目前韓國日本之間的糾紛還沒擺平，但是考慮到韓國三星、SK海力士兩家公司占了全球70%以上的內(nèi)存、50%以上的閃存生產(chǎn)，日本制裁對韓國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)影響會很大，如果雙方不解決供應限制的話。威剛方面看好NAND閃存漲價，預計NAND閃存芯片將漲價10%到15%，而SSD硬盤也會有差不多的漲幅。
2019-07-09 09:28:02
1465 三星電子和SK海力士已經(jīng)將閃存芯片的堆疊層數(shù)增加至100層以上，并以此作為提高半導體收益的重要武器。最近，主要的智能手機制造商正在擴大高容量旗艦手機的產(chǎn)出，預計數(shù)據(jù)中心運營商也將在2019年下
2019-08-16 00:55:007075 ，消費者可能正在考慮使用諸如NAND和SSD之類的NAND閃存設備的成本顯著增加。 NAND閃存的整體價格可能會在2020年急劇上升，可能會使價格上漲40％ 如果這個預測是正確的，那么消費者應該會看到SSD或任何使用NAND閃存產(chǎn)品的價格急劇上漲。到2020年，從2.5英寸固態(tài)硬盤，M.2固態(tài)硬
2020-01-06 11:15:333821 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
2013-06-25 17:04:26684 
據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，由于高端智能手機的銷量疲軟，導致第三季度對NAND閃存的需求可能會弱于預期。 7月份NAND的價格下降了5%左右，并可能在8到9月份繼續(xù)下降。
2013-07-30 10:37:56965 由于在今年的購物假期中消費者購買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升，在接下來的數(shù)周甚至數(shù)月時間內(nèi)NAND閃存的價格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報告，2016年第3季度NAND閃存全球總營收同比增長19.6%，究其原因是因為在該季度使用閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10659 
據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
的存儲成本。在認識到不斷縮小的光刻技術(shù)的擴展局限性之后，需要一種新的方法來增加每個設備的密度，同時降低每 GB 的相對成本，此時便出現(xiàn)了3D NAND FLASH。16nm制程以上的閃存如28nm多屬
2020-11-19 09:09:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 編輯
觀點：盡管NAND閃存市場需求在一定程度上受到了經(jīng)濟形勢的影響，但美光市場卻逆勢增長，其市場份額首次突破20%大光。這是其
2012-09-24 17:03:43
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應用程序復制到
2023-03-29 07:06:44
嗎？ NAND閃存與Xilinx Spartan 6兼容嗎？有人可以幫助我，謝謝。格拉迪斯以上來自于谷歌翻譯以下為原文According to the datasheet, The Spartan 6
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
40G和100G已然存在，但為什么還要使用25G？為什么25G比40G更適合數(shù)據(jù)中心市場？
2021-05-19 06:59:20
%；其他半導體客戶端也有類似的狀況。不過IHS指出，在2012年第一季，半導體供應商訂單量增加，訂單出貨比也達到平均，意味著供需狀況逐漸達到平衡。這樣的發(fā)展情勢再加上對第二季需求成長的預期，使得半導體
2012-06-12 15:23:39
，優(yōu)化了控制器，這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%，而寫入速度提高將近20%。 市場對于能夠支持智能手機、平板電腦等應用的NAND閃存的需求繼續(xù)增長。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應求，因為
2018-09-13 14:36:33
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應，緩解市場對降價的預期。 64層和96層堆棧閃存命運各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應 nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
在我使用MPLAB X IDE和XC32編譯程序的好日子里，當我寫一個簡單的代碼來打開一個LED時，會提出兩個關(guān)于我的第一個編譯的問題，只有幾個指令，我注意到，HEX文件比預期的要大，如果我在程序
2018-11-08 15:23:56
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01
183 由于市場對于iPod音樂播放器的需求大增，蘋果電腦(Apple Computer)計劃今年下半年買下三星電子NAND閃存產(chǎn)量的40%左右。隨著蘋果電腦從硬盤iPod轉(zhuǎn)向具有4GB
2006-03-13 13:08:41500 某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”
近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等
2009-12-03 09:24:11425 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
市場研究機構(gòu)IHS iSuppli估計，在全球平板電腦應用的NAND閃存市場貢獻近八成的蘋果，將在2015年以前繼續(xù)穩(wěn)坐平板電腦NAND采購大戶寶座。
2012-03-18 11:55:492072 雖然符合新的通用閃存卡（UFS）規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡（eMMC）標準在許多手機和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位
2012-03-30 08:46:141488 據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設備的需求持續(xù)增加，東芝(微博)最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
