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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機平板等移動設(shè)備更省電

三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存開始量產(chǎn),可使手機平板等移動設(shè)備更省電

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三星芯片業(yè)務(wù)再登臺階,第二代10nm今年內(nèi)量產(chǎn)!

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三星完成第二代10nm工藝質(zhì)量驗證,即將量產(chǎn)

  據(jù)韓媒報道,高通已經(jīng)與三星攜手,合作開發(fā)下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE(low-power early)工藝處理器后,日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02764

7nm工藝研發(fā)進程,三星有望再次領(lǐng)先全球!

臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中,三星則宣布已推出第二代10nm工藝,這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗,而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
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10nm驍龍835大片運用之際 Intel仍不緊不慢在放14nm Coffee Lake

Intel近日在官方推特自曝了10nm的進展,首次透露,第二代10nm(代號Icelake)已經(jīng)流片。
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Intel 10nm處理器流片 第二代10nm產(chǎn)品起碼等到2019年

Digitimes發(fā)布消息稱,英特爾可以按計劃在今年底首發(fā)10nm處理器,但僅限低功耗移動平臺,預(yù)計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周,英特爾剛宣布,第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工,同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計。
2017-06-15 11:43:441317

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱已經(jīng)成功研制開發(fā)出全球第一個10nm 8-gigabit(Gb)LPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開始著手投入LPDDR5的研究。
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三星10nm SoC第二代量產(chǎn),預(yù)計明年推出

第二代10nm工藝即LPP(Low Power Plus),比LPE(Low Power Early)的性能提升了10%,功耗降低了15%,首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30728

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報道,三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進的專用電路設(shè)計技術(shù),比初代10nm級別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
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三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

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三星開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:25723

三星成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動設(shè)備

三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來,三星開始LPDDR5標(biāo)準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備手機、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050

備戰(zhàn)下一代顯卡,三星搶先量產(chǎn)16Gb的GDDR6內(nèi)存芯片

如之前預(yù)告的那樣,在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久,16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:003468

三星10nm級16Gb LPDDR4X DRAM開始量產(chǎn),主要用于汽車

4月25日,三星電子宣布已開始批量生產(chǎn)汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

三星7nm LPP工藝進入量產(chǎn),Intel重申10nm工藝進展良好

在Samsung Tech Day上,三星宣布7LPP工藝進入量產(chǎn),并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝,可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:403490

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

三星宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083251

三星電子將開發(fā)首款基于第三代10nm工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01215

Intel正式宣布第二代10nm工藝的處理器TigerLake 使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核

2019年就要正式量產(chǎn)了,6月份就會發(fā)布10nm Ice Lake處理器,今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake,將會使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:031801

Intel第二代10nm Tiger LakeU系列或超越AMD桌面高端銳龍9 3900X

10nm Ice Lake還沒有全面鋪開,Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相,不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:591987

Intel明年初將開始陸續(xù)擴大10nm+工藝到桌面及服務(wù)器市場

經(jīng)過多次磨煉之后,Intel今年量產(chǎn)10nm工藝,而且是第二代10nm+工藝,目前有Ice Lake處理器,使用了全新的Sunny Cove微內(nèi)核架構(gòu),現(xiàn)在主要用于移動處理器,明年初開始會陸續(xù)擴大到桌面、服務(wù)器市場。
2019-11-09 10:18:46577

三星為滿足市場需求 率先量產(chǎn)12GB容量的多芯片LPDDR4X內(nèi)存

10月24日,三星電子宣布,在業(yè)內(nèi)率先開始量產(chǎn)12GB容量、基于UFS的LPDDR4X多芯片內(nèi)存
2019-11-27 17:20:06751

三星16GB LPDDR5宣布量產(chǎn),可節(jié)省超過20%的功耗

三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝,基于三星第二代10nm工藝技術(shù),可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量,用于下一代高端智能手機。繼2019
2020-02-25 13:48:201813

Intel今年將推最少9款10nm新品

隨著Ice Lake處理器的成功,Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣,產(chǎn)能已經(jīng)沒什么問題了。今年的重點是Tiger Lake處理器,這是第二代10nm工藝,CPU及GPU架構(gòu)也會全面升級。
2020-03-04 15:35:202987

