今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR市場(chǎng)內(nèi)部，兩種NOR也在自相殘殺。由于串行外圍接口（SPI） NOR的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，而且制造成本較低，所以正在奪取并行NOR的市場(chǎng)份額。
2013-04-10 16:15:51
2664 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231905 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦寫(xiě)次數(shù)是NOR 的十倍；NAND 的擦除和寫(xiě)入速度比NOR 快，讀取速度比NOR 稍慢；1、NAND 和NOR
2021-12-23 06:52:55
NOR Flash 和 NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR Flash 技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
（NOR Flash與NAND Flash連接線）：NOR Flash與主控芯片的連接線分為數(shù)據(jù)線和地址線，所以可以隨時(shí)訪問(wèn)任意地址。而NAND Flash與主控芯片的連接線只有一種，所以此線是復(fù)用...
2021-07-22 09:26:53
韋老師講NOR啟動(dòng)、NAND啟動(dòng)時(shí)，NOR啟動(dòng)，nor地位0，SRAM為0x4000,0000，SDRAM 0x3000,0000 這些數(shù)據(jù)是什么意思，這些地址是怎么來(lái)的？比如說(shuō)我以后用的不是
2019-05-06 09:21:48
本帖最后由 Mr_RMS 于 2018-3-12 10:34 編輯
nor flash啟動(dòng)與nand flash啟動(dòng)的區(qū)別1)接口區(qū)別：NOR FLASH地址線和數(shù)據(jù)線分開(kāi)，來(lái)了地址和控制信號(hào)
2018-03-12 10:19:26
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 編輯
NOR和NAND flash的區(qū)別
2012-08-09 09:15:10
NOR＋RAM的設(shè)計(jì)。NOR閃存的不足之處是存儲(chǔ)密度較低，所以也有采用NAND＋RAM的設(shè)計(jì)。對(duì)于這兩種方案，很難說(shuō)哪一種更好，因?yàn)槲覀儾荒茈x開(kāi)具體的產(chǎn)品而從某一個(gè)方面單純地去評(píng)價(jià)。追求小巧優(yōu)雅的手機(jī)將需要NOR
2013-04-02 23:02:03
直接運(yùn)行OS，速度很快，既簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，又降低了成本，所以許多手機(jī)都采用
NOR＋RAM的設(shè)計(jì)。
NOR閃存的不足
之處是存儲(chǔ)密度較低，所以也有采用
NAND＋RAM的設(shè)計(jì)。對(duì)于這兩種方案，很難說(shuō)哪一種更好，因?yàn)槲覀?/div>
2014-04-23 18:24:52
閃存。 相"flash存儲(chǔ)器"經(jīng)?？梢耘c相"NOR存儲(chǔ)器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是
2018-08-09 10:37:07
ARM-Linux應(yīng)用開(kāi)發(fā)和單片機(jī)開(kāi)發(fā)的不同之處在哪？ARM-Linux的基本開(kāi)發(fā)環(huán)境包括哪幾部分？
2021-07-29 06:15:53
大家好，問(wèn)候。我一直在使用EEPROM在我的工作生活的印象中EEPROM是用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)不經(jīng)常使用。如配置參數(shù)等。最近，我已經(jīng)被權(quán)力要求，以評(píng)估替代NAND閃存，因此，我已經(jīng)開(kāi)始看NOR閃存。老實(shí)說(shuō)
2019-02-14 13:28:02
FPGA設(shè)計(jì)與DSP設(shè)計(jì)相比，最大的不同之處在哪里？在做設(shè)計(jì)之前，如何選擇FPGA呢？
2021-04-30 06:50:51
什么是GD32？GD32和STM32有哪些不同之處？
2021-10-19 10:07:28
PCIe是什么？PCIe的架構(gòu)是由哪些部分組成的？PCIe總線和PCI總線有哪些不同之處呢？
2021-10-26 08:10:07
Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為哪幾種？Nor Flash 和Nand Flash有什么區(qū)別？SPI NAND Flash和SPI NOR Flash的區(qū)別在哪里？
2021-06-18 08:46:32
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。NAND 內(nèi)存是從起始頁(yè)面地址開(kāi)始的順序訪問(wèn)，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門(mén)來(lái)實(shí)現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
STM32板與FPGA有哪些不同之處呢？
2021-10-09 09:00:32
USART是什么？USAR又是什么？USART與USAR有哪些不同之處呢？
2021-12-13 08:08:16
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
伺服電機(jī)的缺點(diǎn)有哪些？閉環(huán)步進(jìn)電機(jī)的優(yōu)點(diǎn)有哪些？伺服電機(jī)和閉環(huán)步進(jìn)電機(jī)有哪些不同之處？
2021-09-27 07:58:29
高壓伺服電機(jī)有哪些優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)？低壓伺服電機(jī)和高壓伺服電機(jī)有哪些不同之處？
2021-09-30 07:10:06
我打算在我的項(xiàng)目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無(wú)法讓用戶(hù)代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過(guò)閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對(duì)）。
我
2023-05-31 06:38:49
《單片機(jī)原理及接口技術(shù)》(第2版)人民郵電出版社第1章單片機(jī)概述思考題及習(xí)題11．除了單片機(jī)這一名稱(chēng)之外，單片機(jī)還可稱(chēng)為和。答：微控制器，嵌入式控制器.2．單片機(jī)與普通微型計(jì)算機(jī)的不同之處在于其將
