減少資本支出。該公司計劃在服務(wù)器、NAND閃存及DRAM需求和價格下降的情況下靈活應(yīng)對市場狀況。 DRAM價格下降11%，NAND價格下降21% 隨著2018下半年內(nèi)存需求放緩，供應(yīng)短缺得到解決，內(nèi)存市場環(huán)境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13％至9.94萬
2019-01-27 00:35:00
8617 SK海力士開發(fā)的HBM2E DRAM產(chǎn)品具有業(yè)界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:415518 ，2019年12月提升為開發(fā)制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關(guān)人士表示：SK海力士首席執(zhí)
2019-12-07 00:53:004052 2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標(biāo)準(zhǔn)JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281523 三星電子和SK海力士在2012年第四季度繼續(xù)引領(lǐng)全球DRAM市場，它們兩家公司在該領(lǐng)域的市場份額之和達到67%。
2013-02-20 18:11:02756 為突破半導(dǎo)體市場的不景氣，三星電子（Samsung Electronics）致力升級微細制程技術(shù)；SK海力士（SK Hynix）則準(zhǔn)備以史上最大規(guī)模的投資計劃應(yīng)戰(zhàn)。
2016-01-26 08:19:58597 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸。據(jù)了解，合肥長鑫開出現(xiàn)有華亞科三倍的高薪進行挖角，且鎖定人數(shù)高達兩百人，遠高于紫光集團出的雙倍薪，已有不少人決定投效。
2016-12-26 10:12:562341 
根據(jù)2016年第三季度的統(tǒng)計，三星電子在DRAM存儲器領(lǐng)域已拿下半壁江山，達到驚人的50.2%，而另一家韓國大廠SK海力士則占了24.8%的市場份額。而在NAND FLASH這一塊，三星電子占全球市占率的36.6%，SK海力士則占了10.4%。
2016-12-29 10:09:073528 
因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士，今年半導(dǎo)體營業(yè)利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜。
2017-02-13 08:30:09540 日前，據(jù)韓國媒體報道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452136 ，并討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經(jīng)完成了符合博世要求的規(guī)格的存儲芯片的開發(fā)。 ? 與消費類設(shè)備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:015332 相比，用于汽車的DRAM具有更高的可靠性和更廣泛的激活溫度范圍。SK海力士開發(fā)的新DRAM遵循了2018年制定的第二版ISO26262標(biāo)準(zhǔn)。 ? ISO26262《道路車輛功能安全標(biāo)準(zhǔn)》于2011年11月制定。它涵蓋軟件規(guī)范，驗證和其他需求規(guī)范等的11個部分。該標(biāo)準(zhǔn)的第二版增加了半導(dǎo)體
2021-04-16 12:37:472527 。 ? 圖源：SK海力士官網(wǎng) ? SK海力士將這一進展定義為：意義非凡。 ? 激進的三星和SK海力士 在談?wù)揈UV DRAM是否非凡之前，我們先了解一些關(guān)聯(lián)技術(shù)。從原理上說，光刻技術(shù)就是利用光化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法將掩模板上的圖案傳遞到晶圓的工藝技術(shù)。近半個多世紀(jì)，半導(dǎo)
2021-07-13 06:36:582938 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
為由，將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ，已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存
2023-04-20 10:22:191454 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
售罄。” ? 值得注意的是，此前市場研究機構(gòu)Yolo Group報告指出，2023年HBM芯片的平均售價是傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存芯片的五倍。然而，市場熱度在AIGC的帶動下依然有增無減。 ? SK海力士
2024-02-28 00:16:002233 步伐。據(jù)韓媒Kinews等報導(dǎo)，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導(dǎo)體大廠
2018-10-12 14:46:09
`2018年的手機盛事一樁接著一樁。蘋果、華為、小米、魅族剛舉行完新品發(fā)布會，三星馬上宣布新機計劃。三星即將推出市面上首款4攝像頭手機產(chǎn)品，并加速進入中端市場。看來，千元買三星新手機的那些年，又回來
2018-10-29 17:01:33
那樣。即使這樣做，到2014年，一個DRAM電容器的容量（Cs）也只有2009年的52％。此次，三星通過將DRAM單元的配置由過去的格子狀改成蜂窩狀結(jié)構(gòu)、引進減小Cb的“Air Spacer”技術(shù)
2015-12-14 13:45:01
研發(fā)總投資為359.21億美元，成長6%，平均占營收比重13%。相較之下，三星獲利豐厚，但研發(fā)投資卻顯得相對保守。SK海力士對2019年的展望SK海力士認(rèn)為2019年存儲器市場變動不大，由于半導(dǎo)體市場
2018-12-25 14:31:36
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
價格迅速下跌。IC Insights預(yù)測，隨著更多的產(chǎn)能上線，供應(yīng)限制開始緩解，DRAM市場增長將會降溫。值得一提的是，據(jù)報道，三星和SK海力士已推遲了部分?jǐn)U張計劃，原因是預(yù)計客戶需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
