電子發(fā)燒友App
在2016年7月16日，投資370億元人民幣、月產(chǎn)6萬片12吋內(nèi)存晶圓、年產(chǎn)值達(dá)12億美元的晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線一期項目開工儀式。下面就隨 小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
據(jù)資料顯示，晉華存儲器集成電路生產(chǎn)項目由福建省電子信息集團(tuán)和泉州、晉江兩級政府共同投建，總規(guī)劃面積594畝，預(yù)計于2018年9月達(dá)產(chǎn)。作為國家重點支持的DRAM存儲器生產(chǎn)項目，晉華項目已納入國家“十三五”集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃重大項目清單，并獲得首筆30億元國家專項建設(shè)基金支持。
此項目堪稱晉江所有重點在建項目中的“巨無霸”，而這背后所采用的技術(shù)則是***地區(qū)第二大代工廠聯(lián)電（UMC）的。在莫大康的《晉華存儲器項目異軍突起》一文中，筆者了解到幾大細(xì)節(jié)：
1，聯(lián)電接受晉華委托開發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，技術(shù)主要應(yīng)用在利基型 DRAM 的生產(chǎn)（開初是32納米制程，之后技術(shù)逐步升級）由晉華提供設(shè)備與資金，并支付聯(lián)電技術(shù)報酬金做為開發(fā)費用，而最終開發(fā)成果由雙方共同擁有。
2，聯(lián)電已經(jīng)在南科廠組建超過100人的團(tuán)隊，投入 DRAM 相關(guān)制程，設(shè)立小型生產(chǎn)線進(jìn)行試產(chǎn)。整個專案由前瑞晶總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電副總經(jīng)理陳正坤所領(lǐng)軍。
3，第一期月產(chǎn)12英寸60，000片，投資370億元，于2018年9月達(dá)產(chǎn)，預(yù)計年銷售額12億美元。而項目的二期工程將在五年內(nèi)擴(kuò)產(chǎn)至月產(chǎn)120，000片規(guī)模。
由于DRAM，包括利基型DRAM的設(shè)計相對并不復(fù)雜，只要購買先進(jìn)制程設(shè)備，實現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)該不是什么問題。
頭頂***第二大代工廠的聯(lián)電能否擔(dān)此重任？
聯(lián)電有什么？
聯(lián)電是***第一家半導(dǎo)體制造企業(yè)，于1980年成立，老對手臺積電卻比聯(lián)電遲了7年于1987年在***成立，聯(lián)電也是***第一家上市的半導(dǎo)體公司（1985年）。早成立七年的聯(lián)電卻并沒有臺積電的成就，臺積電用采取半導(dǎo)體代工模式迅速超過聯(lián)電。
1995年聯(lián)電也轉(zhuǎn)變成為半導(dǎo)體代工模式與臺積電全面競爭，不過已經(jīng)無法改變戰(zhàn)局，雙方的差距越拉越遠(yuǎn)。2004年臺積電營收2559億元新臺幣，占全球半導(dǎo)體代工市場的份額46%;聯(lián)電營收1173億元新臺幣，占全球半導(dǎo)體代工市場的份額23%，無論營收還是市場份額聯(lián)電都只有臺積電的一半。
被臺積電拉開差距這件事還得追溯到2003年，臺積電0.13微米自主工藝技術(shù)驚艷亮相，而聯(lián)電則因為決策性失誤，在該制程上選擇與IBM合作開發(fā)，最終臺積電獲得了勝利，這一節(jié)點成為了二者競爭的分水嶺。此后，臺積電一路躍升為晶圓代工的霸主，而聯(lián)電業(yè)績平平開始掉隊，此后的事情無需贅述，二者在這場競賽中的走勢一直延續(xù)至今。
上圖為2016年全球前十大晶圓代工廠營收排名，取得探花地位的聯(lián)電，2016 年的銷售額達(dá) 45.8 億美元，雖金額年增長 3%，但市占率卻下滑 1 個百分點，來到 9% 的市占率。聯(lián)電 2016 年營收成長，主要受惠于 28 納米制程制程訂單滿載，進(jìn)而降低了淡季帶來的壓力。再加上聯(lián)電位于中國廈門的 Fab 12 寸晶圓廠成功量產(chǎn)，推動了聯(lián)電 2016 年度營收表現(xiàn)。
聯(lián)電在國內(nèi)的布局早有動作，早在2001年開始進(jìn)軍中國大陸市場借道設(shè)立和艦希望借助大陸這個極具潛力的市場改變格局，花了16年時間完全收購了和艦的股份。
除此之外，2014年底聯(lián)電再次進(jìn)軍大陸，宣布在廈門建設(shè)更先進(jìn)的12寸半導(dǎo)體工廠（和艦科技是8寸半導(dǎo)體工廠），經(jīng)過兩年時間的緊急建設(shè)到今年11月實現(xiàn)量產(chǎn)，不過并沒能如其預(yù)期的投產(chǎn)28nm工藝而是40nm工藝。
根據(jù)最新消息， 聯(lián)電的先進(jìn)制程技術(shù)已達(dá)14nm，廈門聯(lián)芯也已被批準(zhǔn)切入28納米，聯(lián)電財務(wù)長劉啟東指出，14納米制程已在近期量產(chǎn)出貨，預(yù)計今年會帶來不少的營收貢獻(xiàn)。
殺出重圍
目前，全球DRAM絕大部分市場份額掌握在三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）手中，總占比約97%。
根據(jù)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的市場觀察，三星電子、SK海力士和美光科技等三大DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）廠商的服務(wù)器DRAM營收在第二季環(huán)比增長30%，因DRAM芯片供應(yīng)緊張繼續(xù)提升平均售價。該公司預(yù)計，在2017年剩余時間里，服務(wù)器DRAM供應(yīng)將保持緊張。
有業(yè)內(nèi)人士分析表示缺貨是DRAM資本減持和新制程轉(zhuǎn)進(jìn)良率不高兩大原因造成。
在技術(shù)方面，三星DRAM從20納米級制程（28-25-20），轉(zhuǎn)進(jìn)1x納米制程。外媒報道，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對手1~2年，2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，計劃今年下半年推進(jìn)至15納米。與此同時，SK海力士也準(zhǔn)備在今年下半年量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動設(shè)備用的18納米DRAM。
雖說聯(lián)電目前已在南科廠籌組數(shù)百人團(tuán)隊，開始投入DRAM相關(guān)制程技術(shù)開發(fā)，不過初步規(guī)劃將從32nm制程切入，可以說在技術(shù)起步上還落后很多。再者，存儲器的發(fā)展并非一朝一夕，嚴(yán)格的生產(chǎn)線管理，提高成品率及控制產(chǎn)品的最低成本顯得至關(guān)重要。作為“新進(jìn)者”，晉華存儲還得從長計議。
不管怎么說，晉華的存儲項目已經(jīng)起航，目前晉華集成電路有限公司的“DRAM制程技術(shù)開發(fā)”重大技術(shù)合同通過評審，合同成交總金額達(dá)7億美元，其中技術(shù)交易額4億美元，折合人民幣26.0984億元，是目前國內(nèi)經(jīng)評審認(rèn)定最大金額的單項技術(shù)合同。作為國家重點支持項目，這一艘戰(zhàn)艦未來能承載多少希望，我們還是拭目以待。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論