2022 年 4 月 21日，中國——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議，四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
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意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241298 
ST-Ericsson的相關(guān)資產(chǎn)業(yè)務(wù)已正式轉(zhuǎn)移給母公司，交易于2013年8月2日完成ST-Ericsson其余業(yè)務(wù)將陸續(xù)關(guān)閉。
2013-08-15 09:31:07884 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091257 Altera的28nm FPGA所具有的靈活性和性能指標(biāo)滿足了下一代基站各種LTE系統(tǒng)級(jí)特性的需求，而且沒有犧牲功效。近日Altera宣布NEC將使用其28nm FPGA，助力提高其LTE基站性能
2013-11-19 09:09:09724 億美元。##目前，IBM與ST在32nm與28nm上提供FD SOI工藝，IBM的產(chǎn)能最大，ST的產(chǎn)能小。##對(duì)于FinFet，完成一個(gè)14/16nm的設(shè)計(jì)，成本高達(dá)2.127億美元。
2014-10-20 11:03:1017671 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:223744 格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求?！?2FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:181462 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:22949 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對(duì)于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033179 
Globalfoundries技術(shù)長Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是
2016-07-28 08:50:141068 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:021835 
鰭式晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22845 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 28nm制程在業(yè)內(nèi)使用已經(jīng)超過10年，近年臺(tái)積電、聯(lián)電、中芯國際、力積電等都在28nm節(jié)點(diǎn)擴(kuò)充產(chǎn)能。圍繞28nm制程，為何受到青睞？今后擴(kuò)充產(chǎn)能，能否解決缺芯的困境？未來擴(kuò)充產(chǎn)能到位后，會(huì)否造成產(chǎn)能
2022-02-17 09:27:154340 5月10日消息 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，聯(lián)電將在7月1日再次調(diào)漲代工價(jià)，28nm制程的每片晶圓報(bào)價(jià)約為1800美元，比第二季度的1600美元增長了近13%。另外，業(yè)內(nèi)人士稱，聯(lián)電將于明年第一季度再次提價(jià)
2021-05-10 15:09:452170 周末傳聞美國將會(huì)重新選定限制中國半導(dǎo)體技術(shù)的瞄點(diǎn)，這次將會(huì)是28nm的成熟制程。
2021-06-21 09:57:326793 在工藝進(jìn)程方面，i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝，該工藝的優(yōu)勢(shì)在于能夠在提升處理器主頻性能的同時(shí)，盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331663 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
在智能手機(jī)與平板電腦的半導(dǎo)體開發(fā)方面，ST-Ericsson是業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)廠商。我們?cè)谌蚨荚O(shè)有開發(fā)與測(cè)試中心以及多個(gè)特性記述實(shí)驗(yàn)室，可完整 地測(cè)試與驗(yàn)證智能手機(jī)和平板電腦的射頻元件/平臺(tái)。 這些平臺(tái)
2019-08-15 06:27:14
1月22日，Altera 在北京展示了號(hào)稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強(qiáng)大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進(jìn)行了講解。
2019-08-21 07:37:32
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
從工藝選擇到設(shè)計(jì)直至投產(chǎn)，設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重點(diǎn)是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢(shì)？
2019-09-17 08:18:19
