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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>美光搶灘市場(chǎng),HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

美光搶灘市場(chǎng),HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器改革 HBM技術(shù)從幕后走向臺(tái)前

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在隨后大約1小時(shí)20分鐘的演講中,黃仁勛宣布全球首發(fā)HBM3e內(nèi)存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。黃仁勛將它稱作“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”。
2023-08-09 14:48:00517

英偉達(dá)全球首發(fā)HBM3e 專為生成式AI時(shí)代打造

2023年8月8日,NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛在計(jì)算機(jī)圖形年會(huì)SIGGRAPH上發(fā)布了HBM3e內(nèi)存新一代GH200 Grace Hopper超級(jí)芯片。這款芯片被黃仁勛稱為“加速計(jì)算和生成式AI時(shí)代的處理器”,旨在用于任何大型語(yǔ)言模型,以降低推理成本。
2023-08-11 16:29:17793

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ),成功開(kāi)發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?!皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開(kāi)始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對(duì)ai的存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的獨(dú)一無(wú)二的地位?!?/div>
2023-08-21 09:21:49585

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E,向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示,HBM3EHBM3的擴(kuò)展版本)的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計(jì)劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場(chǎng)無(wú)與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41552

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說(shuō)是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07575

SK海力士成功開(kāi)發(fā)出面向AI的超高性能DRAM新產(chǎn)品HBM3E

與此同時(shí),SK海力士技術(shù)團(tuán)隊(duì)在該產(chǎn)品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術(shù),其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客戶在基于HBM3組成的系統(tǒng)中,無(wú)需修改其設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)也可以直接采用新產(chǎn)品。
2023-08-23 15:13:13480

SK海力士開(kāi)發(fā)“最佳性能”HBM3E

以“業(yè)界頂尖性能”推動(dòng)人工智能技術(shù)創(chuàng)新的產(chǎn)品將從2024年1月起開(kāi)始量產(chǎn)。
2023-08-31 15:28:42401

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點(diǎn)

,skjmnft同時(shí)已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個(gè)堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬(wàn)達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個(gè)業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:46428

一文解析HBM技術(shù)原理及優(yōu)勢(shì)

HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲(chǔ)解決方案。本文將介紹HBM技術(shù)的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-09 12:32:525334

1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無(wú)緣中國(guó)

NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來(lái)自SK海力士),單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點(diǎn)點(diǎn)),同時(shí)帶寬多達(dá)4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13405

預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值,還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-27 15:03:57457

英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成

HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出,具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來(lái)產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯芯片(基礎(chǔ)芯片)首次使用 12 納米工藝晶圓,由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13215

英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出

由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2024年第一季度完成。機(jī)構(gòu)表示,各原工廠的hbm3e驗(yàn)證結(jié)果將最終決定英偉達(dá)hbm購(gòu)買分配權(quán)重值,還需要進(jìn)一步觀察。
2023-11-29 14:13:30376

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來(lái)

數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場(chǎng)景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48941

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評(píng)價(jià)

美光已明確表示,預(yù)期明年將進(jìn)占市場(chǎng)份額約5%,排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離,他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度,且計(jì)劃于2023年最后階段為英偉達(dá)提供測(cè)試。
2023-12-26 14:39:31165

英偉達(dá)大量訂購(gòu)HBM3E內(nèi)存,搶占市場(chǎng)先機(jī)

英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。
2023-12-29 16:32:50613

英偉達(dá)斥資預(yù)購(gòu)HBM3內(nèi)存,為H200及超級(jí)芯片儲(chǔ)備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級(jí)芯片,這也進(jìn)一步說(shuō)明了對(duì)于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04276

Hanmi半導(dǎo)體與三星電子討論HBM供應(yīng)鏈,擴(kuò)大客戶群和市場(chǎng)份額

美國(guó)IT企業(yè)投資規(guī)模的加大使得HBM市場(chǎng)迅速成長(zhǎng)。預(yù)計(jì)至2024年,HBM供應(yīng)緊缺問(wèn)題將愈發(fā)嚴(yán)重。對(duì)此,三星計(jì)劃于2023年末和2024年初供應(yīng)第四代HBM產(chǎn)品HBM3,并計(jì)劃啟動(dòng)第五代HBM產(chǎn)品HBM3E量產(chǎn)。在此
2024-01-03 13:41:02412

