RED Equipment旗下子公司RED Micro Wire （RMW）日前宣布推出帶玻璃絕緣性能的新型高品質(zhì)銅線，可用于半導(dǎo)體線焊。通過(guò)在微細(xì)線生產(chǎn)中采用突破性技術(shù)，這種焊線就可以像傳統(tǒng)的銅焊線
2012-03-29 08:56:11
1584 9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 你是否在最需要手機(jī)的時(shí)候被它降到20%的電量搞得幾欲抓狂呢？據(jù)報(bào)道，目前最先進(jìn)的十大突破性技術(shù)能使你的手機(jī)電池性能在不遠(yuǎn)的將來(lái)得到前所未有的提升。下面就讓我們一起了解一下。
2014-05-09 10:56:503423 集微網(wǎng)消息，9月19日，2018年中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（CFMS2018）在深圳舉行，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu)：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking?架構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND新進(jìn)展。
2018-09-20 10:22:075376 2020-09-11 10:03:292569 采購(gòu)。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱(chēng)，蘋(píng)果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷(xiāo)售的產(chǎn)品。 蘋(píng)果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技皆未立即回應(yīng)置評(píng)請(qǐng)求。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND Flash獲得了突破性進(jìn)展 2016年3月，總投資約1600億元人民幣的國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)。四個(gè)月
2018-02-16 17:44:085459 3月25日，科技之巔·麻省理工科技評(píng)論全球十大突破性技術(shù)峰會(huì)在北京召開(kāi)，該峰會(huì)是全球最為著名的技術(shù)榜單之一，峰會(huì)圍繞十大突破性技術(shù)在中國(guó)落地性最強(qiáng)，并對(duì)目前最受關(guān)注的領(lǐng)域進(jìn)行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
control芯片透過(guò)復(fù)雜的算法來(lái)防止和糾正這么干擾帶來(lái)的錯(cuò)誤,最后拖累了資料的傳輸速度。透過(guò)3D堆疊技術(shù)，單位儲(chǔ)存空間變大，電荷間的電場(chǎng)干擾降低，大幅提升了產(chǎn)品的可靠性，也因資料錯(cuò)誤降低，不僅提升了資料
2020-11-19 09:09:58
Flash的接口控制設(shè)計(jì)由于NAND Flash只有8個(gè)I/O引腳,而且是復(fù)用的,既可以傳數(shù)據(jù)﹐也可以傳地址、命令。設(shè)計(jì)命令鎖存使能(Command Latch Enable，CLE)和地址鎖存使能
2020-11-05 09:18:33
來(lái)自斯坦福大學(xué)的一支科研團(tuán)隊(duì)近日宣布在電池領(lǐng)域獲得突破性進(jìn)展，在提升鋰電池性能同時(shí)降低體積和重量。近年來(lái)對(duì)電池性能的改善逐漸使用硅陽(yáng)極，相比較目前常用的石墨更高效。但在充電過(guò)程中硅粒子同樣會(huì)出現(xiàn)膨脹
2016-02-15 11:49:02
印刷電路板設(shè)計(jì)解決方案供貨商明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線技術(shù)，這種業(yè)界首創(chuàng)的拓樸布線(topology router)技術(shù)，能把工程師知識(shí)、電路板設(shè)計(jì)人
2018-08-31 11:53:50
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應(yīng)用實(shí)例？AD7981是如何在極端溫度下實(shí)現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
`ADAS（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）作為車(chē)輛智能化的初級(jí)階段產(chǎn)品，近年來(lái)ADAS系統(tǒng)的汽車(chē)滲透率提升速度迅猛。據(jù)智研咨詢(xún)發(fā)布的報(bào)告稱(chēng)，2020年中國(guó)ADAS市場(chǎng)規(guī)模有望突破2000億大關(guān)，前裝市場(chǎng)滲透率將
2017-02-21 18:09:25
什么是BAW技術(shù)？BAW諧振器技術(shù)的優(yōu)勢(shì)TI 突破性BAW技術(shù)芯片無(wú)外置石英晶振的無(wú)線MCU——CC2652RB網(wǎng)絡(luò)同步器時(shí)鐘——LMK05318
2021-01-25 06:59:25
的壓縮機(jī)性能有個(gè)飛躍性的提高非常的困難！”行業(yè)人士應(yīng)該都有所了解，其實(shí)，在獨(dú)立壓縮技術(shù)誕生之前，雖有噴氣增焓、兩級(jí)壓縮技術(shù)等高能效技術(shù)，但這些技術(shù)也往往存在不足。噴氣增焓技術(shù)能極大幅度提升空調(diào)低溫制熱
2016-11-22 15:18:25
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說(shuō)，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
來(lái)源：國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)MIT Technology Review2020年“十大突破性技術(shù)”解讀［編者按］ 2020年2月26日，MIT Technology Review一年...