展訊計(jì)劃在2012年推出WCDMA智能手機(jī)芯片，并將主打TD+WCDMA雙模芯片。而在LTE產(chǎn)品規(guī)劃方面，他表示展訊將可能在不久之后推出基于28納米技術(shù)的TD-LTE芯片。擬推28nm TD-LTE
2011-10-27 11:50:07
想知道28nm制程下，例如乘法器加法器的動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗應(yīng)該去查什么資料，感覺在網(wǎng)上搜不到相關(guān)的參考資料。
2023-01-03 09:59:04
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
之前只用過tsmc 65nm的，在設(shè)置電感時(shí)候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個(gè)一個(gè)試？28nm下是沒有MIM電容了嗎？相關(guān)的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
請(qǐng)問工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
諾基亞與ST-Ericsson攜手推動(dòng)TD-SCDMA發(fā)展
諾基亞與ST-Ericsson宣布，雙方將在 TD-SCDMA技術(shù)及解決方案領(lǐng)域建立長期合作伙伴關(guān)系。作為合作的一部分，ST-Ericsson將成為諾基亞
2009-12-19 09:36:20540 Global Foundries公司展示28nm制程芯片硅圓樣品
GlobalFoundries公司日前公開展示了一片采用28nm制程技術(shù)制作的不知名芯片硅圓。這家公司的人員不愿意
2010-01-13 11:46:241989 ST-Ericsson發(fā)布2009第四季度財(cái)報(bào)
ST-Ericsson 日前發(fā)布了2009 年第四季度財(cái)報(bào)，該公司是意法半導(dǎo)體和愛立信的合資公司。
公司總裁兼首席執(zhí)行官 Gilles Delfassy 表示
2010-02-02 08:57:58505 
臺(tái)積電年中將為Altera試產(chǎn)28nm制程FPGA芯片
據(jù)業(yè)者透露，臺(tái)積電公司將于今年中期開始為Altera公司生產(chǎn)28nm制程FPGA芯片產(chǎn)品。這種FPGA芯片將集成有28Gbps收發(fā)器，產(chǎn)品面
2010-02-05 10:21:26545 ST-Ericsson領(lǐng)跑TD芯片市場(chǎng) 出貨逾650萬
ST-Ericsson全球副總裁Thierry Tingaud昨天下午對(duì)網(wǎng)易科技表示，“TD-SCDMA對(duì)ST-Ericsson非常重要，去年全年我們專注于TD手機(jī)芯片研發(fā)的全資
2010-02-05 10:51:01525 ST-Ericsson出貨逾650萬 領(lǐng)跑TD芯片市場(chǎng)
ST-Ericsson全球副總裁Thierry Tingaud表示，“TD-SCDMA對(duì)ST-Ericsson非常重要，去年全年我們專注于TD手機(jī)芯片研發(fā)的全資子公司天碁(T3G)出貨
2010-02-08 09:37:41526 ST-ERICSSON和ARM共同支持下一代多核移動(dòng)平臺(tái)上的ANDROID系統(tǒng)
ST-Ericsson公司與ARM公司近日在巴薩羅納舉辦的世界移動(dòng)通信大會(huì)上共同宣布：雙方將持續(xù)合作開發(fā)，優(yōu)化Android
2010-03-01 11:26:57579 28nm Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸
Altera公司的最新28nm Stratix V FPGA正是為滿足高帶寬應(yīng)用設(shè)計(jì)要求而推出。 移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、高清視頻、軍事、醫(yī)療以及計(jì)算
2010-05-10 17:52:04713 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 ST-Ericsson宣布，三星已選擇ST-Ericsson的兩款平臺(tái)來開發(fā)其雙卡雙待手機(jī)E2152和Ch@t 322。除支持一系列多媒體功能外，ST-Ericsson低成本、低功耗的G4852和G4906 GSM/GPRS平臺(tái)支持在一部手
2010-12-13 09:11:50639 ST-Ericsson 宣布，三星已選擇 ST-Ericsson 的兩款平臺(tái)來開發(fā)其雙卡雙待手機(jī)E2152和Ch@t 322。除支持一系列多媒體功能外，ST-Ericsson 低成本、低功耗的 G4852 和 G4906 GSM/GPRS平臺(tái)支持在
2010-12-23 08:46:541123 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 全球移動(dòng)平臺(tái)和半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者ST-Ericsson推出一款電源管理解決方案，該解決方案可大大縮短移動(dòng)設(shè)備在墻式插座上的充電時(shí)間
2011-03-31 10:14:33688 據(jù)國外媒體報(bào)道，意法半導(dǎo)體表示，當(dāng)諾基亞推出搭載微軟Windows Phone操作系統(tǒng)的新款智能手機(jī)時(shí)，最少其中部分手機(jī)是采用ST-Ericsson的芯片
2011-05-20 11:32:53824 AMD公司對(duì)于今年推出基于28nm工藝圖形處理器依然是相當(dāng)樂觀。該公司相信28nm節(jié)點(diǎn)不僅會(huì)為其提供機(jī)會(huì)推出先進(jìn)的圖形處理芯片"shortly"，同時(shí)也將可以進(jìn)一步降低其生產(chǎn)成本。
