復(fù)旦大學(xué)成功研發(fā)光敏感性半導(dǎo)體內(nèi)存

有新聞報道，復(fù)旦大學(xué)設(shè)計出了一種新型態(tài)基于原子級薄度的半導(dǎo)體設(shè)計出一種內(nèi)存，透過二維過度金屬材料創(chuàng)造出一種原子級薄度的半導(dǎo)體，不需要電力輔助用光線就能消除儲存數(shù)據(jù)。

近日有研究團隊基于原子級薄度的半導(dǎo)體設(shè)計出一種內(nèi)存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲存數(shù)據(jù)，團隊認為這種新的內(nèi)存在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上， 具有十分大的應(yīng)用潛力。

復(fù)旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關(guān)研究人員最近在新的應(yīng)用物理學(xué)快報（AIP）期刊上發(fā)表了一個關(guān)于新型態(tài)內(nèi)存的論文。

由于大多數(shù)現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)都太過笨重，無法整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計和材料，試圖制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設(shè)備。

在這項新的研究中，研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」（MoS2）的應(yīng)用，創(chuàng)造出一種原子級薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細的調(diào)整，進而形成具有高開關(guān)電流比的內(nèi)存基礎(chǔ)組件。

除此之外，團隊也在測試中證實，這類型內(nèi)存具有運行速度快、大容量的內(nèi)存空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計，即使處在 85°C（185°F）的高溫下 10 年，儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右，對于實際應(yīng)用來說仍然足夠。

過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以運用光來控制，為了了解實際應(yīng)用情況，團隊也實際進行了相關(guān)實驗，結(jié)果他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲設(shè)備上時，儲存數(shù)據(jù)被完全消除， 但同時運用電壓抹除信息的方式也仍然可以使用。

合著人 Hao Zhu 表示，團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規(guī)模整合這種儲存組件。 研究人員相信未來這種儲存設(shè)備，將會在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。