電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，Gartner本周發(fā)布了全球可穿戴設(shè)備市場(chǎng)的最新預(yù)測(cè)報(bào)告，今年全球可穿戴設(shè)備出貨量增幅將達(dá)到16.7%，其中包括了各種不同類型的產(chǎn)品，從智能手表、可穿戴攝像機(jī)到頭戴式顯示設(shè)備。
2017-08-25 09:02:26
741 ~007FH之間的128B為可直接尋址或間接尋址的存儲(chǔ)器，它分為3部分： 1.寄存器組區(qū) 0000H~001FH的32個(gè)地址位寄存器組區(qū) 10000H~0007H為寄存器組0（即RB0）；0008H
2018-07-19 03:19:33
程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器兩個(gè)獨(dú)立的地址空間，通常稱這種形式為哈佛結(jié)構(gòu)（分別獨(dú)立編址）。51 系列單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理位置看，有 4 個(gè)存儲(chǔ)器空間，即片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱片內(nèi) RAM）、片內(nèi)程序存...
2021-12-01 08:32:35
％，Gartner表示，2018年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)估將達(dá)到4,510億美元，相較2017年的4,190億美元增加7.5%。雖然手機(jī)市場(chǎng)趨緩，但今年半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊大好，臺(tái)積電就預(yù)測(cè)今年仍將有最高達(dá)15
2018-01-29 15:41:31
說起存儲(chǔ)器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
。由于 ORG 不是普通動(dòng)態(tài)變化的，所以與主機(jī)相連的是 C、D、Q 和 S 這 4 根線。圖 2 顯示了主機(jī)與多個(gè) Microwire 存儲(chǔ)器的連接實(shí)例。下面我們簡(jiǎn)述 Microwire 總線的各個(gè)信號(hào)
2018-04-18 10:26:55
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
存儲(chǔ)器，儲(chǔ)存能夠保存更大的數(shù)據(jù)量，每位元組的成本也更低。一般來說，儲(chǔ)存的成本大約比存儲(chǔ)器更低20倍。 不同于存儲(chǔ)器的是，儲(chǔ)存裝置還可以進(jìn)一步分類為線上或離線。圖1顯示存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存的主要特性
2017-07-20 15:18:57
1.存儲(chǔ)器和總線架構(gòu)1.1系統(tǒng)架構(gòu)圖1I總線:此總線用于將 Cortex?-M4F 內(nèi)核的指令總線連接到總線矩陣。內(nèi)核通過此總線獲取指令。此總線訪問的對(duì)象是包含代碼的存儲(chǔ)器（內(nèi)部 Flash
2021-08-05 07:41:43
存儲(chǔ)器擴(kuò)展方式是什么？IO擴(kuò)展方式是什么？
2022-01-17 08:24:15
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程就稱為存儲(chǔ)器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程稱為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
Programmable）?！ ?、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底擦除
2017-10-24 14:31:49
Time Programmable）?！ ?、可改寫的只讀存儲(chǔ)器EPROM： 前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入，因而用戶較少使用，目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因?yàn)樗膬?nèi)容可以通過紫外線照射而徹底
2017-12-21 17:10:53
程序存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，寄存器和I\O端排列在同一順序的4GB地址空間內(nèi)，被控總線連接的部分。存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是芯片廠商或用戶分配的，給存儲(chǔ)器分配地址的過程稱為存儲(chǔ)器映射。存儲(chǔ)器
2021-01-14 17:37:08
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:46:15
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:51:10
**第一至第三章**Q1. 若存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)總線寬度為32位，存取周期為200ns，則存儲(chǔ)器的帶寬是多少？存儲(chǔ)器的帶寬指單位時(shí)間內(nèi)從存儲(chǔ)器進(jìn)出信息的最大數(shù)量。存儲(chǔ)器帶寬 = 1/200ns ×32位
2021-07-28 06:23:01
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