2011-07-27 09:19:14489 ST-Ericsson 稍早前宣布推出一款 Snowball 開發(fā)板，整合該公司的 Nova A9500 雙核心應(yīng)用處理器、MEMS元件(3D陀螺儀、加速計(jì)、磁力計(jì)和氣壓計(jì))、GPS和通訊介面等；只要充份運(yùn)用開放原始碼社群
2011-10-04 09:59:511072 盡管接下來幾年，晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場(chǎng)的速度成長，但Gartner 和其它市場(chǎng)分析公司表示，該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn)28nm制程節(jié)點(diǎn)的挑戰(zhàn)。 同時(shí)，隨著全球經(jīng)濟(jì)趨緩，
2011-11-07 09:29:241442 本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個(gè)方面，其中包括臺(tái)積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:44
41 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：歐洲最大芯片廠商——意法半導(dǎo)體公司（ST）可能就和愛立信所成立的ST-Ericsson公司提出出售資產(chǎn)建議，據(jù)分析，非常有可能賣給中國相關(guān)公司。
2012-03-16 17:48:551048 ST-Ericsson去年12月新上任的執(zhí)行長Didier Lamouche將在3月底之前宣布新戰(zhàn)略計(jì)劃,該計(jì)劃可能與 ST-Ericsson 的出售有關(guān)。
2012-03-19 08:54:432739 還有一個(gè)需要考量的問題，到底誰擁有ST-Ericsson才會(huì)更有利于其商業(yè)效益最大化？最有可能是來自中國的一些較為強(qiáng)大的企業(yè)，也有可能是美國的蘋果公司。后者希望通過并購ST-Ericsson業(yè)
2012-03-25 17:50:153989 行動(dòng)平臺(tái)和半導(dǎo)體供應(yīng)商意法˙愛立信（ST-Ericsson）今天宣佈了其新戰(zhàn)略方向的規(guī)劃，該公司已與意法半導(dǎo)體（ST）簽署協(xié)定，將ST-Ericsson開發(fā)之獨(dú)立應(yīng)用處理器平臺(tái)部分轉(zhuǎn)入意法半導(dǎo)
2012-04-25 17:21:25736 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過CMP的硅中介服務(wù)採用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 臺(tái)積電目前最高端的制程平臺(tái)無疑是其28nm CMOS平臺(tái)。Chipworks網(wǎng)站的分析師認(rèn)為，未來幾年內(nèi)，這個(gè)平臺(tái)將是有史以來帶給臺(tái)積電及其客戶最豐厚利潤的平臺(tái)。而臺(tái)積電總裁張仲謀則寄望
2012-12-13 14:58:547539 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27793 4G LTE好消息，來自ST-Ericsson的下一代LTE芯片，有望比當(dāng)前的芯片少消耗至少50%的電量。
2013-01-06 09:35:36489 AMD代號(hào)Jaguar（美洲虎）的處理器是Bobcat（山貓）的繼任者，并將采用28nm制程工藝，是專為移動(dòng)設(shè)備準(zhǔn)備的芯片解決方案，使用 Jaguar架構(gòu)的芯片功耗將從低于5W至25W的產(chǎn)品不等。
2013-02-20 09:01:261510 
Chipworks制程分析室的研究人員對(duì)使用臺(tái)積電28nm HPL制程工藝（基于gatelast HKMG技術(shù)）制作的賽靈思Kintex-7 FPGA芯片進(jìn)行了工藝 解剖，這是分析報(bào)告。
2017-02-11 06:39:112778 2009年2月16日ST-Ericsson在上海宣布，將在巴塞羅那舉行的世界移動(dòng)大會(huì)上，演示全球首個(gè)支持Symbian OS（操作系統(tǒng)）的對(duì)稱式多處理（SMP）移動(dòng)平臺(tái)。這項(xiàng)技術(shù)突破在移動(dòng)領(lǐng)域尚屬
2017-12-04 14:19:05157 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:425975 集微網(wǎng)消息，格羅方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（ST）選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI（22FDX）制程技術(shù)平臺(tái)，以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 集中在28nm，但是下一代的18nm將不會(huì)太遠(yuǎn)。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎(chǔ)，提供基礎(chǔ)的工藝服務(wù)，未來將開發(fā)RF和eMRAM技術(shù)。
2018-04-10 17:30:001703 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說2018以及未來五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 量信息處理領(lǐng)域：高清電視的視頻處理，3G、LTE和LTE Advanced基站，軍用雷達(dá)?！ ?