2012-04-04 18:32:05670 今年全球NAND閃存營業(yè)收入預計增長8%，從2011年的212億美元上升到229億美元。按照今年的營業(yè)收入預期，全球出貨量相當于28823個1GB器件，而2011年是17401個。隨著智能手機、平板電腦和超
2012-04-24 09:40:51571 
據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報，盡管超級本領域使用的固態(tài)硬盤（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應商相比，專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14807 
東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 美光在NAND閃存市場的份額首次超過20%， 營業(yè)收入增長，使得排名第三的美光縮小與第二名東芝之間的差距。
2012-09-14 09:34:32877 
內(nèi)存市場日益擴大，研調(diào)機構(gòu) IC Insights 最新報告預測，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復合增長率（CAGR）可達 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價格一直在下滑，市場供需情況已經(jīng)變了，本來預計Q3季度會有蘋果新機拉貨導致的需求提升，藉此提振下NAND價格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價格還會繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。
2018-06-30 14:34:00362 在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口，導致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 用于擴充產(chǎn)能的資本支出超出市場實際需求，毫無疑問，將導致NAND閃存價格下滑。實際上，自2018年開始，NAND閃存價格已現(xiàn)疲弱。而且，價格走軟有望從2018年下半年一直持續(xù)到2019年。
2018-07-13 11:45:378876 
據(jù)報道，隨著對特斯拉Model 3的需求增加，松下將在2018年底將其超級工廠Gigafactory的2170電池產(chǎn)量增加30％以上。
2018-08-01 15:45:49864 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數(shù)達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188 2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后，NAND閃存（flash）市場在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了，從而導致價格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570 
的NAND閃存將占全球NAND市場的30%，2020年將達到40%，但是國內(nèi)的SSD產(chǎn)品中，絕大部分還在使用國外的NAND+主控，該市場也正是國內(nèi)半導體發(fā)展的突破口。
2018-09-19 16:11:001540 Altera公司開發(fā)了基于其Arria 10 SoC的存儲參考設計，與目前的NAND閃存相比，NAND閃存的使用壽命將加倍，程序擦除周期數(shù)增加了7倍。參考設計在經(jīng)過優(yōu)化的高性價比單片解決方案中包括
2018-08-24 16:47:00605 Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應用。NAND閃存 設備就是
2018-09-21 20:06:01485 從Q1季度之后，NAND閃存價格就止不住下滑了，主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增，而需求卻降下來了，智能手機市場已經(jīng)連續(xù)多個季度下滑，蘋果新機不如預期，英特爾CPU缺貨
2018-11-20 10:14:14623 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示，為了適應當前市場的狀況，美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的數(shù)據(jù)，2019年他們預測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%，低于此前預測的20%增長，而NAND閃存預計增長35%，也低于之前預計的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:053511 NAND的平均售價（美元/ GB）會降低54％，而下半年同比下降45％。 市場供應和需求是影響客戶支付閃存存儲價格的兩個主要因素，需求增加會推動價格上漲，促使供應商增加產(chǎn)量。如果供過于求，則可能會導致產(chǎn)量過剩以及價格下跌。 NAND 閃存產(chǎn)品平均售價年度變化（最右側(cè)年度價格變化
2019-03-20 15:09:01282 2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市，領跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 在連跌7個季度之后，NAND閃存市場將在今年底迎來轉(zhuǎn)機，Q3季度閃存價格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄，預計Q4季度會由跌轉(zhuǎn)漲，漲幅約為10%。
2019-10-14 14:46:022554 從去年初以來，全球NAND Flash閃存市場價格已經(jīng)連跌了6個季度，導致的后果就是六大NAND閃存供應商營收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53502 據(jù)韓媒BusinessKorea報道，市場研究公司預測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學習和虛擬現(xiàn)實將引領明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報道，市場研究公司預測，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學習和虛擬現(xiàn)實將引領明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。
2019-12-23 14:13:44647 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
