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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>大聯(lián)大友尚推出基于ST產(chǎn)品的DDR3/DDR4服務(wù)器內(nèi)存模塊溫度管理解決方案

大聯(lián)大友尚推出基于ST產(chǎn)品的DDR3/DDR4服務(wù)器內(nèi)存模塊溫度管理解決方案

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2016-12-17 21:59:120

ddr3ddr4的差異對比

DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬,DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133~3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì),各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152790

昂達(dá)瞄準(zhǔn)內(nèi)存市場,DDR3面向低端,面向AMD

這段時(shí)間,DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位,于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3,畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板,都已經(jīng)十分廉價(jià),組個(gè)入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264014

ddr4ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們再來看看DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895

SDRAM,DDR3,DDR2,DDR4,DDR1的區(qū)別對比及其特點(diǎn)分析

DDR3 SDRAM(Double Data Rate Three SDRAM):為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。 DDR4 SDRAM(Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925152

Crucial推出的128GB DDR4內(nèi)存,密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊

Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊,新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度,可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量,以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002096

宜鼎國際推出全球首個(gè)全系列DDR4 2666嵌入式內(nèi)存模塊解決方案

工控與嵌入式儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商—宜鼎國際(Innodisk),今日宣布推出全球首個(gè)全系列DDR4 2666嵌入式內(nèi)存模塊解決方案,這是迄今全球最快的嵌入式內(nèi)存系列,擁有各種規(guī)格與尺寸,支持新一代
2018-07-26 17:37:581206

JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布

關(guān)鍵詞:JEDEC , DDR4 , 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn):DDR4,它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍,且功耗更低
2018-09-30 00:15:012117

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存
2018-10-14 10:37:2823341

宜鼎發(fā)布全新強(qiáng)固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品

2018年11 月 15日 – 宜鼎今日發(fā)布全新強(qiáng)固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品,特別專注于各種工業(yè)嚴(yán)苛條件中的邊緣應(yīng)用。宜鼎國際DRAM全球事業(yè)處副總張偉民表示,DDR4 2666將于
2018-11-16 08:40:111156

高性能DDR4內(nèi)存解決方案的演示介紹

Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)
2018-11-30 05:33:003633

基于DDR3內(nèi)存的PCB仿真設(shè)計(jì)

DDR3內(nèi)存DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分,都采用源同步時(shí)序,即選通信號(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送,而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率,最高可達(dá)1866Mbps;DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù),明顯提高了存儲(chǔ)帶寬;其工作電壓為1.5V,保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736

DDR3DDR4的設(shè)計(jì)與仿真學(xué)習(xí)教程免費(fèi)下載

DDR3 SDRAM是DDR3的全稱,它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)(但目前主要用于顯卡內(nèi)存),頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì),與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000

Xilinx FPGA提供DDR4內(nèi)存接口解決方案

Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案,每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu),可支持大量I/O和超大存儲(chǔ)帶寬,并能夠
2020-05-28 15:00:573996

DDR3備受輕薄本板載內(nèi)存青睞 DDR3有何優(yōu)勢

從成本的角度來看,DDR3也許的確要比DDR4低一些,所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062

DDR5內(nèi)存DDR4有啥不同

第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感,也許正是這個(gè)原因,很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺,特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同,我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074

DDR3內(nèi)存突然漲價(jià)50% DDR5內(nèi)存將要上市

了,未來幾年被取代是水到渠成的,不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域,比如Wi-Fi路由等,它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存,相比DDR4便宜不少,可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能,現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:393279

ddr3有必要升級ddr4

DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB,更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884

DDR4相比DDR3的變更點(diǎn)

DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點(diǎn)相比DDR3,DDR4存在諸多變更點(diǎn),其中與硬件設(shè)計(jì)直接相關(guān)的變更點(diǎn)主要有:? 增加Vpp電源;? VREFDQ刪除;? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0028

DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別

DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者:AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154

DDR3內(nèi)存或退出市場三星等大廠計(jì)劃停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

日前,世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示,多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入,至今已長達(dá)15年,因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_,即便退出市場也不會(huì)
2022-04-06 12:22:564679

美光科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298

DDR4DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

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2023-07-24 09:50:470

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512822

DDR3DDR4的技術(shù)特性對比

摘要:本文將對DDR3DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是,DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步,成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz,而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905

完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 10:16:450

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 11:24:340

具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440

完整的DDR2、DDR3DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表

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2024-03-13 13:58:120

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