公司店鋪鏈接https://shenzlu.cn.china.cn/?from=tui 公司QQ1784094773主要熱門現(xiàn)貨有 鎂光 三星 海力士 各類存儲芯片 歡迎廣大終端客戶前來咨詢問價
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2021-04-27 16:10:09
原裝海力士三星存儲芯片，香港出貨，原包原盒。K4B2G1646F-BCNBK4B2
2020-02-13 14:35:59
與DDR2供給吃緊帶動整體平均售價上揚。而在整體DRAM廠DRAM營收排行中(包含代工)，2006年第二季仍以三星(Samsung)居首，市占率高達24.8%，其次為由英飛凌(Infineon)所獨立出來
2008-05-26 14:43:30
對DRAM芯片的強勁需求將繼續(xù)超過供應(yīng)，因三星和第二大記憶體芯片廠商SK海力士的新廠料在2019年前不會投產(chǎn)；此外，截至9月NAND閃存的需求則連續(xù)第六季超過供應(yīng)。供蘋果新手機使用的有機發(fā)光二極體（OLED）面板的銷售增長，也支撐了第四季獲利創(chuàng)紀(jì)錄新高的預(yù)期。
2017-10-13 16:56:04
躍朗科技只做全新原裝，主營美光三星海力士閃迪旺宏華邦南亞等等，有興趣的歡迎來詢
2020-12-23 12:22:36
歐電子長期全國回收品原裝存儲芯片：三星samsung，海力士SK hynix，現(xiàn)代hyniy，展訊SPREADTRUM，微芯MICROCHIP，閃迪SANDISK芯片,東芝 TOSHIBA芯片,南亞
2021-08-20 19:11:25
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2021-07-16 18:07:56
。韓媒分析，一旦中國決定對DRAM三巨頭開罰，韓國產(chǎn)業(yè)將受到巨大的影響，或成中美貿(mào)易摩擦的受害者之一。2018年11月16日，中國國家市場監(jiān)督管理總局反壟斷局局長吳振國表示，對三星、海力士、鎂光三
2018-11-22 14:49:22
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2021-01-25 17:59:52
研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查顯示，從2019年第四季度全球NAND品牌廠商營收來看，三星排名第一，市場份額達到35.5%；SK海力士排名第六，市場份額為9.6%。2019年第四季度全球
2020-02-27 10:45:14
大幅成長，而SK海力士、美光(Micron)則是積極回應(yīng)市場的需求。目前三星以64層NAND為主力，2018年下半推進到96層，2019年初便會進展到128層。另外，英特爾(Intel)與美光也在
2018-12-24 14:28:00
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2021-01-29 17:52:55
全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:48800 
SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12749 顯然未來除了HBM2顯存之外，還有針對中高端顯卡的GDDR6顯存要出來。于是SK海力士就打算在GTC 2017上正式公布自家的最新GDDR6顯存。而現(xiàn)在有媒體發(fā)現(xiàn)了海力士展示的GDDR6顯存。
2017-05-10 14:45:051862 AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢，并且專門為其設(shè)置HBCC主控，具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了，HBM3的應(yīng)用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導(dǎo)體巨頭SK海力士提供，即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427 前不久我們曾報道，市面上目前幾乎所有的HBM2顯存顯卡（NVIDIA Tesla P100、AMD MI25、Vega FE等）采用的都是三星的顆粒，而非SK海力士。
2017-08-05 11:24:271843 三星的金奇南猶如一名狼將，金奇南的狼性展現(xiàn)在他的投資企圖上，是一名難得的競爭對手。對于金奇南出任存儲業(yè)務(wù)的CEO時，SK海力士如臨大敵般的恐慌。
2017-12-25 13:03:48766 據(jù)悉，在今年上半年DRAM價格恐怕很難減下來，還會繼續(xù)保持上漲趨勢。到2018下半年是否增長具體還的看三星、sk海力士的實際增產(chǎn)情況。
2018-01-18 15:24:45838 DRAM價格飆漲帶動2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士（SK Hynix）持續(xù)擴展DRAM產(chǎn)能下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再
2018-08-27 17:05:531850 全球DRAM價格在2017、2018年連兩年大幅上揚，對DRAM買方市場形成不少采購壓力，但如今在三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）及SK海力士（SK
2018-09-10 16:30:321417 存儲器大廠SK海力士（Hynix）也傳出消息，正在研發(fā)EUV技術(shù)來生產(chǎn)DRAM存儲器，未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:243560 )制程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制程研發(fā)速度，追趕三星，預(yù) ... 10納米級DRAM先進制程競爭
2018-11-12 18:04:02253 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產(chǎn)品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業(yè)利益紀(jì)錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:13790 為了在低迷的環(huán)境中實現(xiàn)逆勢增長，SK海力士未來將持續(xù)專注于高附加值產(chǎn)品和技術(shù)，以應(yīng)對瞬息萬變的市場環(huán)境。比如，擴大16Gb DDR4產(chǎn)品的客戶應(yīng)用，以增加服務(wù)器客戶對高密度DRAM模塊的采用。同時
