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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

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2013-05-13 17:34:01

新技術(shù)世代即將來臨,存儲(chǔ)器依然炙手可熱

2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格,2018年中將3D的比重提高到85%以上。為了讓每單位的記憶容量提高,美日韓存儲(chǔ)器大廠都卯盡全力,在96層的堆棧技術(shù)上尋求突破。三星指出,第五的96層V NAND量產(chǎn)
2018-12-24 14:28:00

有沒有人使用過三星的flash芯片,問題請教

三星的K9F1G08U0A nand flash芯片,手冊說有Unique ID可以用,但是沒有說明具體怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手冊中有看到OTP區(qū)域,可以來保存Unique
2017-03-21 09:22:02

煥發(fā)正能量 2013年存儲(chǔ)產(chǎn)品和技術(shù)展望

三星跟進(jìn)推出840PRO,緊接著OCZ推出自家第一款三代SSD。至此,三代SSD形成足鼎立的局面,如同艷麗的花朵綻放。  移動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè):全面進(jìn)入單碟500技術(shù)  2012年影響最深的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品
2012-12-30 18:45:31

芯片的3D化歷程

V-NAND技術(shù)。據(jù)三星官方消息顯示,新款 V-NAND 運(yùn)用三星電子有的“通道孔蝕刻”技術(shù),向前代 9x 層單堆疊架構(gòu)增加了約 40% 單元。這是通過構(gòu)建由 136 層組成的導(dǎo)電模具堆棧,然后垂直
2020-03-19 14:04:57

請問A40I板卡的TF卡槽能支持1TB的SD卡嗎?

請問A40I板卡的TF卡槽能支持1TB的SD卡嗎?想用1TB的SD卡需要對linux系統(tǒng)做什么額外的操作嗎?
2022-01-04 06:31:57

請問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

迅為電子推出基于三星Exynos 4412的ARM Cortex A9核心板

功耗的前提下具有與DDR3一樣的速度?!?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ):8GB(可根據(jù)需要配置16GB以及32GB),采用三星EMMC,時(shí)鐘頻率高達(dá)52MHZ,滿足MMC V4.41協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)。 ·PMIC:選用三星自家電源管理芯片
2013-06-18 16:07:28

郭臺(tái)銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應(yīng)面板

三星電子在2010年的時(shí)候告密導(dǎo)致鴻海集團(tuán)(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當(dāng)時(shí)痛斥三星電子為”專打小報(bào)告的小人”,同時(shí)他也表示一定會(huì)從韓國人的手裡把這個(gè)錢給賺回來,時(shí)隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

高價(jià)回收三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

三星高速Z-SSD方案欲與XPoint一較高下

閃存巨頭再度發(fā)力:三星公司在本屆閃存記憶體峰會(huì)上連續(xù)公布了32 TB SSD、1TB BGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TB SSD利用64層3D NAND構(gòu)建而成,即三星旗下的V-NAND品牌,同時(shí)配合TLC(即三層單元)設(shè)計(jì)。
2016-08-19 15:57:11697

空氣產(chǎn)品公司與三星達(dá)成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報(bào)道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030

空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:467373

三星推出容量達(dá)1TbV-NAND單晶粒

在舊金山的閃存峰會(huì)上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費(fèi)級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:00759

三星其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片開始量產(chǎn),存儲(chǔ)市場將迎來大容量需求爆發(fā)

三星終于宣布開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND存儲(chǔ)芯片,聲稱其堆疊層數(shù)超過90層,可能指的是其96層,制造生產(chǎn)率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可擁有更高的傳輸速度。
2018-07-12 14:46:001645

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日報(bào)道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167

三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5亮相,采用了新的64層V-NAND技術(shù)設(shè)計(jì)

三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤(PSSD),提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND(垂直NAND)技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì),具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性,使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092422

三星推出全球第一款32TB超大容量SSD

三星電子也不甘示弱,早先已經(jīng)宣布量產(chǎn)96層堆疊第五代V-NAND閃存,并宣布會(huì)在年內(nèi)推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:114512

三星首款搭載QLC閃存SSD宣布量產(chǎn)最高達(dá)到4TB的容量

很顯然從今年開始,廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC閃存,之前Intel就已經(jīng)推出了首款搭載QLC閃存的SSD,而現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC閃存的SSD,這些SSD從1TB起步,共有1TB、2TB和4TB三種規(guī)格。
2018-08-07 17:00:03911