時(shí)機(jī)；否則，選擇第二操作時(shí)機(jī)作為操作時(shí)機(jī)；其中，第二操作時(shí)機(jī)優(yōu)先于第一操作時(shí)機(jī)。帶寬信息包括存儲(chǔ)器的類型，依據(jù)帶寬信息選取編碼操作的操作時(shí)機(jī)，包括：若存儲(chǔ)器的類型為固態(tài)硬盤SSD，選擇第一操作時(shí)機(jī)作為
2019-11-15 15:44:06
存儲(chǔ)器可劃分為哪幾類？存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的？
2021-09-16 07:12:10
[table][tr][td=670][table][tr][td]arm處理器本身所產(chǎn)生的地址為虛擬地址，每一個(gè)arm芯片內(nèi)都有存儲(chǔ)器，而這個(gè)芯片內(nèi)的存儲(chǔ)器的地址為物理地址。我們寫程序的目的是為了
2014-03-24 11:57:18
庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
匯編語(yǔ)言程序目錄一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫二、內(nèi)存地址空間三、將各類存儲(chǔ)器看作一個(gè)邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機(jī)為例一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫CPU想要進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫
2021-12-10 08:04:16
DMA實(shí)驗(yàn)設(shè)置存儲(chǔ)器地址時(shí)，文中說假如要把數(shù)組Sendbuff作為存儲(chǔ)器，那么在該寄存器寫入&SendBuff就可以了 但是MYDMA_Config(DMA1_Channel4,(u32
2020-06-03 04:35:03
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
和幾乎所有的 GPD,GED 故障。其算法復(fù)雜度可以表示為11xP+4xR ,其中P和R分別表示一次編程和讀取操作,N表示存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量(字?jǐn)?shù))。宇芯有限公司自成立以來，我們專注于代理國(guó)內(nèi)外各大
2020-11-16 14:33:15
(EMIF) 的顯著改進(jìn)。KeyStone 架構(gòu)能夠以 1333MT/s以上的速率支持高性能 DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)器。雖然總線能配置成 16 或 32 位（為節(jié)省面板空間和功耗），但其實(shí)際支持的總線
2011-08-13 15:45:42
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
時(shí)被選擇的。將存儲(chǔ)器芯片的讀/寫信號(hào)設(shè)置為當(dāng)片選和smemr/smemw有效時(shí)輸出?！ ?b class="flag-6" style="color: red">4.各份電源的切換，電池各份的重點(diǎn)將會(huì)在于電源切換和片選信號(hào)的控制。本次為了簡(jiǎn)單起見，只單純獲取vcc和電池（為
2020-12-10 16:44:18
的存取。以一個(gè)存儲(chǔ)容量為4K位的SRAM為例，共需12條地址線來保證每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能被選中(212 =-4096)。如果存儲(chǔ)單元陣列被排列成只包含一列的長(zhǎng)條形，則需要一個(gè)12/4K位的譯碼器，但如果
2022-11-17 14:47:55
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
大家好，之前玩過51，知道程序存在ROM，數(shù)據(jù)存在RAM，現(xiàn)在接觸STM32，在讀STM32F103ZET6的數(shù)據(jù)手冊(cè)時(shí)看到，BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲(chǔ)器，手冊(cè)上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
STM32 存儲(chǔ)器一 存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來存地址信號(hào)，通過刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
行自定義。如圖，是Cortex-M3存儲(chǔ)器映射結(jié)構(gòu)圖。 Cortex-M3是32位的內(nèi)核，因此其PC指針可以指向2^32=4G的地址空間，也就是0x0000_0000——0xFFFF_FFFF這一
2018-08-14 09:22:26
這個(gè)是譯碼法來選擇片外的存儲(chǔ)器，用三根線可以選擇8個(gè)8KB的片外存儲(chǔ)器（8*8=64KB），但是要是把64KB的存儲(chǔ)地址分配給4KB的存儲(chǔ)器，為什么需要4根高位地址線，求專家詳解
2018-12-18 14:38:17
一丶存儲(chǔ)器的分類和層次半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片：片選器：用來選取芯片有兩種譯碼驅(qū)動(dòng)方式：線選法：一維排列，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適合容量不大的存儲(chǔ)芯片重合法：二維陣列，適合容量大為什么線選法不適合大的呢？我們以9組
2021-07-23 08:20:14
