畫面 。現(xiàn)在STM32的SRAM不夠用了 ，所以想外擴(kuò)SRAM。但是我現(xiàn)在有一個(gè)問題，就是外擴(kuò)之后，如何把外擴(kuò)的SRAM用上？還是在GUICconf.h文件里進(jìn)行定義么？這樣直接把GUI_ALLOC_SIZE的值改掉可以么？ 希望各位前輩指教！
2019-04-22 23:53:45
完整的小車控制程序，包括上位機(jī)和下位機(jī)兩大部分attach://147399.rar
2013-07-20 09:31:30
。標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)有兩大體系，RISC處理器和CISC處理器體系。嵌入式主板分為比較常見的兩大類：1、基于X86的嵌入式主板，Intel的X86 處理器就屬于CISC體系，(一般使用INTEL、AMD、威盛、或其他產(chǎn)家的...
2021-12-16 06:41:20
本文將重點(diǎn)介紹常規(guī)示波器驗(yàn)證過程中所遭遇的挑戰(zhàn)，以及MSO如何應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。
2021-04-14 06:21:59
都采用數(shù)字處理信號鏈、更高采樣頻率以及朝著便攜式的 方向發(fā)展。在這些新型的超聲系統(tǒng)中需要顯示3D乃至4D的高質(zhì)量彩色圖像。隨著超聲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)的復(fù)雜化，如何應(yīng)對現(xiàn)代超聲成像的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)呢？兩大FPGA
2009-09-17 14:52:33
本文介紹在智能手機(jī)中實(shí)現(xiàn)環(huán)境光感測遇到的主要挑戰(zhàn)，以及如何克服這些挑戰(zhàn)，以實(shí)現(xiàn)背光燈更高的反應(yīng)靈敏度，并能精確地根據(jù)環(huán)境光來調(diào)整背光亮度。
2021-03-08 07:25:33
誰來闡述一下電感式傳感器可分為哪兩大類？
2019-11-18 15:14:40
癌細(xì)胞生長速度比一般人快24倍；我國每年出生的2000萬兒童中，有35萬為缺陷兒，其中25萬為智力殘缺，有專家認(rèn)為，電磁輻射是影響因素之一因此，電磁輻射問題越來越受到世界各國的普遍重視。高爾生教授在他的《空調(diào)使用對***質(zhì)量的影響》中指出，電磁輻射對人體的危害，表現(xiàn)為熱效應(yīng)和非熱效應(yīng)兩大方面。
2019-05-31 06:45:55
能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？
2023-04-28 07:00:20
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
在C6655的memory map summary中這兩個(gè)地址有什么區(qū)別00800000 008FFFFF1M Local L2 SRAM10800000 108FFFFF1M CorePac0 L2 SRAM還是對于單核來說就是一樣的東西，而是使用的場合不一樣？
2018-07-24 08:10:12
盡管靜態(tài)RAM和鐵電RAM可以有完全不同的用途，但是隨著SPI等標(biāo)準(zhǔn)接口的出現(xiàn)，這些技術(shù)在功能上有很大的重疊。本篇詳細(xì)介紹了用FRAM替換SRAM時(shí)需要考慮的因素 FRAM注意事項(xiàng)FRAM與SRAM
2020-10-16 14:34:37
SRAM兩大問題挑戰(zhàn)
2021-02-25 07:17:51
SRAM的簡單的讀寫操作教程
SRAM的讀寫時(shí)序比較簡單，作為異步時(shí)序設(shè)備，SRAM對于時(shí)鐘同步的要求不高，可以在低速下運(yùn)行，下面就介紹SRAM的一次讀寫操作，在
2010-02-08 16:52:39
140 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:32
8479 SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲矩陣（又稱存儲體）、地址譯碼器和讀/寫電路 3 部分組成。存儲矩陣是存儲
2010-03-24 16:28:393895 室內(nèi)LED照明設(shè)計(jì)需解決的三大問題
室內(nèi)LED照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)碰到的第一大挑戰(zhàn)就是如何才能以廉價(jià)、節(jié)能和有效的方法將LED芯片發(fā)出的熱
2010-04-21 08:57:01741 本文介紹使用Cypress的PSoC3 UDB實(shí)現(xiàn)對異步SRAM的讀寫控制，并以CY7C1069AV33 SRAM為例介紹其軟硬件設(shè)計(jì)過程。
2011-12-20 16:52:4242 關(guān)于AD的一般性介紹
2017-10-18 14:23:1612 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，功耗較小。
2017-11-03 16:11:1211256 這種被稱為 太赫茲 微芯片 可以使我們的計(jì)算機(jī)和所有的光學(xué)通信設(shè)備能夠以更快的速度來運(yùn)行。 到目前為止，兩大挑戰(zhàn)阻礙了太赫茲微芯片的制造，即過熱和可擴(kuò)展性。