2021-07-26 08:09:34
(Trinary Level Cell)。SLC為1bit/cell，即1個(gè)儲(chǔ)存單元存放1bit數(shù)據(jù)，其特點(diǎn)是成本高、容量小、速度快、壽命長(zhǎng)(約10萬(wàn)次擦寫(xiě))。MLC為2bit/cell，即1個(gè)儲(chǔ)存單元存放
2015-07-26 11:33:25
，在本次峰會(huì)上介紹了其突破性的技術(shù)-Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D技術(shù)從9層開(kāi)始，到32層，再到64層試片
2018-09-20 17:57:05
技術(shù)與良率瓶頸，2018年3DNAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級(jí)品在外流通銷(xiāo)售，進(jìn)而干擾市場(chǎng)價(jià)格，對(duì)應(yīng)至終端應(yīng)用，消費(fèi)型SSD市場(chǎng)首當(dāng)其沖。 巨頭為曾經(jīng)的美好還債苦日子還沒(méi)到頭，預(yù)計(jì)今年
2021-07-13 06:38:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 編輯
IC芯核隨工藝尺寸的不斷縮小正迅速縮減，唯一的例外就是芯片的I/O，0.5umCMOS工藝技術(shù)以后I/O尺寸基本上維持不變
2012-12-11 13:39:47
伴隨無(wú)線技術(shù)的快速演進(jìn)，智能手機(jī)的網(wǎng)絡(luò)傳輸性能將有望大幅提升。據(jù)悉，支持2×2 MIMO（多重輸入多重輸出）天線的802.11ac手機(jī)芯片，以及4×4 LTE MIMO天線解決方案已經(jīng)推出，突破以往手機(jī)采用1×1 MIMO天線的效能限制，可減輕系統(tǒng)功耗和信號(hào)干擾問(wèn)題。
2019-06-13 07:09:07
針對(duì)無(wú)人機(jī)突破性的電池管理：2S1P電池管理系統(tǒng)（BMS）參考設(shè)計(jì)將無(wú)人機(jī)電池組轉(zhuǎn)換為智能診斷黑匣子記錄儀。這款智能診斷黑匣子記錄儀可精確監(jiān)視剩余電量，并在整個(gè)電池使用期全程保護(hù)鋰離子電池。設(shè)計(jì)人
2018-06-26 09:42:10
/DPO4000B系列示波器，配以突破性的TPP系列無(wú)源探頭，帶寬倍增，負(fù)荷減半，完美融合高性能和簡(jiǎn)便性，使您的設(shè)計(jì)工作事半功倍！`
2010-12-08 12:38:38
NAND FLASH存儲(chǔ)，但是在STM32cubeMX軟件中配置FMC外設(shè)時(shí)沒(méi)有NAND FLASH 這一項(xiàng)，如下圖所示，請(qǐng)問(wèn)這種情況應(yīng)該怎么辦呢，可以用I/O口模擬NAND FLASH編程嗎？希望有這方面編程經(jīng)驗(yàn)的前輩指點(diǎn)一下，謝謝啦
2018-04-17 14:39:03
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
）也是一種DAC，可以生成數(shù)字正弦信號(hào)，并將其饋入DAC來(lái)產(chǎn)生相應(yīng)的模擬信號(hào)。本文將重點(diǎn)介紹新近出現(xiàn)的一項(xiàng)技術(shù)突破，它借助DDS技術(shù)大幅提升了DAC的無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍（SFDR）性能。
2019-06-27 06:29:11
市場(chǎng)上80%的移動(dòng)電源產(chǎn)品，采用3V-5.2V的升壓設(shè)計(jì)，除去前后端限流檢測(cè)控制電路，IC單升壓效率在95%以?xún)?nèi)。事實(shí)上，移動(dòng)電源升壓ic的轉(zhuǎn)換率是有望突破這個(gè)范圍的。 移動(dòng)電源升壓轉(zhuǎn)換率，主要
2014-09-24 10:33:22
作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一，《麻省理工科技評(píng)論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在現(xiàn)實(shí)中得以應(yīng)用，有...
