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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>關(guān)于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的全面解析

關(guān)于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的全面解析

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一文了解隨機(jī)存取和非隨機(jī)存取的區(qū)別

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隨機(jī)存取存儲(chǔ)器為什么叫隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)、分類、優(yōu)缺點(diǎn))

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5819725

STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的源代碼程序資料免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3921

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器,也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫,而且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)詳解

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器,易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)為主,非易失存儲(chǔ)器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí),其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存(內(nèi)存的主體部分),SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板之SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653

AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場(chǎng) 臺(tái)積電積極推動(dòng)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)、可變電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ReRAM)、相變化隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)等新型存儲(chǔ)器,開(kāi)始被市場(chǎng)采用,而AI/HPC將加速新型存儲(chǔ)器更快進(jìn)入市場(chǎng)。
2019-07-29 16:38:053109

使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫實(shí)驗(yàn)報(bào)告書免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284

通過(guò)自旋電子隨機(jī)存取存儲(chǔ)器來(lái)深入研究自旋

我們?cè)S多人都知道,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Random Access Memory,縮寫:RAM;也叫主存)是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
2020-01-13 11:50:271949

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的學(xué)習(xí)課件資料說(shuō)明

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的學(xué)習(xí)課件資料說(shuō)明包括了:存儲(chǔ)器基本概念,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),只讀存儲(chǔ)器(ROM),存儲(chǔ)器連接與擴(kuò)充應(yīng)用,微機(jī)系統(tǒng)的內(nèi)存結(jié)構(gòu)
2020-05-08 08:00:002

sram是靠什么存儲(chǔ)信息

或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼.由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器,就用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)了. 按其功能可分為:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱ram)和只讀存儲(chǔ)器(只讀ROM) RAM包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取
2020-05-10 10:10:547053

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)誰(shuí)將更勝一籌

新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(PCM)和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840

閃存存儲(chǔ)器為什么是最快捷的長(zhǎng)期存儲(chǔ)器?

因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764

存儲(chǔ)器的主要功能是什么,它的常見(jiàn)分類是什么

存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù),并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過(guò)程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。存儲(chǔ)器單元實(shí)際上是時(shí)序邏輯電路的一種。按存儲(chǔ)器的使用類型可分為只讀存儲(chǔ)器(ROM)和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2020-07-15 11:45:1021113

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介及應(yīng)用

SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771

DRAM與SRAM原理與區(qū)別解析

RAM(Random Access Memory) 中文是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。為什么要強(qiáng)調(diào)隨機(jī)存儲(chǔ)呢?因?yàn)樵诖酥埃蟛糠值?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器都是順序存儲(chǔ)(Direct-Access),比較常見(jiàn)的如硬盤,光碟,老式的磁帶,磁鼓存儲(chǔ)器等等。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是其訪問(wèn)數(shù)據(jù)的時(shí)間與數(shù)據(jù)存放在存儲(chǔ)器中的物理位置無(wú)關(guān)。
2020-07-29 11:51:556829

fram是什么存儲(chǔ)器_FRAM技術(shù)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
2020-12-03 11:53:166108

UG-1755:評(píng)估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開(kāi)關(guān)

UG-1755:評(píng)估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開(kāi)關(guān)
2021-03-23 00:21:254

采用了262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片

富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片,使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來(lái)形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù),而無(wú)需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:00928

ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測(cè),20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,雙單擲開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表

ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測(cè),20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,雙單擲開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144

雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

作者:Robert Taylor1? 德州儀器 雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識(shí)這個(gè)全稱;它通??s寫為 DDR 存儲(chǔ)器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981

PLC的存儲(chǔ)器有哪些?

。因此,ROM常用來(lái)存儲(chǔ)系統(tǒng)程序,具有開(kāi)機(jī)自檢、鍵盤輸入處理、用戶程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱為讀寫存儲(chǔ)器。當(dāng)信息被讀出時(shí),內(nèi)存中的內(nèi)容保持不變;寫入時(shí),新寫入的信息會(huì)覆蓋原始內(nèi)容。
2021-12-24 13:50:3513864

FRAM在電池管理系統(tǒng)BMS應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,同時(shí)也是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問(wèn),它屬...
2022-01-26 18:11:561

如何辨別SRAM是否屬于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器

一般計(jì)算機(jī)系統(tǒng)所使用的隨機(jī)存取內(nèi)存主要包括動(dòng)態(tài)與靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種,差異在于DRAM需要由存儲(chǔ)器控制電路按一定周期對(duì)存儲(chǔ)器刷新,...
2022-02-07 12:29:531

256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EMI7256概述及特征

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部組織為32K字,每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz,采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573

富士通推出12Mbit電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MB85AS12MT

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR4M08xS44xx1V12用戶手冊(cè)

VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR32M32xS68xx8V12-Ⅱ用戶手冊(cè)

VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR32M32xS68xx8V12用戶手冊(cè)

VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝(6晶體管
2022-06-08 14:24:161

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR20M40xS84xx6V12用戶手冊(cè)

VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,堆疊六個(gè)SRAM芯片,采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口??梢允褂脤S玫?CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR16M32xS64xx4V12用戶手冊(cè)

VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR16M32xS64xx4C12用戶手冊(cè)

VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四層采用CMOS工藝(6晶體管存儲(chǔ)單元)的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR8M16xS54xx2C12用戶手冊(cè)

VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDSR4M08xS44xx1C12用戶手冊(cè)

VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口??梢赃x擇塊單獨(dú)配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR64M08xS54xx4V35用戶手冊(cè)

VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個(gè)16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個(gè)2Mx的獨(dú)立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR20M40xS84xx5V35用戶手冊(cè)

VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個(gè)獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:31:022

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR16M08xS54xx4V35用戶手冊(cè)

VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù),該設(shè)備堆疊4個(gè)4-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)512K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR16M08xS44xx1V35用戶手冊(cè)

VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造,可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個(gè)2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模具。
2022-06-08 10:26:541

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR8M32xS68xx8V35用戶手冊(cè)

VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR4M08xS44xx4V35用戶手冊(cè)

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由四個(gè)128K x的獨(dú)立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR4M08xS44xx1V35用戶手冊(cè)

VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個(gè)獨(dú)立模塊。
2022-06-07 16:04:271

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器VDMR2M16xS54xx2V35用戶手冊(cè)

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481

納秒級(jí)讀寫時(shí)間和擦除/寫入的高性能存儲(chǔ)器

基于原子級(jí)銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲(chǔ)器具有和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(10 ns)相當(dāng)?shù)木幊趟俣龋瑫r(shí)具備非易失、大容量的存儲(chǔ)特性。
2022-06-10 16:15:101522

W9825G6KH高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器英文手冊(cè)

W9825G6KH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM),由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060

介紹一下關(guān)于靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片的設(shè)計(jì)

SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32893

易失性存儲(chǔ)器(VM)

在過(guò)去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115

相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PCRAM)制造工藝

相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699

淺析動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器
2023-02-08 10:14:39547

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)并口SRAM介紹

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598

FPGA雙端口RAM的使用簡(jiǎn)述

RAM :隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory,RAM)又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205064

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的誕生

無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55317

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28878

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí)

本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的相關(guān)知識(shí),包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34819

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 (1)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)特點(diǎn):包括DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01734

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

,VM)兩大類。例如,人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory,簡(jiǎn)稱 Flash)就屬于 NVM,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory, SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

20世紀(jì)70 年代到 90年代中期,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹

低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257

英飛凌推出新型抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼(ECC)的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39359

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