存儲(chǔ)芯片巨頭競(jìng)逐HBM 新品發(fā)布成美光股價(jià)助推器

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美光推出了業(yè)界首款第二代HBM3，該產(chǎn)品已出樣給客戶；人工智能需求拉動(dòng)下，擴(kuò)產(chǎn)HBM、開(kāi)發(fā)更高性能的產(chǎn)品，已經(jīng)成為存儲(chǔ)巨頭們的共同選擇；封裝、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)隨之受益。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四（7月27日），存儲(chǔ)芯片大廠美光科技（MU.US）漲超5%，單日漲幅創(chuàng)6月以來(lái)新高。同日費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)漲1.86%。

消息面上，7月26日，美光宣布推出業(yè)界首款8層24GB HBM（高帶寬內(nèi)存）3 Gen2內(nèi)存芯片，它是HBM3的下一代產(chǎn)品，采用1β工藝節(jié)點(diǎn)。這意味著美光成為業(yè)界第一個(gè)制造出第二代HBM3內(nèi)存的廠商。

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這款內(nèi)存芯片總帶寬超過(guò)1.2TB/s，引腳速度超過(guò)9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。

在官網(wǎng)產(chǎn)品頁(yè)，美光著重強(qiáng)調(diào)了這款芯片對(duì)生成式AI的幫助作用——美光HBM3 Gen2專為人工智能和超級(jí)計(jì)算而構(gòu)建，“解鎖了生成式AI的世界”可提供更高的內(nèi)存容量，可提高性能并減少CPU負(fù)載，從而在大模型（例如ChatGPT）進(jìn)行推理時(shí)更快、更精確。

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美光表示，24GB HBM3 Gen2內(nèi)存已經(jīng)出樣給客戶。

人工智能的發(fā)展離不開(kāi)強(qiáng)大存力，存儲(chǔ)芯片承擔(dān)著提升整體AI服務(wù)器的系統(tǒng)運(yùn)算效能，以及存儲(chǔ)器傳輸帶寬等的重?fù)?dān)。

隨著人工智能需求激增，兩大高性能存儲(chǔ)芯片HBM和DDR5的價(jià)格和需求都在增長(zhǎng)，在最近一次非公開(kāi)企業(yè)說(shuō)明會(huì)上，SK海力士預(yù)計(jì)，2024年HBM和DDR5的銷售額有望翻番。

相較而言，HBM是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，其技術(shù)門(mén)檻更高、性能提升空間更大，相應(yīng)地溢價(jià)更高，其價(jià)格是現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品的5-6倍。

TrendForce集邦咨詢發(fā)表研報(bào)稱，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流，預(yù)計(jì)2023年全球HBM需求量將增近六成，達(dá)到2.9億GB，2024年將再增長(zhǎng)30%。

這一背景下，一方面，AI芯片公司正積極開(kāi)拓新的HBM供應(yīng)商。

從第四季度開(kāi)始，三星將向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3，目前后者的HBM由SK海力士獨(dú)供；另一方面，擴(kuò)產(chǎn)HBM、開(kāi)發(fā)更高性能的產(chǎn)品，已經(jīng)成為存儲(chǔ)巨頭們的共同選擇，以兩大韓國(guó)廠商為例：

三星稱，看到超大規(guī)?？蛻魧?duì)HBM的高需求。計(jì)劃在2024年將高帶寬內(nèi)存（HBM）供應(yīng)能力同比翻倍。

有消息稱SK海力士目標(biāo)將HBM產(chǎn)能擴(kuò)大2倍，另外，SK海力士繼4月份開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3后又提出2026年生產(chǎn)HBM4。

從產(chǎn)業(yè)鏈上看，HBM市場(chǎng)火熱也讓封裝、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)隨之受益。

封裝環(huán)節(jié)：由于HBM需要集成多個(gè)芯片，因此封裝成為制造該產(chǎn)品的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。譬如三星與SK海力士無(wú)法將HBM以成品形式供給客戶，而是需要經(jīng)過(guò)臺(tái)積電集成。臺(tái)積電之外，三星和SK海力士也在考慮增加封裝生產(chǎn)線。

材料端：HBM多層堆疊對(duì)于制造材料尤其是前驅(qū)體的用量成倍提升，制造材料核心廠商包括雅克科技、神工股份等；對(duì)于封裝材料：HBM將帶動(dòng)TSV和晶圓級(jí)封裝需求增長(zhǎng)，而且對(duì)封裝高度、散熱性能提出更高要求，封裝材料核心廠商包括聯(lián)瑞新材、華海誠(chéng)科、飛凱材料等。

設(shè)備端：由于獨(dú)特的3D堆疊結(jié)構(gòu)，HBM芯片為上游設(shè)備帶來(lái)了新的增量——前道環(huán)節(jié)，HBM需要通過(guò)TSV來(lái)進(jìn)行垂直方向連接，增加了TSV刻蝕設(shè)備需求；中段環(huán)節(jié)，HBM帶來(lái)了更多的晶圓級(jí)封裝設(shè)備需求；后道環(huán)節(jié)，HBM的多芯片堆疊帶來(lái)diebond設(shè)備和測(cè)試設(shè)備需求增長(zhǎng)。

天風(fēng)國(guó)際證券表示，存儲(chǔ)芯片片巨頭正在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM，但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時(shí)間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，所以這或許也是中國(guó)彎道超車的好時(shí)機(jī)。

審核編輯：劉清