說說EEPROM和FLASH的那些事

最開始參加工作的時候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當時只是覺得這兩個東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應該大差不差。那真是這樣么？這篇就來說說EEPROM和FLASH的那些事。

現(xiàn)在買手機的時候，很多廠商都會標出手機ROM有XX GB，RAM有XX GB。其中的ROM就是Read- Only- Memory，RAM就是Random-Access-Memory。通常掉電后再上電，數(shù)據(jù)還存在的，就是ROM。

其實現(xiàn)在的ROM已經(jīng)和當初最開始的含義已經(jīng)不一樣了，最初設計的ROM真的是只讀設備，出廠的時候就通過特殊方法固化數(shù)據(jù)，不可再更改。

后來出現(xiàn)了PROM（Programmable ROM可編程ROM），該ROM可以進行一次寫入動作，一旦寫錯，那只能換一片了。

此后出來了EPROM（Erasable & Programmable ROM 可擦除可編寫ROM），該款ROM可執(zhí)行多次的擦寫，但是每次需要重寫數(shù)據(jù)的話，需要使用紫外燈照射擦除，擦寫效率低下。

最后EEPROM（Electrical Erasable Programmable ROM電子可擦除可編程ROM）登場，EEPROM電子的只需要依靠電子信號即可完成擦寫，而且最小操作單位為BYTE，不需要將數(shù)據(jù)區(qū)域都擦除再進行寫入動作。

Flash的全稱為Flash EEPROM Memory，有時我們也稱其為“閃存”。相對于EEPROM，其讀寫速度有了更高的提升。

現(xiàn)在市面上的接觸到的FLASH主要分為NOR Flash以及NAND Flash，分別代表著以Intel和TOSHIBA的Flash發(fā)展路線。

NOR Flash的擦除與寫入速度都不及NAND Flash,但是讀取速度卻更快。NOR FLASH的擦寫壽命大約10萬次，而NAND FLASH的擦寫壽命能達到100萬次。

NOR的地址線與數(shù)據(jù)線是各自獨立的，而NAND的地址線與數(shù)據(jù)線是共用的。因為這種特性上的區(qū)別，NOR Flash更適合儲存代碼而NAND Flash更適合做數(shù)據(jù)儲存。

MCU中的FLASH通常就是NOR FLASH，具備XIP功能（execute in place），程序直接在閃存內(nèi)運行無需拷貝到RAM中。

EEPROM和FLASH的區(qū)別如下所示，EEPROM的通訊速率通常低于FLASH，且市面上小容量的EEPROM較多，因為電路更為復雜，同等容量的EEPROM相對于FLASH不具備性價比。