1. 背景 這篇文章主要介紹了DDR3IP核的寫實現(xiàn)。 2. 寫命令和數(shù)據(jù)總線介紹 DDR3 SDRAM控制器IP核主要預留了兩組總線，一組可以直接綁定到DDR3 SDRAM芯片端口，一組是留給
2020-12-31 11:17:02
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本實驗為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實驗做鋪墊，通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應用，是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實驗的基礎。
2021-02-05 13:27:008224 
2、512Mb-2Gb LP DDR2，以及?LP DDR4x、LP DDR3、LP DDR、SDRAM，適用于需配備4Gb 或以下容量DRAM 的應用，?如人工智能加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、工業(yè)用、電信、
2022-04-20 16:04:032554 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學習DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472871 
的SDRAMs其結果如圖6所說，63位，N=3。圖6 地址映射例子2.5. DDR3內(nèi)存控制器接口為了使得數(shù)據(jù)能夠有效的將數(shù)據(jù)源從DSP搬運外部DDR3 SDRAM中，DDR3內(nèi)存控制器使用了一個命令
2018-01-18 22:04:33
嗨，我是FPGA領域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
為了實現(xiàn)更強大的系統(tǒng)操作，DDR3 SDRAM驅(qū)動器設計通過降低電容得到了增強，動態(tài)片上端接（ODT）和新的校準方案。電容減少來自于使用新的合并驅(qū)動器。使用新驅(qū)動程序，組成輸出驅(qū)動程序的電路共享用于ODT。DDR2上使用單獨的結構作為輸出驅(qū)動器和終端阻抗。
2019-05-23 08:20:56
我們知道DDR3內(nèi)存條，通常有個速率DDR3-800，DDR3-1066，DDR3-1333等，這個說明他們的最高工作頻率不能超過400MHz，533MHz。。。但還有一個最低工作頻率要求，請問在DDR3內(nèi)存條顆粒是那個指標？為什么有這個要求？
2012-10-23 22:52:34
和安全性大大提高?！ ? DDR3介紹 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號（時鐘）不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比 DR2有更高
2014-12-15 14:17:46
通過
DDR3內(nèi)存名MT41J128M16-16Meg*16*8Banks通過命名怎樣算出內(nèi)存的大?。?/div>
2017-06-15 21:19:11
HI，我的FPGA是Kintex-7的XC7K410T-2FFG900。我的DDR3是2Gb，由128Mb * 16組成。 DDR3數(shù)據(jù)速率為1600Mbps，因此我必須在HP BANK中使用VRN
2020-07-21 14:47:06
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應用在計算機及電子產(chǎn)品領域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
為任意或所有DDR3 SDRAM器件提供單獨的終端阻抗控制，提高了存儲器通道的信號完整性。圖2：DDR3存儲器控制器IP核框圖DDR3存儲器控制器應支持廣泛的存儲器速率和配置，以滿足各種應用需求。例如
2019-05-24 05:00:34
DDR3存儲器接口控制器是什么？有什么優(yōu)勢？
2021-04-30 06:57:16
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
這篇帖子跟大家一起來討論下DDR3布線的那些事：DDR3的設計有著嚴格等長要求，歸結起來分為兩類（以64位的DDR3為例）： 數(shù)據(jù) （DQ,DQS,DQM）：組內(nèi)等長，誤差控制在20MIL以內(nèi)，組間
2016-10-28 10:25:21
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
DDR3芯片讀寫控制及調(diào)試總結，1. 器件選型及原理圖設計（1） 由于是直接購買現(xiàn)成的開發(fā)板作為項目前期開發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關于DDR3，之前有小結過如果進行DDR3的SW leveling和進行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時，如果進行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結一下，附上相關文檔。如有相關問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
在使用DDR3 SDRAM Controller with Uniphy ip（quartus prime 17.1 ）核時卡在如下情況，無法生成（持續(xù)一晚上）， 且軟件沒有報錯誤及其它提示。再換用
2018-05-14 19:29:26
（flight-time skew）來降低共同切換噪聲（SSN）。走線擺率可以達到0.8tCK，這個寬度導致無法確定在哪兩個時鐘周期獲取數(shù)據(jù)，因此，JEDEC為DDR3定義了校準功能，它可以使控制器
2019-04-22 07:00:08
DDR3的理論帶寬怎么計算？用xilinx的控制器輸入時鐘200M。fpga與DDR的接口如下：
2016-02-17 18:17:40
=1.5V；但我看了一篇FPGA的DDR3 IP核例化文章，上面寫FPGA的BANK1,3連接外部存儲控制器（如下圖，且只有四個BANK），所以要將DDR3連接在BANK3上。所以DDR3如何與FPGA芯片
2021-11-29 16:10:48
如果沒有將均衡功能直接設計到FPGA I/O架構中，那么任何設備連接到DDR3 SDRAM DIMM都將是復雜的，而且成本還高，需要大量的外部元器件，包括延時線和相關的控制。