SK海力士HBM3E內(nèi)存提前兩個(gè)月大規(guī)模生產(chǎn),專用于英偉達(dá)AI芯片

值得一提的是,半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)周期通常共九個(gè)階段,而 SK 海力士已經(jīng)成功走過(guò)了各個(gè)環(huán)節(jié),正在進(jìn)行最后的產(chǎn)量提升階段。這代表著現(xiàn)有的HBM3E產(chǎn)能均可滿足從此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45222

SK海力士推出全球首款HBM3E高帶寬存儲(chǔ)器,領(lǐng)先三星

在嚴(yán)格的9個(gè)開(kāi)發(fā)階段后,當(dāng)前流程全部完成,步入最終的產(chǎn)能提升階段。此次項(xiàng)目完結(jié)正是達(dá)產(chǎn)升能的標(biāo)志,這預(yù)示著自今往后產(chǎn)出的所有HBM3E即刻具備向英偉達(dá)交付的條件。SK海力士計(jì)劃3月獲取英偉達(dá)對(duì)終品質(zhì)量的認(rèn)可,同步啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)及交貨。
2024-02-21 10:17:05282

SK海力士將于3月量產(chǎn)HBM3E存儲(chǔ)器

在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲(chǔ)器器(HBM3E)的開(kāi)發(fā)工作,并成功通過(guò)了Nvidia長(zhǎng)達(dá)半年的性能評(píng)估。這一里程碑的達(dá)成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開(kāi)始量產(chǎn)這款革命性的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,并計(jì)劃在下個(gè)月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08645

SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E,供貨英偉達(dá)

近日,全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布,他們已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的開(kāi)發(fā),并且已經(jīng)通過(guò)了英偉
2024-02-25 11:22:21403

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級(jí)版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個(gè)平臺(tái)可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42135

美光科技批量生產(chǎn)HBM3E,推動(dòng)人工智能發(fā)展

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官薩達(dá)納(Sumit Sadana)稱,公司已實(shí)現(xiàn)HBM3E市場(chǎng)首發(fā)和卓越性能,同時(shí)能耗具有顯著優(yōu)勢(shì),使公司在AI加速領(lǐng)域穩(wěn)占先機(jī)。他還強(qiáng)調(diào),美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3EHBM4路線圖,DRAM與NAND技術(shù)相結(jié)合
2024-02-27 09:38:42127

HBM市場(chǎng)火爆!美光與SK海力士今年供貨已告罄

美光指出,專為AI、超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)的HBM3E預(yù)計(jì)2024年初量產(chǎn),有望于2024會(huì)計(jì)年度創(chuàng)造數(shù)億美元的營(yíng)收。Mehrotra對(duì)分析師表示,“2024年1~12月,美光HBM預(yù)估全數(shù)售罄”。
2024-02-27 10:25:15154

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達(dá)1280GB/s,容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個(gè)存儲(chǔ)方案是我們?cè)谌巳斯ぶ悄軙r(shí)代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示?!?/div>
2024-02-27 10:36:25232

三星電子成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星電子今日宣布,公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。
2024-02-27 11:07:00269

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存(HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21390

AMD MI300加速器將支持HBM3E內(nèi)存

據(jù)手機(jī)資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲(chǔ)器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時(shí)也與如臺(tái)積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05188

美光新款高頻寬記憶體HBM3E將被用于英偉達(dá)H200

美國(guó)記憶體制造巨頭美光(Micron)于26日宣布,其最新的高頻寬記憶體HBM3E已正式量產(chǎn)。此項(xiàng)技術(shù)將被用于今年第2季度的英偉達(dá)(NVIDIA)H200 Tensor Core GPU,標(biāo)志著
2024-02-28 14:17:10173

HBM、HBM2、HBM3和HBM3e技術(shù)對(duì)比

AI服務(wù)器出貨量增長(zhǎng)催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測(cè)算,預(yù)期25年市場(chǎng)規(guī)模約150億美元,增速超過(guò)50%。
2024-03-01 11:02:53272

美光開(kāi)始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達(dá) H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開(kāi)始出貨。美光通過(guò)這一
2024-03-04 14:51:51569

美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41765

美光科技開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進(jìn)展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:28396

美光開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E解決方案

近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及影像產(chǎn)品制造商美光公司宣布,已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進(jìn)展不僅標(biāo)志著美光在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破,也預(yù)示著人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)勁的計(jì)算能力支持。
2024-03-08 10:02:07157

三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星電子近期研發(fā)的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實(shí)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。其宣稱的帶寬新紀(jì)錄,不僅展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新能力,也為整個(gè)存儲(chǔ)行業(yè)樹(shù)立了新的性能標(biāo)桿。
2024-03-08 10:04:42195

三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM

三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)。
2024-03-08 10:10:51179

三星強(qiáng)化HBM工作團(tuán)隊(duì)為永久辦公室,欲搶占HBM3E領(lǐng)域龍頭地位?

