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FM24xxx系列FRAM存儲器的驅動設計與實現(xiàn)

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2019-12-30 09:45:531331

FRAM器件提供非易失性存儲

FRAM器件提供非易失性存儲,用10年的數(shù)據(jù)保存時間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727

FRAM是一種鐵電存儲器,它的自身優(yōu)勢是什么

FRAM是一種鐵電存儲器,它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù),即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫,高讀寫耐久性,低功耗,防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634

FRAM存儲器技術和標準的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機存取存儲器(RAM
2020-10-30 16:47:12802

非易失性存儲器MRAM與FRAM到底有什么區(qū)別

“永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能,可字節(jié)尋址的非易失性存儲設備。MRAM(磁性只讀存儲器)和 FRAM(鐵電 RAM)都具有相似的性能優(yōu)勢:低電壓運行,長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038

fram是什么存儲器_FRAM技術特點

鐵電存儲器FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
2020-12-03 11:53:166108

采用FM20L08鐵電存儲器實現(xiàn)溫度記錄儀系統(tǒng)的設計

FRAM),能夠進行無限次的讀寫操作。 使用FM20L08能夠極大的節(jié)約電路板空間。使用FM20L08存儲器的溫度測試儀,兼具大容量數(shù)據(jù)存儲、抗沖擊、抗干擾、數(shù)據(jù)斷電不丟失、實時采集速度高的特點。
2021-03-29 14:36:232136

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)非易失性的存儲器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器(內存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器
2021-04-08 15:42:02824

富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應用

富士通半導體主要提供高質量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM, 富士通半導體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器,FRAM應用于智能卡及IC卡等卡片領域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設備等產(chǎn)業(yè)領域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689

鐵電存儲器FRAM的優(yōu)劣勢

FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經(jīng)應用于IC卡和MCU中,預計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術特點,符合科創(chuàng)板屬性,目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107

2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

和橫跨傳統(tǒng)市場的業(yè)務覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:021561

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲器,實時時鐘,低VDD復位,看門狗定時器,非易失性事件計數(shù)器,可鎖定的64位序列號區(qū)域以及可用于斷電(NMI)中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912

賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器

引起的復雜性,開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。 FM25V05-GTR是串行FRAM存儲器。邏輯上將存儲器陣列組織為65,536×8位,并使用行業(yè)標準的串行外圍設備接口(SPI
2021-06-08 16:32:20938

FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存儲器

FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器存儲器陣列在邏輯上組織為8,192×8位,可使用行業(yè)標準的串行外圍設備接口(SPI)總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器

FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器FRAM是非易失性的,并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134

串行FRAM存儲器64K MB85RS64概述及特點

富士通FRAM是新一代非易失性存儲器,其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲器,功耗更低,提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質用于各種
2021-06-28 15:50:412599

128K串行接口FRAM存儲器MB85RS128B概述及特點

富士通FRAM(鐵電RAM)是新一代非易失性存儲器,性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲器,功耗更低,速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的,但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394

鐵電存儲器FRAM與其他內存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應商可提供產(chǎn)品測試及技術支持。
2021-07-27 10:29:281158

富士通FRAM存儲器的詳細介紹

FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器(如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池,具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055

FRAM存儲器都用在了哪里

FRAM (鐵電RAM) 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 (如EEPROM、閃存)相比,FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565

ST系列FRAM MCU開發(fā)方案

便攜式和無線傳感應用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器,集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身,但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046

非易失性存儲器FRAM的常見問題解答

什么是FRAMFRAM(鐵電隨機存取存儲器)是一種非易失性存儲器,它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM(只讀存儲器)和RAM(隨機存取存儲器)的特性,具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766

鐵電存儲器FRAM

鐵電存儲器FRAM或FeRAM,FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質,利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結構圖 FRAM技術特點: 非易失性:斷電
2022-11-10 17:00:141785

提供即時寫入功能的FRAM存儲器

FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣,因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327

復旦微電推出FM25/FM29系列SLC NAND存儲器新品

下一階段,復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378

鐵電存儲器FRAM與其他內存的比較

FRAM是一種非易失性存儲器,因為它結合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697

使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅動外部的存儲器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用大容量STM32F10xxx的FSMC驅動外部的存儲器.pdf》資料免費下載
2023-09-21 10:03:500

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