2019-08-21 07:21:29
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設計。Gowin DDR3 參考設計可在高云官網(wǎng)下載，參考設計可用于仿真，實例化加插用戶設計后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
”。13.點擊“Generate”生成MIG控制器。四、生成文檔點擊“Generate”，生成MIG控制器相關的設計文檔。以上就是基于Xilinx 的K7 DDR3 IP核的生成配置過程。
2019-12-19 14:36:01
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請問如何調(diào)用這些文件實現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說是要等到local_init_done為高電平后，才能進行讀寫操作。請問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
看完保證你會做DDR3的仿真
2015-09-18 14:33:11
SDRAM 相連的是BANK35 的 IO，DDR3 的硬件設計需要嚴格考慮信號完整性，我們在電路設計和 PCB設計的時候已經(jīng)充分考慮了匹配電阻/終端電阻，走線阻抗控制，走線等長控制，保證DDR3 高速
2021-07-30 11:23:45
你好。我最近第一次對待Vivado。我想使用DDR3內(nèi)存和IDELAYE2。該設備是Kintex-7。當我一起使用DDR3控制器和IDELAYE2時發(fā)生錯誤，并且無法形成位文件。當我丟失
2020-08-20 09:40:23
＆amp; 14用于DDR3內(nèi)存接口，但由于我使用的是3.3V的fash存儲器IC，我必須使用bank 14進行閃存存儲器接口。原因是需要的資源僅在Bank 14中可用.DDR3存儲器連接的bank應該工作在
2020-04-17 07:54:29
的。DDR3控制器調(diào)用Write leveling功能時，需要DDR3 SDRAM顆粒的反饋來調(diào)整DQS與CK之間的相位關系，具體方式如下圖一所示。Write leveling 是一個完全自動的過程。控制器
2022-12-16 17:01:46
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
大家好！
我剛剛買了TMDSEVM6678L開發(fā)套件，這款套件應該有512MB的DDR3 SDRAM，從圖上看，有5塊芯片組成這512MB的DDR3，但是我的板子上DDR3部分只有4塊芯片，請教一下各位是我的板子少了一塊芯片還是這4塊芯片容量比5塊的要大，所以總量還是512MB呢？
謝謝！
2018-06-24 05:29:03
為任意或所有DDR3 SDRAM器件提供單獨的終端阻抗控制，提高了存儲器通道的信號完整性。圖2：DDR3存儲器控制器IP核框圖DDR3存儲器控制器應支持廣泛的存儲器速率和配置，以滿足各種應用需求。例如
2019-05-27 05:00:02
進行了DDR3 SDRAM控制器的編寫，分析并提出了提高帶寬利用率的方法。最終將其進行類FIFO接口的封裝，屏蔽掉了DDR3 IP核復雜的用戶接口，為DDR3數(shù)據(jù)流緩存的實現(xiàn)提供便利。系統(tǒng)測試表明，該
2018-08-02 09:34:58
優(yōu)仲裁模塊、讀寫邏輯控制模塊和DDR3存儲器控制模塊。DDR3存儲控制器模塊采用Xilinx公司的MIG核，用戶只需要通過IP核的GUI選擇內(nèi)存芯片并進行相關參數(shù)設置，即可完成DDR3的配置工作[6
2018-08-02 09:32:45
作者：吳連慧，周建江，夏偉杰摘要：為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突，設計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器
2018-08-02 11:23:24
12位，擴展成16位后進行存儲，DDR3內(nèi)部以1067M處理速度，32位的處理帶寬進行存儲，寫數(shù)據(jù)時從地址全0寫到地址全1，讀數(shù)據(jù)時也從地址全0讀到全1，經(jīng)對比無誤，說明該控制器能夠較好地進行高速讀寫操作。`
2018-08-30 09:59:01
。 本手冊以一個經(jīng)過驗證的可穩(wěn)定工作的設計為例，來系統(tǒng)介紹高云FPGA連接DDR3的硬件設計方法，F(xiàn)PGA芯片型號采用GW2A-LV18PG256，存儲芯片采用鎂光（Micron）公司生產(chǎn)的單晶粒封裝
2022-09-29 06:15:25
DDR3存儲器控制器面臨的挑戰(zhàn)有哪些？如何用一個特定的FPGA系列LatticeECP3實現(xiàn)DDR3存儲器控制器。
2021-04-30 07:26:55
均衡的定義和重要性是什么如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設計？
2021-05-07 06:21:53
現(xiàn)在因為項目需要，要用DDR3來實現(xiàn)一個4入4出的vedio frame buffer。因為片子使用的是lattice的，參考設計什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實現(xiàn)這個vedio
2015-08-27 14:47:57
的工作時鐘頻率。然而，設計至DDR3的接口也變得更具挑戰(zhàn)性。在FPGA中實現(xiàn)高速、高效率的DDR3控制器是一項艱巨的任務。直到最近，只有少數(shù)高端（昂貴）的FPGA有支持與高速的DDR3存儲器可靠接口的塊
2019-08-09 07:42:01
大家好，我試圖通過vivado v14.3生成DDR3控制器。我正在選擇DDR3 SODIMM模塊“MT8KSF1G72HZ-1G6”。該工具支持該器件，最高頻率可達666.66MHz，但該模塊的數(shù)據(jù)表明最高頻率可達800MHz。請幫我確定問題所在。感謝致敬Tarang JIndal
2020-07-31 06:07:43
你好我們計劃使用XC7Z020 PS部分的DDR3內(nèi)置控制器將其連接到2個芯片[MT41K128M16] -32位數(shù)據(jù)寬度。我們計劃再使用一個DDR3組件來支持ECC。請告知我們XC7Z020 PS中DDR3控制器引腳的詳細信息，包括ECC引腳詳細信息。謝謝Pench
2020-03-24 09:34:32