2019-01-29 14:32:257550 
從企業(yè)別來看，三星電子的銷售額為437億4700萬美元，市占率為43.9％，維持著壓倒性的領(lǐng)先地位；SK海力士也緊追在后，銷售額達294億900萬美元，市占率為29.5％。若將兩家企業(yè)一并來看
2019-03-10 10:00:351933 7月15日業(yè)界資訊，三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試，近日已投入到DRAM生產(chǎn)。
2019-07-17 10:03:302886 韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續(xù)低迷，以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后，也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計劃。
2019-07-26 16:56:102635 
目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK
2019-08-15 09:05:122382 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導(dǎo)入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標(biāo)準(zhǔn)存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 在推進DRAM的制造技術(shù)上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
2019-10-24 17:09:541343 本月DRAM現(xiàn)貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體企業(yè)有望改善營收。
2019-12-18 16:36:542729 最近幾周由于三星與LG不少DRAM工廠處于停工或者半停工狀態(tài)，極大影響了市場的供需狀態(tài)。相比2個月前，內(nèi)存的價格幾乎上漲了6成，SSD的價格也同樣水漲船高。不過目前韓國另外一家半導(dǎo)體工廠SK海力士并未打算下調(diào)產(chǎn)能。
2020-03-04 16:12:14740 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124
2020-07-03 08:42:19432 隨著特朗普政府加強對華為的制裁，三星和 SK 海力士將停止向華為出售零部件。華為真正的危機，來了！ 三星、SK 海力士將斷供華為 近日，根據(jù)朝鮮日報和其他韓國新聞媒體的報道，三星和 SK 海力士
2020-09-15 16:41:402328 令發(fā)布當(dāng)天（8月17日），三星、SK海力士等韓企就已停止生產(chǎn)向華為供應(yīng)的半導(dǎo)體。響應(yīng)如此迅速，難道斷供華為也是韓企的愿望嗎？ 斷供華為，三星、SK海力士：我也不想啊 此番斷供，三星、SK海力士等韓企也是迫不得已。 華為此前公布，
2020-09-17 15:15:131926 及資料中心對伺服器記憶體需求升溫，DRAM市場可望在上半年復(fù)甦。 三星并指出，目前晶圓代工廠急于滿足汽車制造商需求，很多代工廠都呈現(xiàn)產(chǎn)能滿載情況，影響代工廠對DRAM及NAND生產(chǎn)進度，反而衝擊智慧手機及平板的出貨速度。 SK海力士并預(yù)期，隨著資料中心伺服器及5G智慧手機增加使
2021-02-01 12:43:00785 據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146 數(shù)據(jù)顯示，四季度全球DRAM銷售額同比增長1.1%，達176.5億美元。其中，三星電子市占率為42.1%，銷售額環(huán)比增長3.1%至74.4億美元。SK海力士市場份額為29.5%，銷售額環(huán)比增長5.6%至52億美元。
2021-03-12 09:45:341598 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產(chǎn)品HBM31，公司不僅又一次創(chuàng)造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:251175 繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%，運行速度高達9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強調(diào)其超高速度特性，命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:331073 被壓制，消費電子市場更是暴雷不斷，SK 海力士的大部分利潤來自于銷售內(nèi)存芯片。對于虧損SK海力士稱第四季度虧損主要原因是電腦和智能手機的需求低迷導(dǎo)致存儲芯片需求減少；疊加芯片價格大幅下滑導(dǎo)致。 內(nèi)存芯片行業(yè)面臨著嚴(yán)重供需失衡，而鑒
2023-02-01 16:52:122647 
據(jù)韓媒報道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能，但其應(yīng)用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689 
在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下，美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 據(jù)業(yè)界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 據(jù)dram領(lǐng)域的調(diào)查企業(yè)trend force稱，去年第四季度在dram領(lǐng)域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領(lǐng)域，三星以世界第1位占據(jù)了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據(jù)了第3位。
