SDRAM與SRAM的區(qū)別

　　SDRAM

　　SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。目前的168線64bit帶寬內(nèi)存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內(nèi)存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。

　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信號，第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。

　　SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，第一代內(nèi)存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。

　　之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。

　　DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導(dǎo)，SDR不等于SDRAM。

　　SRAM

　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積，在主板上哪些是SRAM呢？

　　一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory ）；二是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。

　　還有一種是為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時設(shè)計在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。

　　SRAM顯然速度快，不需要刷新的動作，但是也有另外的缺點，就是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存?，F(xiàn)將它的特點歸納如下：

　　優(yōu)點，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。

　　缺點，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。

　　SRAM使用的系統(tǒng)：CPU與主存之間的高速緩存、CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存、CPU外部擴充用的COAST高速緩存、CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。

　　SRAM與SDRAM的比較：

　　SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會泄漏，需要定時給與補充，所以動態(tài)RAM需要設(shè)置刷新電路。但動態(tài)RAM比靜態(tài)RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適于作大容量存儲器。所以主內(nèi)存通常采用SDRAM，而高速緩沖存儲器（Cache）則使用SRAM，在存取速度上，SRAM》SDRAM。另外，內(nèi)存還應(yīng)用于顯卡、聲卡及CMOS等設(shè)備中，用于充當(dāng)設(shè)備緩存或保存固定的程序及數(shù)據(jù)。