2021-07-05 07:25:43
來(lái)源： 數(shù)字化企業(yè)作為全球最為著名的技術(shù)榜單之一，《麻省理工科技評(píng)論》全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在...
2021-07-05 07:35:37
并沒(méi)有什么突破性的進(jìn)展。我們的智能手機(jī)體積更苗條、運(yùn)行速度更快、處理器性能更強(qiáng)，但是對(duì)續(xù)航能力的增加，似乎各個(gè)廠商都有些一籌莫展?！ ⌒疫\(yùn)的是，許多公司和科研機(jī)構(gòu)都看到了整個(gè)行業(yè)對(duì)于電池技術(shù)進(jìn)步的渴求
2015-11-11 11:52:54
CSR推出采用SiRFaware技術(shù)的突破性SIRFstarIV定位架構(gòu)
CSR推出突破性SiRFstarIV 定位架構(gòu)，結(jié)合了獨(dú)特的自助式SiRFaware及微電源GPS技術(shù)，使消費(fèi)設(shè)備在沒(méi)有消耗電池和網(wǎng)絡(luò)輔助
2009-08-05 09:26:34612 NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用
0 引言
計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，
2009-11-07 10:21:25857 RAYSPAN(R) 發(fā)布用于長(zhǎng)期演進(jìn)設(shè)備的突破性天線解決方案MTM-E(TM) 支持電池壽命更持久的小型高性能手機(jī)
圣迭戈2010年2月24日 /
2010-02-24 18:14:051182 市場(chǎng)研究調(diào)查認(rèn)定的 一項(xiàng)突破性數(shù)位設(shè)計(jì)分析技術(shù)
Tektronix 已經(jīng)開(kāi)始一項(xiàng)創(chuàng)新的機(jī)種，以新的概念及生產(chǎn)系列以
2010-08-06 08:30:35344 卓然為全球2D和3D電視市場(chǎng)進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù)
第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國(guó)卓然公司（納
2010-11-17 15:04:04607 領(lǐng)先的半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商硅芯光電科技有限公司(Silicon Core Technology)推出用于室內(nèi)應(yīng)用的突破性1.9mm點(diǎn)距LED顯示面板技術(shù)。
2011-12-22 10:03:41656 應(yīng)用材料公司推出先進(jìn)的蝕刻技術(shù) ─ Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng)，這項(xiàng)突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構(gòu)的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)；3D記憶體架構(gòu)可提供高密度兆位元儲(chǔ)存容量，為未來(lái)
2012-06-29 09:13:24850 隨著電子信息技術(shù)的迅猛發(fā)展，各種消費(fèi)電子設(shè)備向數(shù)字化、集成化、智能化方向發(fā)展，電子智能控制器應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒉粩嗤卣?，市?chǎng)滲透率有望大幅提升。 智能控制器應(yīng)用不斷拓展 市場(chǎng)滲透率有望大幅提升
2016-11-08 11:10:111055 NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)”為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:007739 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示，盡管仍采用3D分層，但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466 昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625 北京時(shí)間2018年8月7日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)的一篇新聞稿表示其公開(kāi)發(fā)布了一條其突破性技術(shù)——Xtacking。
2018-08-11 10:50:2811892 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專(zhuān)利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 今年的閃存技術(shù)峰會(huì)，美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱(chēng)之為“4D NAND”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱(chēng)之為Xtacking，美光則稱(chēng)之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫(xiě)
2018-08-12 09:19:286688 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露，這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講，我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道，這次他們的介紹更加詳細(xì)，我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885 “芯”、“云”系列成果，全面展示了其創(chuàng)新的產(chǎn)品和領(lǐng)先的解決方案。紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全新3D NAND架構(gòu)Xtacking?技術(shù)，賦能行業(yè)的云及AI解決方案等，都給大會(huì)嘉賓留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:001826 Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車(chē)追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 對(duì)于一個(gè)多月前在美國(guó)圣克拉拉召開(kāi)的全球閃存峰會(huì)上發(fā)布的突破性技術(shù)Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全接受中國(guó)證券報(bào)記者專(zhuān)訪表示，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。未來(lái)十年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加研發(fā)投入。
