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SDRAM
SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
所謂的影響性能是并不是指SDRAM的帶寬，頻率與位寬固定后，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內(nèi)存的工作周期內(nèi)，不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸?shù)臓顟B(tài)，因為要有命令、尋址等必要的過程。但這些操作占用的時間越短，內(nèi)存工作的效率越高，性能也就越好。
非數(shù)據(jù)傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應(yīng)該很明顯看出有三個參數(shù)對內(nèi)存的性能影響至關(guān)重要，它們是tRCD、CL和tRP。每條正規(guī)的內(nèi)存模組都會在標識上注明這三個參數(shù)值，可見它們對性能的敏感性。
以內(nèi)存最主要的操作——讀取為例。tRCD決定了行尋址（有效）至列尋址（讀/寫命令）之間的間隔，CL決定了列尋址到數(shù)據(jù)進行真正被讀取所花費的時間，tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉(zhuǎn)換的速度?，F(xiàn)在可以想象一下讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮CL即可）：
1．要尋址的行與L-Bank是空閑的。也就是說該L-Bank的所有行是關(guān)閉的，此時可直接發(fā)送行有效命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時為tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中（PH，Page Hit）。
2．要尋址的行正好是前一個操作的工作行，也就是說要尋址的行已經(jīng)處于選通有效狀態(tài)，此時可直接發(fā)送列尋址命令，數(shù)據(jù)讀取前的總耗時僅為CL，這就是所謂的背靠背（Back to Back）尋址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
3．要尋址的行所在的L-Bank中已經(jīng)有一個行處于活動狀態(tài)（未關(guān)閉），這種現(xiàn)象就被稱作尋址沖突，此時就必須要進行預(yù)充電來關(guān)閉工作行，再對新行發(fā)送行有效命令。結(jié)果，總耗時就是tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失（PM，Page Miss）。
顯然，PFH是最理想的尋址情況，PM則是最糟糕的尋址情況。上述三種情況發(fā)生的機率各自簡稱為PHR——PH Rate、PFHR——PFH Rate、PMR——PM Rate。因此，系統(tǒng)設(shè)計人員（包括內(nèi)存與北橋芯片）都盡量想提高PHR與PFHR，同時減少PMR，以達到提高內(nèi)存工作效率的目的。
SDRAM 基本知識
SDRAM只有一組地址線，一組數(shù)據(jù)線，其中地址線分為行地址和列地址，它通過RAS行地址鎖存器和CAS列地址鎖存器來實現(xiàn)行列。很多人可能會跟我一樣，算一下它的容量不符合自己板子，下面就是計算容量的公式。這也是公司比較正規(guī)的表示方法：
2，097，152-WORDS X 4BANKS X 16-Bits
4，194，304-WORDS X 4BANKS X 8-Bits
8，388，608-WORDS X 4BANKS X 4-Bits
SDRAM即同步動態(tài)RAM ：所有輸入信號均在時鐘上升沿被采樣，需要動態(tài)刷新保持數(shù)據(jù)
1、重要的連接信號：
a、 RAS：行地址鎖存
b、 CAS：列地址鎖存
c、 WE：寫使能
d、 DQ0-DQ15：數(shù)據(jù)總線
e、 DQML、DQMH：數(shù)據(jù)I/O屏蔽，讀模式下屏蔽輸出緩沖，寫模式下屏蔽輸入緩沖，DQML控制DQ0-DQ7，DQMH控制DQ8—DQ15
f、 A10連接自動放電
2、擴展方式：
使用雙片級聯(lián)，將16位數(shù)據(jù)線擴展為32位，從而與32位CPU匹配，優(yōu)化SDRAM性能。擴展后一個地址對應(yīng)32位，從而一個地址單元以4Byte進行數(shù)據(jù)訪問時，內(nèi)存會忽略A0和A1，故SDRAM的A0接CPU數(shù)據(jù)線的A2。如果需要訪問地址偏移為01的單個字節(jié)，通過DQML和DQMH信號進行幫助。