怎樣對DDR3芯片進行讀寫控制呢？如何對DDR3芯片進行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
目前有一個項目需要使用DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨這個DDR3以前沒有使用過，時序又比較復雜，所以短時間內(nèi)難以完成，希望做過DDR3控制器的大神指點一二。急求?。。?！
2015-11-16 09:18:59
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
數(shù)據(jù)速率 800Mbps
一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實現(xiàn) DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
請問AD9361正常工作需要DDR3嗎，需要外部存儲器嗎？
2018-10-26 09:29:50
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 11:34 編輯
各位專家好！剛剛學習DSP,還沒有入門。實驗室購買了TMS320C6678開發(fā)板。請問：1、為什么DSP需要外接DDR3?2
2018-06-20 00:40:57
我需要在V7中實現(xiàn)與DDR3 SDRAM相同的功能和接口。這意味著命令/地址，讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)流的方向與MIG的方向不同。這可以實現(xiàn)嗎？
2020-07-14 16:18:04
本文介紹了DDR3 SDRAM 的基本特點和主要操作時序,給出了一種基于ALTMEMPHY宏功能的DDR3 SDRAM控制器的設計方法。詳述了控制器基本結構和設計思想,分析了各模塊功能與設計注意事項,并
2010-07-30 17:13:55
30 不只計算機存儲器系統(tǒng)一直需要更大、更快、功率更低、物理尺寸更小的存儲器，嵌入式系統(tǒng)應用也有類似的要求。本應用指南介紹了邏輯分析儀在檢驗DDR, DDR2 和DDR3 SDRAM 命令和
2010-08-06 08:29:4979 基于協(xié)議控制器的DDR3訪存控制器的設計及優(yōu)化_陳勝剛
2017-01-07 19:00:3915 雖然新一代電腦/智能手機用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 為解決超高速采集系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)緩存問題，文中基于Xilinx Kintex-7 FPGA MIG_v1.9 IP核進行了DDR3 SDRAM控制器的編寫，分析并提出了提高帶寬利用率的方法。最終將其進行
2017-11-16 14:36:4119504 
DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4925152 為了滿足高速圖像數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中對高帶寬和大容量的要求，利用Virtex-7 系列FPGA 外接DDR3 SDRAM 的設計方法，提出了一種基于Verilog-HDL 語言的DDR3 SDRAM
2017-11-17 14:14:023290 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達1866Mbps；DDR3還采用8位預取技術，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎上采用的新型設計，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 學完SDRAM控制器后，可以感受到SDRAM的控制器的書寫是十分麻煩的，因此在xilinx一些FPGA芯片內(nèi)已經(jīng)集成了相應的IP核來控制這些SDRAM，所以熟悉此類IP核的調(diào)取和使用是非常必要的。下面我們以A7的DDR3 IP核作為例子進行IP核調(diào)取。
2019-11-10 10:28:454702 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設計資料總結包括了：一、DDR的布線分析與設計，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設計建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:234062 POD模式；? 增加ACT_n控制指令為增強數(shù)據(jù)讀寫可靠性增加的變更點主要有：? DBI；? Error Detection；1 電源變化DDR3與DDR4的96 Ball封裝pin定義...
2021-11-06 20:36:0028 ，以及對應的波形圖和 Verilog HDL 實現(xiàn)。我們調(diào)取的 DDR3 SDRAM 控制器給用戶端預留了接口，我們可以通過這些預留的接口總線實現(xiàn)對該 IP 核的控制，本章節(jié)將會講解如何根據(jù) Xilinx 官方提供的技術參數(shù)來實現(xiàn)對 IP 核的寫控制。寫命令和寫數(shù)據(jù)總線介紹DDR3 SDRAM控制器I
2021-12-04 19:21:054 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:051915 DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構來實現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結構是一種8n預取架構，其接口經(jīng)過設計，可在I/O引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:003 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56518 
是目前使用最為廣泛的計算機內(nèi)存標準，它已經(jīng)服務了計算機用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術的進步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 已全部加載完成
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