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
?！ ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">4、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
存儲(chǔ)單元構(gòu)成由6個(gè)晶體管單元構(gòu)成由4個(gè)晶體管單元（高電阻負(fù)載型單元）構(gòu)成數(shù)據(jù)的寫入方法＜"1" 時(shí)＞W(wǎng)ord線電位為 high給予Bit線的電位(D=low, D=high
2019-05-27 20:59:42
存儲(chǔ)器，顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解，本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類予以介紹。如果你對(duì)存儲(chǔ)器的相關(guān)知識(shí)具有興趣，不妨繼續(xù)往下
2020-12-25 14:50:34
。F29C51004的儲(chǔ)存容量A4為512KB，其外部引腳分布圖=如圖1所示。其中A0-A18為19根地址線，I/00一I/07為數(shù)據(jù)線，CE為讀信號(hào)，WE為寫信號(hào)。設(shè)計(jì)8MB的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器擴(kuò)展板需要16片
2018-07-26 13:01:24
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒有這個(gè)引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個(gè)外部存儲(chǔ)器，如果我能比我用ADSP
2019-08-15 07:02:35
寬度為16位;當(dāng)PRGW引腳為高電平時(shí)程序存儲(chǔ)器寬度為32位。 STRBO和STRBl各為一組訪問外部存儲(chǔ)器的選通信號(hào)，各有4個(gè)信號(hào)引腳(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2
2019-06-14 05:00:08
各位大哥問一下，就是單片機(jī)用外部存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候，還需要關(guān)系地址的問題嗎？？
2012-11-04 21:35:47
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的目的是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫的電路？擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
影響存儲(chǔ)器訪問性能的因素有哪些？DSP核訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？怎么縮短高端存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)？
2021-04-29 07:00:08
怎樣為計(jì)算機(jī)去設(shè)計(jì)一個(gè)主存儲(chǔ)器呢？該主存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-10-22 07:23:01
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
未來DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
為什么要開發(fā)和測(cè)試存儲(chǔ)器件？怎樣去測(cè)試存儲(chǔ)器的基本功能？如何去擴(kuò)展存儲(chǔ)器的測(cè)試能力？
2021-04-15 06:44:19
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ埽绺呒?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源
2019-07-23 06:15:10
一個(gè)4GB的線性地址空間。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端模式存放在存儲(chǔ)器中。地址空間分8塊，每塊512MB。注： 小端模式：與大端模式相對(duì)應(yīng)，將數(shù)據(jù)的低字節(jié)保存在內(nèi)存的低地址中，高字節(jié)保存在高地址中。其中：?...
2021-12-09 07:51:09
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
存儲(chǔ)器芯片是什么？存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器術(shù)語(yǔ)的定義有哪些？如何去測(cè)試存儲(chǔ)器芯片的功能？測(cè)試向量是什么？它的執(zhí)行方式以及測(cè)試目的分別是什么？
2021-04-15 06:18:54
寬度為16位;當(dāng)PRGW引腳為高電平時(shí)程序存儲(chǔ)器寬度為32位。 STRBO和STRBl各為一組訪問外部存儲(chǔ)器的選通信號(hào)，各有4個(gè)信號(hào)引腳(STRBx_B3/A_1、STRBx_B2/A_2
2019-06-12 05:00:08
單元物理結(jié)構(gòu)上的改善等，使低電壓?jiǎn)我浑娫搭愋偷拈W速存儲(chǔ)器也形成產(chǎn)品。以文件為使用目的的AND及NAND兩種類型的閃速存儲(chǔ)器目前已在市場(chǎng)上流通，應(yīng)用于大容量的Flash ATA卡等方面。海洋儀器http://www.hyxyyq.com