3、SDRAM的burst mode：一種利用內(nèi)部列地址發(fā)生器來工作的高速讀寫模式，只要設(shè)置最開始的列地址，后面的地址就可以通過內(nèi)部的列地址發(fā)生器來自動生成。
4、SDRAM的初始化：
SDRAM上電后使用前必須要經(jīng)過一段初始化操作才可以使用。這個操作過程是標準的過程。這個過程如下：
a、 放電（precharge）：關(guān)閉存儲單元，使存儲單元無效。
b、 自動刷新（auto-refresh）
c、 加載模式寄存器（Load Mode Register）
d、 正常讀寫
在輸入precharge命令后，因為必須是對所有BANK進行Precharge，所以A10這個管腳要設(shè)置成高，因此在Precharge后面要做一個讀的操作，這個操作最主要的是在SDRAM的尋址空間里設(shè)置的地址必須是A10是高的。在輸入Auto-refresh命令后，一般要跟幾句空操作或者讀什么之類的，反正要達到延遲的目的，以使得SDRAM有時間來完成refresh。之后就是要設(shè)置SDRAM的模式寄存器，這個寄存器里一般設(shè)置了burst長度，CAS，burst類型，操作模式，還有是設(shè)置SDRAM是工作在單個讀寫操作還是burst操作下。而這個寄存器的設(shè)置也是通過地址線來設(shè)置的，所以在發(fā)出Load Mode Register命令后要做一個操作可是使得在SDRAM的地址線上出線的值就是你要設(shè)置的值。這里很有必要提醒的一下的是，這個操作是8位的操作。設(shè)置完模式寄存器后就進入正常操作模式。
5、基本的讀寫操作：
SDRAM的基本讀操作需要控制線和地址線相配合地發(fā)出一系列命令來完成。先發(fā)出BANK激活命令（ACTIVE），并鎖存相應(yīng)的BANK地址（BA0、BA1給出）和行地址（A0～A12給出）。BANK激活命令后必須等待大于tRCD（SDRAM的RAS到CAS的延遲指標）時間后，發(fā)出讀命令字。CL（CAS延遲值）個工作時鐘后，讀出數(shù)據(jù)依次出現(xiàn)在數(shù)據(jù)總線上。
在讀操作的最后，要向SDRAM發(fā)出預(yù)充電（PRECHARGE）命令，以關(guān)閉已經(jīng)激活的頁。等待tRP時間（PRECHARGE）命令，以關(guān)閉已經(jīng)激活的頁。等待tRP時間（PRECHAREG命令后，相隔tRP時間，才可再次訪問該行）后，可以開始下一次的讀、寫操作。SDRAM的讀操作只有突發(fā)模式（Burst Mode），突發(fā)長度為1、2、4、8可選。SDRAM的基本寫操作也需要控制線和地址線相配合地發(fā)出一系列命令來完成。先發(fā)出BANK激活命令（ACTIVE），并鎖存相應(yīng)的BANK地址（BA0、BA1給出）和行地址（A0～A12給出）。
BANK激活命令后必須等待大于tRCD的時間后，發(fā)出寫命令字。寫命令可以立即寫入，需寫入數(shù)據(jù)依次送到DQ（數(shù)據(jù)線）上。在最后一個數(shù)據(jù)寫入后延遲tWR時間。發(fā)出預(yù)充電命令，關(guān)閉已經(jīng)激活的頁。等待tRP時間后，可以展開下一次操作。寫操作可以有突發(fā)寫和非突發(fā)寫兩種。突發(fā)長度同讀操作。
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6、AT91sam9260 SDRAM
型號MT48LC16M16A2，為4MB*4*16bit=32MB，采用雙片級聯(lián)構(gòu)成32位64MB的SDRAM。SDRAM采用地址信號線復(fù)用。行尋址使用A0-A12，尋址范圍8K字節(jié)；列尋址使用A0-A8，尋址范圍512字節(jié)；bank尋址使用BA0-BA1，尋址四個bank。使用額外的四根信號線連接兩片SDRAM的BA［1:0］。
AT91SAM9260使用SDRAMC初始化SDRAM初始化順序如下：
a、 設(shè)置配置寄存器SDRAMC_CR，填入寄存器中的值單位均為時鐘周期：
NC： Number of Column Bits，9
NR： Number of Row Bits，13
NB： Number of banks，4
CAS： CAS Latency，2-3
DBW：數(shù)據(jù)位寬32位
tWR：Write Recover Time，14ns