2021-09-10 07:07:15
NAND 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的I/O 端口只有8 個(gè)，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè)I/O 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得
2018-06-14 14:34:31
什么是單片機(jī)？什么是嵌入式呢？嵌入式和單片機(jī)有哪些不同之處呢？
2022-01-19 07:16:55
什么是舵機(jī)？舵機(jī)是由哪些部分組成的？舵機(jī)分為哪幾種？什么是無(wú)刷舵機(jī)？無(wú)刷舵機(jī)有何特點(diǎn)？數(shù)字舵機(jī)與模擬舵機(jī)有哪些不同之處？
2021-08-23 06:04:11
在很多領(lǐng)域都需要使用各種各樣的電機(jī)，其中就包括聲譽(yù)好的步進(jìn)電機(jī)和伺服電機(jī)。然而對(duì)于很多用戶(hù)來(lái)說(shuō)并不了解這兩種電機(jī)的主要區(qū)別在哪里，所以總是不知道如何抉擇。那么究竟步進(jìn)電機(jī)與伺服電機(jī)的不同之處主要表現(xiàn)在哪
2021-06-28 08:26:22
在過(guò)去幾年里，汽車(chē)應(yīng)用對(duì) NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應(yīng)用在信息娛樂(lè)和引擎控制等方面。然而，隨著汽車(chē)電腦化進(jìn)程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車(chē)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其是在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤(pán)和信息娛樂(lè)等系統(tǒng)對(duì)NOR 閃存的市場(chǎng)需求迅猛增長(zhǎng)。
2019-08-09 06:31:34
新ISO標(biāo)準(zhǔn)與舊ISO標(biāo)準(zhǔn)有何不同？汽車(chē)拋負(fù)載測(cè)試ISO7637 -5A 和ISO16750的不同之處在哪？
2021-07-12 07:48:10
在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益，但是很低的寫(xiě)入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度
2022-06-16 17:22:00
究竟步進(jìn)電機(jī)與伺服電機(jī)的不同之處主要表現(xiàn)在哪里呢？有哪幾個(gè)方面？
2021-06-28 08:33:32
線性與開(kāi)關(guān)電源有何不同之處？為GSPS ADC的PDN供電
2021-03-11 06:00:08
據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，閃存技術(shù)的特性使其相對(duì)于許多計(jì)算機(jī)技術(shù)而言發(fā)展得更迅猛。 Flash按照內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的不同，可以分為兩種：Nor Flash和Nand Flash。Nor Flash
2023-02-17 14:06:29
蝶式五軌滑蓋結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與磁動(dòng)力滑蓋結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的不同之處在哪？
2021-07-28 06:57:34
請(qǐng)問(wèn)nand flash和nor flash有什么不同？
2020-11-05 08:03:50
音頻撥號(hào)是什么？有何特點(diǎn)？音頻撥號(hào)和脈沖撥號(hào)有哪些不同之處呢？
2022-01-26 07:42:48
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，
2010-07-15 11:38:41
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988
2010-11-03 16:40:29112 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了
2006-04-17 20:48:523069 nand nor flash區(qū)別
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR
2008-06-30 16:29:231163 From M-system公司Arie TAL NAND和NOR的比較
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年
2009-09-13 14:07:371002 手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)明顯，NOR風(fēng)光不再
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同
2009-11-18 16:36:031184 
NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同
2009-11-25 10:26:21647 
NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:23770 
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被
2010-09-01 10:10:031079 
引言 NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理（ PDA）、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備
2017-10-19 11:32:527 LDO-DCDC-Charge-Pump的原理比較與不同之處
2017-11-27 14:22:5940 自于數(shù)據(jù)中心、電信與車(chē)用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲(chǔ)器占上季旺宏?duì)I收48%為最大產(chǎn)品線。 旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格仍穩(wěn)定微揚(yáng)，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對(duì)今年?duì)I運(yùn)看法樂(lè)觀。