三星開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD 單芯片容量1Tb

今年8月初,NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2018-11-23 08:36:52935

三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤上架 提供了三年質(zhì)保

三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網(wǎng),作為三星首款面向消費(fèi)者的QLC固態(tài)硬盤,它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格,內(nèi)部為三星自主MJX主控、三星自產(chǎn)V-NAND QLC閃存顆粒,容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價(jià)149.99美元。
2018-11-30 14:08:012192

雷克沙發(fā)布專業(yè)級1TB存儲(chǔ)卡新品 價(jià)格比黃金貴十倍還不止

CES 2019 期間,雷克沙發(fā)布了專業(yè)級的 1TB 633x SDXC UHS-I 存儲(chǔ)卡新品,能夠滿足相機(jī)、攝像機(jī)、或 3D 拍攝時(shí)的最高容量需求。
2019-01-11 11:46:404263

三星宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲(chǔ)產(chǎn)品 讀取速度最高1000MB/s

天字一號閃存企業(yè)三星電子今天(1月30日)宣布開始量產(chǎn)單芯片1TB容量的UFS存儲(chǔ)產(chǎn)品,主力用于智能手機(jī)。
2019-02-11 11:33:413705

美光推出全球首款1TB micro SD卡 可提供高性能可移動(dòng)存儲(chǔ)

96 層 3D NAND 四級單元(QLC)技術(shù)的 microSD 卡。1TB microSD 卡可以為消費(fèi)者的手機(jī)和其他電子設(shè)備提供經(jīng)濟(jì)高效的存儲(chǔ)方案,實(shí)現(xiàn)流暢的 4K 視頻、圖片和游戲體驗(yàn)。
2019-02-26 17:26:51941

SK海力士推出1Tb QLC NAND

SK海力士宣布已向主要SSD(固態(tài)硬盤)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品,并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器,計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:542838

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間)、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲(chǔ)

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04624

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲(chǔ)

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251151

美光發(fā)布新款存儲(chǔ)卡,最大存儲(chǔ)容量可達(dá)1TB

美光宣布推出一系列全新micro SD存儲(chǔ)卡,稱為i300系列,其容量從32GB到1TB不等,以滿足視頻監(jiān)控市場和其他工業(yè)應(yīng)用的邊緣存儲(chǔ)需求,其中具有最大存儲(chǔ)容量的型號是美光i3001TB3microSDXC UHS-I,可容納1TB數(shù)據(jù),是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191045

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲(chǔ)容量最大達(dá)4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156

三星Galaxy S20 Ultra 5G將具有三種存儲(chǔ)版本,并支持1TB存儲(chǔ)卡擴(kuò)展

今日凌晨,XDA主編Max Winebach爆料稱,三星Galaxy S20 Ultra 5G將保留SD卡插槽,最高支持1TB存儲(chǔ)卡擴(kuò)展。
2020-01-14 14:15:209332

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息,近日,SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111,是針對讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商,其產(chǎn)品組合中包括 DRAM,NAND 閃存和控制器,以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:193527

三星即將發(fā)布 870 EVO SSD: TLC 顆粒,SATA 3 接口,最高 4TB 容量

EVO 采用了 V-NAND 3-bit MLC,可選 250GB、500GB、1TB、2TB 和 4TB 版本。其中 1TB 以下搭載 512GB LPDDR4 緩存,1TB 版本 搭載 1GB
2021-01-19 17:52:313440

曝蘋果iPhone 13將推1TB容量版本

據(jù)外媒最新消息稱,iPhone 13將提供1TB容量版本,而目前iPhone 12 系列最高容量選擇為512GB。
2021-03-01 09:30:341478

供應(yīng)鏈消息:iPhone Pro系列的最高存儲(chǔ)容量從512GB翻倍到1TB

據(jù)供應(yīng)鏈消息,今年 iPhone Pro 系列的最高存儲(chǔ)容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

市場對更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。 三星電子第八代V-NAND,
2022-11-08 13:37:36577

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

三星采用 3D 縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù),三星顯著的提升每片晶圓的存儲(chǔ)密度,使三星存儲(chǔ)密度達(dá)到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25336

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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