2018-04-09 09:29:07
記憶。同時(shí)，因?yàn)闊崮鼙囟ㄖ率闺姾?b class="flag-6" style="color: red">以某概率發(fā)生消減，因此數(shù)據(jù)保存的時(shí)間將受到溫度的影響。下面，我們將進(jìn)一步討論閃速存儲(chǔ)器的擦除與寫人的原理。我們知道，數(shù)據(jù)的寫人與擦除是通過主板與控制柵之間電荷的注人
2018-04-10 10:52:59
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073641 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner周四稱，由于今年不少廉價(jià)智能手機(jī)登陸市場(chǎng)將拉低平均售價(jià)，預(yù)計(jì)2014年全球智能手機(jī)營(yíng)收增幅將放緩。
2014-02-14 09:32:46612 因產(chǎn)品平均售價(jià)下滑影響，包括顧能 （Gartner）等多個(gè)研調(diào)機(jī)構(gòu)紛紛調(diào)降今年半導(dǎo)體產(chǎn)值預(yù)估，多由先前預(yù)估的成長(zhǎng)個(gè)位數(shù)百分點(diǎn)，降為衰退個(gè)位數(shù)百分點(diǎn)水準(zhǔn)。
2016-08-24 16:04:46258 集微網(wǎng)消息，臺(tái)積電18日將舉辦法人說明會(huì)，美系外資預(yù)估臺(tái)積電今年第1季營(yíng)收將季減6%到8%，優(yōu)于預(yù)期，但全年?duì)I收成長(zhǎng)恐偏低，維持「 中立」評(píng)等。 美系外資最新研究報(bào)告指出，比特幣挖礦特殊應(yīng)用芯片
2018-01-16 05:56:01567 自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲(chǔ)器占上季旺宏?duì)I收48%為最大產(chǎn)品線。 旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示，預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格仍穩(wěn)定微揚(yáng)，旺宏不做低階產(chǎn)品，也仍看好SLC NAND市況，因此對(duì)今年營(yíng)運(yùn)看法樂觀。
2018-02-01 05:34:011107 
目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 存儲(chǔ)器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）昨（24）日指出，企業(yè)級(jí)線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器需求強(qiáng)勁，但供給端增幅有限，今年存儲(chǔ)器市況仍會(huì)健康穩(wěn)健，其中 DRAM價(jià)格可持穩(wěn)到年底。
2018-07-09 07:40:00560 國(guó)際研究暨顧問機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)昨(14)日發(fā)布調(diào)查指出，因存儲(chǔ)器市場(chǎng)推升，去年全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)4,767億美元，年增13.4%，三大存儲(chǔ)器廠三星、SK海力士及美光成長(zhǎng)強(qiáng)勁是主要推手，其中，存儲(chǔ)器營(yíng)收占比達(dá)34.8%。
2019-01-26 10:53:233350 存儲(chǔ)器市況需求冷淡，受到庫(kù)存水位偏高，首季價(jià)格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下探，模塊廠及終端拉貨動(dòng)能
2019-02-18 16:32:192530 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢(shì)，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48538 當(dāng)前存儲(chǔ)器市況仍不佳，加上日韓貿(mào)易沖突不確定性增加等因素，韓國(guó)科技大廠三星已經(jīng)決定暫緩2019年下半年針對(duì)平澤市P2存儲(chǔ)器生產(chǎn)線的投資。
2019-07-29 10:15:332629 由于 2019 年的存儲(chǔ)器需求不如去年，韓國(guó)科技大廠三星（Samsung）預(yù)估第三季的利潤(rùn)不到 2018 年同期的一半。
2019-10-09 16:20:362985 針對(duì)存儲(chǔ)器市況，封測(cè)廠力成總經(jīng)理洪嘉鍮22日在財(cái)報(bào)會(huì)中預(yù)期，今年全年有望轉(zhuǎn)為正增長(zhǎng)，主要是庫(kù)存狀況恢復(fù)情形良好，不過明年第1季情形仍需觀察中美貿(mào)易戰(zhàn)局勢(shì)。
2019-10-25 10:45:33352 昨天，中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)引用工業(yè)研究院產(chǎn)科國(guó)際研究所的數(shù)據(jù)表示，第四季度臺(tái)灣晶圓代工的生產(chǎn)額將增加8%，存儲(chǔ)器和其他制造將增加9.1%。他同時(shí)表示，增幅在所有半導(dǎo)體制造業(yè)中最高，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇是“現(xiàn)在進(jìn)行時(shí)”。
2023-11-15 10:28:53354 
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