2018-02-01 05:34:011107 
，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門(mén)，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶(hù)想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 NOR 閃存具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快等特性，雖然前幾年被NAND擠壓市場(chǎng)容量趨緩，但近年來(lái)自動(dòng)駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興產(chǎn)業(yè)的涌現(xiàn)，使得NOR 閃存又找到了新的用武之地， 由此圍繞NOR閃存的爭(zhēng)奪也將走向變局。
2018-06-11 01:52:001774 NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。
2018-09-18 15:10:169544 
為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來(lái)的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來(lái)極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01485 NOR閃存提升OTA固件升級(jí)能力
2019-07-02 15:33:222928 在NOR和NAND閃存中，存儲(chǔ)器被組織成擦除塊。該架構(gòu)有助于在保持性能的同時(shí)保持較低的成本，例如，較小的塊尺寸可以實(shí)現(xiàn)更快的擦除周期。然而，較小塊的缺點(diǎn)是芯片面積和存儲(chǔ)器成本增加。由于每比特成本較低，與NOR閃存相比，NAND閃存可以更經(jīng)濟(jì)高效地支持更小的擦除塊。
2019-08-29 17:26:2912636 
非揮發(fā)性快閃存儲(chǔ)器大廠旺宏董事長(zhǎng)表示，近期NOR Flash價(jià)格持穩(wěn)，看好5G基地臺(tái)及終端設(shè)備將會(huì)采用更多高容量NOR Flash。旺宏在SLC NAND Flash市場(chǎng)開(kāi)始擴(kuò)大出貨，19納米
2019-11-12 14:16:061465 同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類(lèi)型。最常見(jiàn)的兩種是NOR閃存和NAND閃存。
2019-12-05 11:54:343576 “數(shù)字化轉(zhuǎn)型”是當(dāng)今的一個(gè)熱門(mén)詞，但是它的新奇之處在哪里呢？那些在市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)領(lǐng)域工作的人總是不斷地制造新趨勢(shì)和新想法，以便吸引人們的注意力?！皵?shù)字化轉(zhuǎn)型”這個(gè)詞語(yǔ)就是由他們催生的。
2020-04-08 15:52:232704 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:527052 閃存市場(chǎng)上，盡管人們關(guān)注重點(diǎn)多集中于3D NAND等主流產(chǎn)品，但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車(chē)以及TWS耳機(jī)等消費(fèi)電子的發(fā)展，NOR閃存的需求量也在與日俱增，成為存儲(chǔ)芯片中另一個(gè)重要增長(zhǎng)點(diǎn)。日前，武漢
2020-09-20 09:44:082665 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)而已在嵌入式設(shè)備中廣泛使用了很長(zhǎng)時(shí)間。對(duì)于某些低功耗應(yīng)用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設(shè)備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:441619 使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同，F(xiàn)lash Memory主要可以分為NOR Flash和NAND FLASH兩類(lèi)。主要的差異如下所示： NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808 
NAND 閃存內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET（金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管）， 與普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同之處在于，在柵極（控制柵）與漏極/源極之間存在浮置柵，利用該浮置柵存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 Flutter Web 穩(wěn)定版本發(fā)布至今也有一年多了，經(jīng)過(guò)這一年多的發(fā)展，今天就讓我們來(lái)看看 Flutter Web 究竟有什么不同之處，本篇分享主要內(nèi)容是目前 Flutter 下少有較為全面的 Web 內(nèi)容。
2022-07-08 09:51:27793 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
不同的語(yǔ)音IC芯片除了內(nèi)容詞條不同，最直觀的就在于封裝上的差異處，那語(yǔ)音芯片掩膜中SOP封裝與DIP封裝不同之處在哪里？
2022-11-15 14:03:111069 
我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶(hù)可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 混頻器和變頻器都是電子電路中常見(jiàn)的元件，用于處理頻率。它們有一些相似之處，也有一些不同之處。
2023-11-13 09:34:43390 噪音抑制與主動(dòng)降噪：有何不同之處？
2023-11-30 17:29:48260 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型。
2023-11-30 13:53:20735 
單模和多模光纖跳線有哪些不同之處？ 單模和多模光纖跳線是兩種不同類(lèi)型的光纖連接方式，它們?cè)趥鬏斝阅堋⒐ぷ骶嚯x、適用場(chǎng)景等方面存在著一些不同之處。下面將詳細(xì)介紹單模和多模光纖跳線的區(qū)別，以供
2023-12-07 10:09:59975 
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