tRC： Row Cycle Delay， 默認值7
tRP： Row Precharge Delay，默認值3
tRCD：Row To Column Delay，15-20ns
tRAS：Active To Precharge Delay，37-44ns
tXSR：Exit Self Refresh To Active Delay，67-75ns
b、 在存儲設(shè)備寄存器（SDRAMC_MDR）中設(shè)置存儲類型為SDRAM
c、 提供200us的延遲
d、 向SDRAM設(shè)備發(fā)出NOP命令：設(shè)置SDRAM 模式寄存器中設(shè)置模式為1，向SDRAM任意地址執(zhí)行寫操作。
e、 向SDRAM設(shè)備發(fā)出放電命令：設(shè)置SDRAM 模式寄存器中設(shè)置模式為2，向SDRAM任意地址執(zhí)行寫操作。
f、 提供8個自動刷新周期：設(shè)置SDRAM 模式寄存器中設(shè)置模式為4，向SDRAM任意地址執(zhí)行寫操作。
g、 發(fā)出模式寄存器設(shè)置周期，配置SDRAM模式寄存器參數(shù)，尤其是CAS Latency和burst length。程序必須設(shè)置模式寄存器為模式3，對SDRAM執(zhí)行寫訪問，地址中BA［1:0］必須為0
h、 進入正常模式：設(shè)置SDRAM 模式寄存器中設(shè)置模式為0，向SDRAM任意地址執(zhí)行寫操作。
在SDRAMC Rfresh Timer寄存器的count字段中寫入刷新率，刷新率為刷新周期間的延遲，自動刷新周期7.81us*100MHz=781
SDRAM（Synchronous DRAM），因為Synchronous，所以所有信號都是和時鐘信號同步。可以把SDRAM看成是EXCEL電子表格，通過行地址和列地址就唯一的鎖定了一個單元格的內(nèi)容，一般的SDRAM都有2個或者兩個以上的Bank，就像一個EXCEL文檔有2個或者兩個以上的sheet，每個sheet又由行號和列號鎖定單元格內(nèi)容。
在實際工作中，bank地址和行地址一起發(fā)出，這個命令叫做行激活（Row Active），此后列地址和操作指令（讀或?qū)懀┮惨黄鸢l(fā)出，這兩組信號之間有個延遲。根據(jù)行業(yè)標準，定義此時間為從行有效到讀/寫命令發(fā)出之間的間隔tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲，RAS就是行地址選通脈沖，CAS就是列地址選通脈沖）。這是SDRAM一個很重要時序參數(shù)，Uboot初始化時候要配置。在列地址被選中后，數(shù)據(jù)傳輸過程被觸發(fā)，但在這之前有個數(shù)據(jù)準備時間，即CL（CAS Latency），它也是一個重要的SDRAM參數(shù)，但該時間只是針對讀操作，寫操作沒有這一時延。
SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸基本上都是連續(xù)的，所以SDRAM中有突發(fā)傳輸?shù)母拍睿话l(fā)（Burst）是指在同一行中相鄰的存儲單元連續(xù)進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆绞?，連續(xù)傳輸?shù)闹芷跀?shù)就是突發(fā)長度（Burst Lengths，簡稱BL），在初始化之前要通過寄存器定義。 在進行突發(fā)傳輸時，只要指定起始列地址與突發(fā)長度，SDRAM就會依次地自動對后面相應(yīng)數(shù)量的存儲單元進行讀/寫操作而不再需要控制器連續(xù)地提供列地址這樣，除了第一筆數(shù)據(jù)的傳輸需要若干個周期（主要是之前的延遲，一般的是tRCD+CL）外，其后每個數(shù)據(jù)只需一個周期的即可獲得。
在數(shù)據(jù)讀取完之后，為了騰出讀出放大器以供同一L-Bank內(nèi)其他行的尋址并傳輸數(shù)據(jù)，SDRAM芯片將進行預(yù)充電（precharge）的操作來關(guān)閉當前工作行。從開始關(guān)閉現(xiàn)有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP（Row Precharge command Period，行預(yù)充電有效周期）。
大家可以計算一下，三個規(guī)格的容量都是128M，大家可以參照一下。（因為行列復(fù)用，所以地址線的數(shù)目一般是算雙倍）
工商網(wǎng)監(jiān)
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