2018-03-30 11:27:012844 本文主要介紹了國內(nèi)的制造業(yè)會面臨的八大問題以及MES的應(yīng)對措施。
2018-06-04 08:00:005 可穿戴設(shè)備發(fā)展到現(xiàn)在，產(chǎn)品上出現(xiàn)了兩大挑戰(zhàn)。
2018-07-10 08:37:423743 SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
2019-04-01 16:28:479614 產(chǎn)業(yè)需要克服兩大挑戰(zhàn)，即是科技與獲利的商業(yè)模式。
2019-07-17 11:39:551250 答復(fù)。 在制作過程中，工程部發(fā)現(xiàn)了制作三層絕緣線UU共模電感的2大問題。 1、三層絕緣線的線徑比漆包線的線徑粗，很難掛線。例如：如果漆包線使用0.6mm的線徑，三層絕緣線就需要使用0.75mm的線徑，掛線就很困難。? 2、繞制三層絕緣
2021-06-29 15:15:43856 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:132878 
微處理器的優(yōu)勢，改善處理器性能有著積極的意義。另一個(gè)是降低功耗，以適應(yīng)蓬勃發(fā)展的便攜式應(yīng)用市場。英尚微電子介紹關(guān)于SRAM讀寫中寫操作分析。 SRAM寫操作分析 寫操作與讀操作正好相反，它要使存儲單元的狀態(tài)按照寫入的數(shù)據(jù)進(jìn)行相應(yīng)的翻轉(zhuǎn)
2020-04-30 14:58:021446 
SRAM它也由晶體管組成。接通代表1，斷開表示0，并且狀態(tài)會保持到接收了一個(gè)改變信號為止。這些晶體管不需要刷新，但停機(jī)或斷電時(shí)，它們同DRAM一樣，會丟掉信息。SRAM的速度非常快，通常能以20ns
2020-06-29 15:40:1212300 
速CPU和較低速DRAM之間的緩存.SRAM也有許多種，如Async SRAM（異步SRAM）、Sync SRAM（同步SRAM）等。下面英尚微電子解析關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點(diǎn)。 半導(dǎo)體隨機(jī)存儲器芯片內(nèi)集成有記憶功能的存儲矩陣，譯碼驅(qū)動電路和讀/寫電路等等。 下面介紹幾個(gè)重要的概念： 讀寫電
2020-07-16 14:07:445228 
cpu與其周邊控制器等類似需要直接訪問存儲器或者需要隨機(jī)訪問緩沖器之類的器件之間進(jìn)行通信的情況。下面專注于代理銷售sram芯片，PSRAM等存儲芯片供應(yīng)商介紹關(guān)于雙端口SRAM中讀干擾問題。 從存儲單元來看，雙端口SRAM只是在單端口SRAM的基礎(chǔ)上加上了兩個(gè)
2020-07-23 13:45:021927 
上的SRAM數(shù)量已達(dá)到數(shù)百兆位。這導(dǎo)致了兩個(gè)具體挑戰(zhàn)。接下來由專注于代理銷售SRAM、SDRAM、MRAM、Flash等存儲芯片的宇芯電子介紹關(guān)于SRAM兩大問題挑戰(zhàn)。 第一個(gè)挑戰(zhàn)是使用FinFET晶體管的最新CMOS技術(shù)使單元尺寸的效率越來越低。在圖1中可以看到這一點(diǎn)，其中SRAM單元大小是CMOS技
2020-07-30 16:32:30763 
SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構(gòu)，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應(yīng)管組成一個(gè)存儲bit單元的結(jié)構(gòu)：
2020-08-22 09:21:0018044 
使用變頻器應(yīng)注意的七大問題是什么呢？這就是本期我們要為大家講解的相關(guān)問題了，關(guān)于這個(gè)問題的詳細(xì)闡述就在下面的段落中：
2020-09-17 15:27:071084 ，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達(dá)到幾個(gè)瓦特量級。另一方面，SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計(jì)幾個(gè)微瓦特級別。本篇內(nèi)容要介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況：standby（空余
2020-09-19 09:43:502563 SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)，因此SRAM具有較高的性能。 SRAM的速度快
2020-09-19 11:42:256552 嵌入式靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）是現(xiàn)代SoC中的重要組成部分；伴隨著工藝前進(jìn)的腳步，對于SRAM的研究也從未終止過。其中雙端口SRAM可以為系統(tǒng)提供更高的通信效率和并行性，隨著系統(tǒng)吞吐率的提升