28nm制程成本比40nm還貴，這似乎違背了追求更低制程的初衷——降低單位芯片成本，但這絲毫不減廠家對(duì)28nm的追逐熱度。
2018-06-22 05:28:003927 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正獲得越來越多的市場(chǎng)關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上，三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:2811603 關(guān)鍵詞：LTE , 智能手機(jī) NovaThor L8580 ModAp平臺(tái)采用具有突破性的FD-SOI工藝技術(shù)，創(chuàng)新的設(shè)計(jì)支持高達(dá)2.5GHz的eQuad處理器，并整合了先進(jìn)的LTE多模modem
2018-11-14 20:54:02209 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:122777 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204247 
事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:453340 長期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444274 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù)，但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營收主力，中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719 。從制程工藝節(jié)點(diǎn)的迭代演變角度來看，28nm及以上屬于相對(duì)成熟制程，而目前各大芯片廠商奮力追逐的10nm、7nm、5nm甚至3nm則屬于先進(jìn)制程。 據(jù)悉，華為的電視、相機(jī)、機(jī)頂盒等產(chǎn)品應(yīng)用的SoC芯片采用28nm以上制程，這些產(chǎn)品貢獻(xiàn)臺(tái)積電營收約
2020-10-23 10:54:442708 ），博通（Broadcom）將原在中芯 28nm 制程生產(chǎn)的產(chǎn)品提早轉(zhuǎn)移過來，成為臺(tái)積電 28nm 產(chǎn)能利用率達(dá) 100% 的主要原因。 與目前的 5nm、7nm 工藝相比，28nm、40/45nm 盡管已推出較長時(shí)間，但它們?nèi)栽诶^續(xù)發(fā)揮作用，并在臺(tái)積電營收中占有較大比重。 責(zé)任編輯：PSY
2020-11-04 10:24:271509 近日，鼎龍股份接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，長江存儲(chǔ)、合肥長鑫、中芯國際對(duì)公司產(chǎn)品的評(píng)價(jià)較高。在存儲(chǔ)和先進(jìn)邏輯領(lǐng)域持續(xù)突破，客戶端28nm全制程測(cè)試進(jìn)展順利，部分制程已獲得訂單，拋光墊的技術(shù)研發(fā)已全面進(jìn)入14nm階段。
2020-11-27 10:23:071670 12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報(bào)告，28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長節(jié)點(diǎn)制程工藝。 在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:252414 最近，關(guān)于28nm工藝的新聞?lì)l頻見于報(bào)端。 一方面，臺(tái)積電日前宣布，將斥資約800億元新臺(tái)幣，把在南京廠建置28納米制程，目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬片月產(chǎn)能。除此之外，市場(chǎng)中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:322771 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:445719 7系列FPGA是基于28nm工藝制程。在7系列FPGA中，每個(gè)輸入/輸出區(qū)域（I/O Bank）包含50個(gè)輸入/輸出管腳，其中有4對(duì)（8個(gè)）全局時(shí)鐘管腳，稱之為CCIO（Clock-capable IO）。
2023-03-03 09:46:491323 （電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文簡單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過簡化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:2369
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