2018-10-09 10:57:322976 按照規(guī)劃，AMD將于明年推出Zen 2架構(gòu)，在目前Zen、Zen+的基礎(chǔ)上大幅革新，再結(jié)合7nm工藝，無(wú)論技術(shù)特性還是性能能效都有望大幅提升，包括桌面筆記本的Ryzen銳龍和服務(wù)器的EPYC霄龍。
2018-11-02 10:36:581087 《麻省理工科技評(píng)論》是全球十大突破性技術(shù)具備極大的全球影響力和權(quán)威性，至今已經(jīng)舉辦了18年。每年上榜的技術(shù)突破，有的已經(jīng)在現(xiàn)實(shí)中得以應(yīng)用，有的還尚需時(shí)日，但注定將在未來(lái)對(duì)人類(lèi)的生產(chǎn)生活產(chǎn)生重大影響，甚至?xí)氐赘淖冋麄€(gè)社會(huì)面貌。
2019-03-04 15:36:164158 國(guó)際著名科技期刊IEEE Spectrum推出12項(xiàng)2019年值得持續(xù)關(guān)注的突破性技術(shù)。
2019-04-05 10:27:002686 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場(chǎng)影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302 在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場(chǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講，并透露將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。
2019-05-17 11:47:131574 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277 湯強(qiáng)在峰會(huì)上表示將于今年8年推出Xtacking 2.0。
2019-05-17 14:22:593124 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 人工智能輔助宮頸癌篩查技術(shù)取得突破性進(jìn)展，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家評(píng)價(jià)，本次成果是數(shù)字化醫(yī)療與精準(zhǔn)醫(yī)療的一項(xiàng)重要實(shí)踐，為未來(lái)精準(zhǔn)診斷惠及廣大人群提供了技術(shù)和數(shù)據(jù)上的支持。若該成果得以落地應(yīng)用，預(yù)期可使病理醫(yī)生進(jìn)行
2019-06-29 11:32:401182 看點(diǎn)在成本上，由于中國(guó)相當(dāng)重視存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)，國(guó)家大力支持，無(wú)論是DRAM，還是NAND Flash，都有大項(xiàng)目先后上馬，且今明兩年陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這給一直壟斷全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的那幾家大廠施加了不小的壓力。中國(guó)一旦在技術(shù)和量產(chǎn)層面突破，其先天的成本優(yōu)勢(shì)很可能對(duì)幾家大廠的中低端產(chǎn)品形成摧枯拉朽的態(tài)勢(shì)。
2019-08-30 16:18:4311546 ，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2019-09-03 10:07:021051 Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS（閃存技術(shù)峰會(huì)）首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu)，榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于，采用Xtacking，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專(zhuān)有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 Nvidia發(fā)展GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)，大幅提升GPU加載大型資料集的速度，使用GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)，GPU加載資料集的工作不再完全需要仰賴(lài)CPU，因而解除了資料I/O的瓶頸。
2019-09-11 11:51:02832 近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 有關(guān)國(guó)產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進(jìn)閃存產(chǎn)品，而當(dāng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功發(fā)展出來(lái)3D NAND存儲(chǔ)Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時(shí)候，我們知道，真正的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:07882 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849 207所獲悉，該所團(tuán)隊(duì)近日完成太赫茲時(shí)域光譜系統(tǒng)音圈電機(jī)快速掃描模塊研發(fā)，或?qū)⑹构庾V掃描速度大幅提升。
2020-03-27 14:52:422006 據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，從中長(zhǎng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:062793 閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將 Xtacking 技術(shù)應(yīng)用于其第二代 3D NAND 產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，大規(guī)模量產(chǎn)之后，預(yù)計(jì)會(huì)有更多的儲(chǔ)存產(chǎn)品用上國(guó)產(chǎn)芯片。
2020-08-11 15:55:18439 8月20日，深圳市朗科科技股份有限公司受邀參加長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)存之道，融合創(chuàng)芯 Xtacking合作伙伴生態(tài)大會(huì)，被授予鉆石級(jí)合作伙伴稱(chēng)號(hào)。 紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司董事長(zhǎng)趙偉國(guó)先生，長(zhǎng)江