新年伊始，讓PC用戶們心情復雜的消息傳來，存儲業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:01:16719 新年伊始，讓PC用戶們心情復雜的消息傳來，存儲業(yè)內(nèi)人士指出，NAND Flash閃存芯片的價格將在今年提高40%之多。
2020-01-02 16:30:182865 據(jù)消息報道，臺灣內(nèi)存芯片制造商的消息人士預測，NAND閃存合同價格將在2020年上漲40％。這將包括硬件產(chǎn)品，例如存儲卡、USB閃存驅(qū)動器和固態(tài)驅(qū)動器。根據(jù)DRAMeXchange的說法，SSD的合同價格已經(jīng)下降了幾年，在生產(chǎn)問題導致NAND產(chǎn)量下降之后，直到2019年第二季度才開始再次上漲。
2020-01-03 17:15:482761 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 的投資額就達8萬億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強其在存儲器領域的競爭力，此次再度大舉投資擴產(chǎn)，或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進，再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口，導致價格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲器大廠美光（Micron）也宣布擴產(chǎn)，以補足市場供不應求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 后悔。 據(jù)韓媒報道，CEO Lee Seok-hee在本周三表示，公司計劃在5年的時間內(nèi)，將閃存業(yè)務的收入增加兩倍。 按照Omdia的數(shù)據(jù)，SK海力士2019年的閃存業(yè)務收入是45.52億美元，Intel今年上半年NAND業(yè)務則有28億美元，因此，分析師們對SK海力士提出的目標表示看好。 至于收
2020-11-05 09:41:541253 據(jù)報道，第三季度財報優(yōu)于市場預期的SK海力士計劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調(diào)，決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務，在NAND市場占據(jù)領先地位。
2020-11-05 12:17:421538 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
日前，TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799 將環(huán)比下滑10%到15%，在2021年全年都將持續(xù)下滑。 從研究機構(gòu)的報告來看，NAND閃存的平均銷售價格在明年一季度環(huán)比下滑，很大程度上還是受供過于求影響。研究機構(gòu)在報告中表示，NAND閃存的產(chǎn)量，在明年一季度將增長6%，市場供應量會更高。 研究機構(gòu)
2020-12-15 18:04:461411 的平均銷售價格，在明年一季度將環(huán)比下滑 10% 到 15%，在 2021 年全年都將持續(xù)下滑。 從研究機構(gòu)的報告來看，NAND 閃存的平均銷售價格在明年一季度環(huán)比下滑，很大程度上還是受供過于求影響。研究機構(gòu)在報告中表示，NAND 閃存的產(chǎn)量，在明年一季度將增長 6%，市場
2020-12-15 18:10:162001 （至2022年底）。阿里巴巴已于本季度開始執(zhí)行該股份回購計劃。 報告顯示，明年 NAND 閃存控制芯片將漲價 15~20% 盡管研究機構(gòu)此前曾預測由于三星、SK 海力士、英特爾和長江存儲將提高產(chǎn)量，明年 NAND 閃存的平均價格將下降 10~15%，但根據(jù)集邦咨詢 (TrendFor
2020-12-29 15:58:362427 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
NAND價格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報價后，市場價格快速反轉(zhuǎn)走跌，第3季NAND晶圓跌價約達3成以上，相當于從年初高點下跌約達50%，由于終端備貨消極，晶圓廠報價持續(xù)探底，市場預估第4季NAND晶圓價格跌幅將再季減20%。
2022-11-01 12:36:27517 在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導體分析機構(gòu)Yole發(fā)布的報告顯示，2020年起，NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長，2021年，NAND閃存市場份額達到了近670億美元（見圖1），同年
2022-12-26 18:13:09991 
據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，西部數(shù)據(jù)在全球NAND閃存市場占有12.6%的份額，僅次于三星電子、鎧俠和SK Group，位居全球第四。
2023-02-09 10:11:22280 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197 
2Gb以下容量的 NAND型閃存絕大多數(shù)是（512+16）字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴大到（2048+64）字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001983 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:291744 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國的平澤、華城和中國的西安。業(yè)內(nèi)人士認為，三星的nand閃存產(chǎn)量可能會減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績中，由于市場持續(xù)低迷，三星電子正式公布了存儲器減產(chǎn)計劃。
2023-08-16 10:23:58423 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214 據(jù)最新報道，全球領先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預期。
2024-03-07 10:48:35264
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論