2020-09-19 11:46:413473 對于特定的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，關(guān)于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個(gè)原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項(xiàng)。 優(yōu)越的頻率和帶寬 傳統(tǒng)和ULE FRAM都比串行SRAM支持更高的SPI時(shí)鐘頻率
2020-10-20 14:37:46539 其功耗的優(yōu)化成了芯片功耗優(yōu)化的關(guān)鍵所在。本篇文章由專注于銷售代理SRAM、MRAM、PSRAM等存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子介紹如何利用傳統(tǒng)方法提升SRAM性能。 SRAM單元的數(shù)據(jù)保持功能是通過背靠背的反相器實(shí)現(xiàn)的，因此為了使單元能最穩(wěn)定地保持?jǐn)?shù)
2020-12-02 16:29:37734 隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 BBSRAM是什么？ BBSRAM又稱
2020-12-22 16:05:252077 
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存
2021-01-11 16:48:1819308 介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號處理過程的緩沖，MCU遠(yuǎn)程升級的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國產(chǎn)SPI SRAM存儲器，EMI7064MSMI是一款具有SPI 接口的SRAM芯片。隨著電子系統(tǒng)應(yīng)用對SRAM芯片
2021-08-24 17:22:231545 （異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介紹一款4Mbit異步低功耗國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。
2021-09-22 15:48:252082 自2016年智能穿戴新興行業(yè)的崛起及火爆程度,一度將所有有關(guān)于智能穿戴產(chǎn)品中的零件推進(jìn)了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存儲器中，SRAM是用作外部高速緩存的首選對象.原因在于它與
2021-10-28 16:17:171102 隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:512 物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前，Serial SRAM的利潤并不能吸引主流到SRAM廠商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠商進(jìn)軍串行SRAM領(lǐng)域的逐漸增多。容量和帶寬將是兩大推動力。
2022-02-11 17:00:34992 在選定時(shí)有兩大標(biāo)準(zhǔn)可以參考，具體是什么標(biāo)準(zhǔn)相信各位沒有一個(gè)清晰的認(rèn)知，今天這一期我公司來為各位全面講解關(guān)于NSK軸承選定的兩大標(biāo)準(zhǔn)。
2022-02-23 10:20:321884 SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32893 關(guān)于連接的問答：處理 WI-FI 前端的熱挑戰(zhàn)
2022-12-26 10:16:20393 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM是隨機(jī)存取存儲器的一種。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 本期開發(fā)筆記由費(fèi)神編寫主要會為大家介紹HPM6000系列的各類片上SRAM并結(jié)合SeggerEmbeddedStudio的linker文件介紹，提供了如何使用這些SRAM的建議，趕快來了解吧~簡介
2022-09-19 11:02:111092 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM
2023-09-18 16:29:50922 
SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 11:15:31637 的設(shè)計(jì)縮小更多尺寸。然而，當(dāng)我們轉(zhuǎn)向更小尺寸的節(jié)點(diǎn)時(shí)，保持這種區(qū)別變得越來越具有挑戰(zhàn)性?，F(xiàn)在，SRAM 正在遵循越來越多的邏輯設(shè)計(jì)規(guī)則，并且與基于邏輯晶體管的設(shè)計(jì)相比，進(jìn)一步縮小存儲器的優(yōu)勢并不明顯。
2023-12-15 09:43:42175 SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點(diǎn)而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計(jì)
2023-12-18 11:22:39501 
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