2023-08-17 09:38:58292 sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)
hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ)，成功開發(fā)出了世界最高性能的擴展版
hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的
hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，從明年上半年開始批量生產(chǎn)
hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器
市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E，鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41541 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:33504 隨著ai產(chǎn)業(yè)的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產(chǎn)。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術(shù)的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356 目前，HBM產(chǎn)品的主要供應(yīng)商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機構(gòu)TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16374 
SK海力士稱，由于高性能半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品的市場需求增加，公司業(yè)績開始持續(xù)改善。尤其是面向人工智能的存儲器產(chǎn)品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現(xiàn)良好。因此與上一季度相比，營業(yè)收入增長了24%，營業(yè)虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn)，觀察人士預(yù)計嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌，SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05457 全球移動市場的指路燈——SK海力士背照式(BSI)技術(shù)分享
2023-11-23 09:06:46228 
數(shù)據(jù)顯示，首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 隨著全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇，SK海力士認(rèn)識到，為了保持市場地位，推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 15:53:08565 近日，據(jù)報道，三星電子正計劃大規(guī)模擴大其HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)能，以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
2024-01-26 15:33:09274 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現(xiàn)出強大的增長勢頭。數(shù)據(jù)顯示，公司的主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 據(jù)可靠消息來源透露，英偉達與SK海力士已開始就2025年第一季度的高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)量進行協(xié)調(diào)。這一合作的背后，是雙方對未來技術(shù)趨勢的共同預(yù)見和市場需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43434 在全球存儲半導(dǎo)體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結(jié)束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發(fā)工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標(biāo)志著SK海力士即將在今年3月開始量產(chǎn)這款革命性的存儲器產(chǎn)品，并計劃在下個月內(nèi)向其重要合作伙伴Nvidia供應(yīng)首批產(chǎn)品。
2024-02-21 11:14:08611 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00247 近日，全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發(fā)，并且已經(jīng)通過了英偉
2024-02-25 11:22:21372 趨勢，半導(dǎo)體巨頭三星電子和SK海力士正考慮增加工廠的半導(dǎo)體晶圓投入量，以加速向更先進的10納米第四代（1a）和第五代（1b）版本的過渡。
2024-03-06 10:49:49261 SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:44333 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21252 SK海力士，作為全球知名的半導(dǎo)體公司，近期在中國業(yè)務(wù)方面進行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局，計劃關(guān)閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25343 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53273 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品，SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
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