2020-08-25 17:19:151599 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 長(zhǎng)江存儲(chǔ)此次全新發(fā)布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)3D NAND高品質(zhì)原廠顆粒。
2020-09-27 16:17:442563 。 今天，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)，發(fā)布臺(tái)電純國(guó)產(chǎn)化固態(tài)硬盤(pán)騰龍系列DS10。 臺(tái)電騰龍系列DS10將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)全新一代64層TLC閃存顆粒。該顆粒采用由長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)技術(shù)，通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元與外圍電路的獨(dú)立加工，將傳統(tǒng)常規(guī)的的1Gp
2020-11-18 11:27:082086 11月18日?qǐng)?bào)道 今日，在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC WORLD學(xué)術(shù)會(huì)議”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking具有速度快、工藝結(jié)實(shí)
2020-11-18 15:26:573871 長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面，并獲得眾多用戶(hù)的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù)，而就在近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)
2020-11-24 09:56:483572 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014 長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌——致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面，并獲得眾多用戶(hù)的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)的技術(shù)，而就在近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù)，讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。
2020-11-28 09:09:063373 此外，楊士寧還展示了Xtacking技術(shù)，表示：在這一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國(guó)際最前沿的；長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國(guó)際；同時(shí)也要感謝國(guó)產(chǎn)同行的支持。他還表示，目前只有帶有Xtacking標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國(guó)產(chǎn)閃存芯片。
2020-11-30 11:20:013285 NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一，目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn)，未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:333386 ? 2 月 24 日，《麻省理工科技評(píng)論》2021 年 “十大突破性技術(shù)” 發(fā)布會(huì)在杭州余杭區(qū)未來(lái)科技城舉辦。 從 2001 年開(kāi)始，《麻省理工科技評(píng)論》每年都會(huì)進(jìn)行 “十大突破性技術(shù)” 的評(píng)選
2021-03-03 14:11:041912 2021 年 2 月 24 日，MIT Technology Review 一年一度的 “十大突破性技術(shù)” 榜單正式發(fā)布。自 2001 年起，該雜志每年都會(huì)評(píng)選出當(dāng)年的 “十大突破性技術(shù)”，這份
2021-07-02 14:21:375588 采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問(wèn)題，提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量，是“長(zhǎng)快、長(zhǎng)厚、長(zhǎng)大”的核心技術(shù)方向之一。為了推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展，解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴(lài)，恒普科技突破性解決了碳化鉭涂層技術(shù)（CVD），達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。
2022-11-02 14:36:433104 。此次大會(huì)德施曼重磅發(fā)布了四大突破性技術(shù)，同時(shí)多款旗艦新品重磅首發(fā)！四大突破性技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)科技創(chuàng)新此次發(fā)布會(huì)最受關(guān)注的無(wú)疑是已經(jīng)被媒體前期部分劇透的四大突破性技術(shù)
2023-04-17 17:57:40765 
致態(tài)Ti600系列SSD采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒，基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，
再配合優(yōu)秀主控解決方案，可以達(dá)到7000MB/s的讀取速度和6000MB/s的寫(xiě)入速度，而實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)比這還要更高一些。
2023-09-27 10:49:29606 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI公司突破性的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)開(kāi)關(guān)技術(shù).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-27 09:52:20
1 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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