這一結(jié)構(gòu)性調(diào)整體現(xiàn)出三星對(duì)于存儲(chǔ)器領(lǐng)域HBM產(chǎn)品間競(jìng)爭(zhēng)壓力的關(guān)注。SK海力士已然在HBM3市場(chǎng)奪得先機(jī),并因其在人工智能領(lǐng)域的廣泛運(yùn)用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501433

SK海力士HBM3E內(nèi)存正式量產(chǎn),AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44311

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn),鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn),將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21309

GTC 2024:三大存儲(chǔ)廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉,HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片;AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其技術(shù)。至于GDDR7,有望在RTX 50系列顯卡中得到應(yīng)用。
2024-03-20 10:25:59150

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37314

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲(chǔ)器HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53379

英偉達(dá)CEO贊譽(yù)三星HBM內(nèi)存,計(jì)劃采購(gòu)

 提及此前有人預(yù)測(cè)英偉達(dá)可能向三星購(gòu)買HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會(huì)上直接認(rèn)可三星實(shí)力,稱其為“極具價(jià)值的公司”。他透露目前已對(duì)三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測(cè)試,未來(lái)可能增加采購(gòu)量。
2024-03-20 16:17:24390

英偉達(dá)尋求從三星采購(gòu)HBM芯片

英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系,計(jì)劃從后者采購(gòu)高帶寬存儲(chǔ)(HBM)芯片。HBM作為人工智能(AI)芯片的核心組件,其重要性不言而喻。與此同時(shí),三星正努力追趕業(yè)內(nèi)領(lǐng)頭羊SK海力士,后者已率先實(shí)現(xiàn)下一代HBM3E芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。
2024-03-25 11:42:04338

NVIDIA預(yù)定購(gòu)三星獨(dú)家供應(yīng)的大量12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E 12H內(nèi)存具備高達(dá)1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲(chǔ)容量,較8層堆疊的HBM3 8H,分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:1194

三星獨(dú)家供貨英偉達(dá)12層HBM3E內(nèi)存

據(jù)最新消息透露,英偉達(dá)即將從今年9月開(kāi)始大規(guī)模采購(gòu)12層HBM3E內(nèi)存,而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔(dān)。這一消息無(wú)疑為業(yè)內(nèi)帶來(lái)了不小的震動(dòng)。
2024-03-26 10:59:06146

三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展:12層HBM3E芯片,2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露,三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司,有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代,這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。然而,三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09107

AI時(shí)代,HBM掀起存儲(chǔ)芯片新浪潮

2022年末,ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)人工智能浪潮的標(biāo)志性事件,宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。
2024-03-27 09:40:36287

三星重磅發(fā)布全新12層36GB HBM3e DRAM

12層HBM3e將每個(gè)堆??捎玫目値捥岣叩襟@人的1,280GB/s,這比單個(gè)堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:0991

高盛談HBM四年十倍市場(chǎng) 人工智能驅(qū)動(dòng)HBM市場(chǎng)騰飛

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面,高盛認(rèn)為,由于HBM市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況將持續(xù)存在,業(yè)內(nèi)主要玩家如SK海力士、三星和美光等將從中受益。
2024-03-29 15:21:301265

HBM3E起飛,沖鋒戰(zhàn)鼓已然擂響

HBM3自2022年1月誕生,便憑借其獨(dú)特的2.5D/3D內(nèi)存架構(gòu),迅速成為高性能計(jì)算領(lǐng)域的翹楚。HBM3不僅繼承了前代產(chǎn)品的優(yōu)秀特性,更在技術(shù)上取得了顯著的突破。它采用了高達(dá)1024位的數(shù)據(jù)路徑,并以驚人的6.4 Gb/s的速率運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)了高達(dá)819 Gb/s的帶寬,為高性能計(jì)算提供了強(qiáng)大的支持。
2024-03-30 14:34:101600

英偉達(dá)、微軟、亞馬遜等排隊(duì)求購(gòu)SK海力士HBM芯片,這些國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠迎機(jī)遇

AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲(chǔ)器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲(chǔ)器帶寬需求的應(yīng)用場(chǎng)合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3EHBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312165

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