聯(lián)想YOGA 2020銳龍版采用雙通道板載內(nèi)存,搭載LPDDR4X內(nèi)存

  3月10日消息,AMD 在CES 2020上發(fā)布了7nm工藝的銳龍移動處理器,根據(jù)官方的數(shù)據(jù),新一代的APU支持了DDR4 3200和LPDDR4X 4266內(nèi)存。現(xiàn)在根據(jù)聯(lián)想方面的消息,即將推出的新款YOGA 2020銳龍版筆記本將搭載LPDDR4X 4266內(nèi)存。
2020-03-10 15:32:554934

英偉達安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星將EUV與10nm工藝結(jié)合推出LPDDR5內(nèi)存芯片

EUV,依靠現(xiàn)有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合,用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉,三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:292234

臺積電第二代 5nm 工藝性能提升水平有望高于預(yù)期

為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺積電的 5nm 工藝也不只一代,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間,臺積電曾披露,同第一代 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:021626

消息稱臺積電第二代3nm工藝計劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報道來看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報道臺積電會推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:461572

高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識別器 可使手機解鎖速度快50%

支付方法和電子設(shè)備,該語音支付方法有助于提升語音支付的安全性,適用于人工智能終端等電子設(shè)備。 ? 產(chǎn)業(yè)要聞 ? 高通發(fā)布第二代超聲波屏下指紋識別器 可使手機解鎖速度快50% 1月12日消息,據(jù)國外媒體報道,芯片巨頭高通發(fā)布了第二代超聲波屏
2021-01-18 10:12:193594

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451273

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思?

LPDDR4是什么意思?LPDDR4X內(nèi)存是什么意思? LPDDR4和LPDDR4X內(nèi)存是目前市面上最為先進和流行的手機移動設(shè)備內(nèi)存。 該內(nèi)存是針對移動設(shè)備而設(shè)計的,因為移動設(shè)備要求更高、更快
2023-08-21 17:16:445970

lpddr4x過時了嗎?lpddr4x顯卡怎么樣?電腦LPDDR4X夠用嗎?

的改進。雖然它已經(jīng)存在了一段時間,但是它仍然是一種有效且流行的內(nèi)存類型,而且并未過時。接下來,我們來詳細探討一下LPDDR4X的特性以及其在電腦領(lǐng)域的應(yīng)用。 LPDDR4X的特性 1. 低功耗: LPDDR4X的功耗更低,這是它成為現(xiàn)代移動設(shè)備理想內(nèi)存的原因之一。在與DDR4相比較時,LPDDR
2023-08-21 17:16:463706

筆記本lpddr4xlpddr5區(qū)別?

筆記本lpddr4xlpddr5區(qū)別?? LPDDR4XLPDDR5都是一種低功耗雙向數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準,是現(xiàn)代智能手機平板電腦等移動設(shè)備的主要內(nèi)存類型。這兩種技術(shù)從設(shè)計上就注重了對移動設(shè)備電池續(xù)航
2023-08-21 17:28:273862

lpddr4xlpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大

lpddr4xlpddr5區(qū)別 lpddr4x和ddr5的區(qū)別大不大 隨著智能手機平板電腦、筆記本電腦等消費電子產(chǎn)品的不斷升級和發(fā)展,人們對設(shè)備運行速度和效率的要求也越來越高。在這樣的背景
2023-08-21 17:28:2919733

lpddr5是什么意思?lpddr5和lpddr4x提升了多少?

LPDDR4X的升級版本,帶來了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。 在移動設(shè)備領(lǐng)域,內(nèi)存是至關(guān)重要的組件之一。它對性能、電池續(xù)航時間和穩(wěn)定性都有著重要的影響。隨著智能手機、平板電腦和筆記本電腦的功能和復(fù)雜性不斷提高,人們對內(nèi)存的需求也越來越高。因此,內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展變
2023-08-21 17:28:327935

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節(jié)點的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456

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