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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

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2019-09-02 14:31:151204

3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)突破點(diǎn)

受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

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2018-09-20 10:22:075376

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:292569

傳蘋(píng)果有意采購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND Flash

采購(gòu)。日經(jīng)新聞引述兩名知情人士消息稱,蘋(píng)果將把這些芯片用于新款 iPhone 以及特別是其他在中國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷售的產(chǎn)品。 蘋(píng)果與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技皆未立即回應(yīng)置評(píng)請(qǐng)求。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND Flash獲得了突破性進(jìn)展 2016年3月,總投資約1600億元人民幣的國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)。四個(gè)月
2018-02-16 17:44:085459

紫光存儲(chǔ)解散?官方回應(yīng)NAND業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ)

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2018全球十大突破性技術(shù)發(fā)布

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3D NAND技術(shù)資料分享

3D NAND技術(shù)資料:器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
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3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?

什么是3D NAND?什么是4D NAND3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00

3D NAND及PCIe NVMe SSD為什么能晉升巿場(chǎng)主流?

3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸成長(zhǎng)?如何提升SSD壽命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39

3D打印技術(shù)在航空航天領(lǐng)域應(yīng)用不斷擴(kuò)大

制造方式相比,3D打印技術(shù)不僅可大幅度降低生產(chǎn)成本,還突破了傳統(tǒng)制造工藝對(duì)于復(fù)雜形狀的限制,它帶來(lái)的是生產(chǎn)加工觀念的革命轉(zhuǎn)變,對(duì)推動(dòng)全球航空航天領(lǐng)域的發(fā)展起到了重要作用。同時(shí),需要指出的是,雖然3D打印
2019-07-18 04:10:28

3D打印技術(shù)強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍醫(yī)療APP?時(shí)辰未到!

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3D打印技術(shù)是怎么推動(dòng)制造業(yè)的

S800的愛(ài)司凱科技股份有限公司,就走在了行業(yè)前列。多年來(lái),愛(ài)司凱科技股份有限公司致力于開(kāi)發(fā)用于工業(yè)級(jí)生產(chǎn)的大型3D打印機(jī),采用3DP的方式工業(yè)生產(chǎn)中制摸工藝及效率大大提升,生產(chǎn)周期從幾個(gè)月縮短到
2018-08-11 11:25:58

3D打印有什么優(yōu)勢(shì)

3D打印精準(zhǔn)的數(shù)字技術(shù)、工廠的可重復(fù)性和工匠的設(shè)計(jì)自由結(jié)合在一起,解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對(duì)當(dāng)下3D打印技術(shù)帶來(lái)便利的總結(jié),節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實(shí)》一書(shū)。虎嗅會(huì)繼續(xù)摘編該書(shū)精華。
2019-07-09 07:02:03

3D打印機(jī)技術(shù)材料怎么選擇

才能滿足設(shè)計(jì)需求,要在不同的設(shè)計(jì)階段,選擇合適的3D打印材料,才能做到事半功倍。什么是3D打印材料屬性?物理方面:抗壓強(qiáng)度、抗拉強(qiáng)度、硬度、強(qiáng)度、韌性、耐熱性、耐磨、導(dǎo)熱性能、導(dǎo)電性能、光學(xué)性能
2018-09-20 10:55:09

3D顯示技術(shù)的原理是什么?有哪些應(yīng)用?

3D顯示技術(shù)的原理是什么?3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用?3D拍好了到底怎么樣傳輸?
2021-05-31 06:53:03

3D顯示技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)

3D行業(yè)的發(fā)展,預(yù)計(jì)2021年收入達(dá)到250億元。相關(guān)報(bào)告:華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2020-2025年中國(guó)裸眼3D顯示器行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)及投資戰(zhàn)略研究報(bào)告》四、3D顯示技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)1、顯示算法
2020-11-27 16:17:14

3D混合制造技術(shù)介紹

的減輕產(chǎn)品重量呢?采用新型的塑料成型技術(shù)3D混合制造 可以到達(dá)要求,3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時(shí)間和實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜的饋源/波導(dǎo)等器件的一體化免安裝調(diào)試,且?guī)?lái)的另外好處是大幅度減輕了產(chǎn)品重量。下面舉例說(shuō)明:
2019-07-08 06:25:50

3D負(fù)載會(huì)影響NVENC性能

的圖形處理和硬件編碼單元之間的某種干擾隔離開(kāi)來(lái)。隨著3D GPU利用率的增加,硬件編碼器利用率下降,幀速率也下降。 GPU遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是最大負(fù)載,應(yīng)該有足夠的儲(chǔ)備。技術(shù)文檔指出硬件解碼器性能不應(yīng)受CUDA負(fù)載
2018-09-17 14:38:34

3D軟件中怎么繪制杯子?

創(chuàng)新設(shè)計(jì)變得更加直接,繪圖操作更加高效,能極大提升3D模型創(chuàng)建和編輯的速度和效率,從而引領(lǐng)工業(yè)設(shè)計(jì)新潮流。
2021-01-28 17:36:31

NAND FLASH的現(xiàn)狀與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)

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2020-11-19 09:09:58

突破提升性能的同時(shí)降低電池體積和重量!

來(lái)自斯坦福大學(xué)的一支科研團(tuán)隊(duì)近日宣布在電池領(lǐng)域獲得突破性進(jìn)展,在提升鋰電池性能同時(shí)降低體積和重量。近年來(lái)對(duì)電池性能的改善逐漸使用硅陽(yáng)極,相比較目前常用的石墨更高效。但在充電過(guò)程中硅粒子同樣會(huì)出現(xiàn)膨脹
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AD7981是什么?AD7981有什么特性?AD7981有哪些應(yīng)用實(shí)例?AD7981是如何在極端溫度下實(shí)現(xiàn)突破性能和可靠的?
2021-05-17 07:17:52

AMR技術(shù)眸瑞科技:從自動(dòng)3D建模到工業(yè)4.0時(shí)代

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FreeRTOS對(duì)性能有多大提升?比如做Robomasters這種機(jī)器人比賽,使用FreeRTOS,對(duì)性能有多大提升
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3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

3D NAND電學(xué)特性 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:51

3D NAND與2D NAND性能對(duì)比

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand行業(yè)芯事經(jīng)驗(yàn)分享
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:30:15

卓然為全球2D和3D電視市場(chǎng)進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù)

卓然為全球2D和3D電視市場(chǎng)進(jìn)一步提升突破性幀速率轉(zhuǎn)換器技術(shù) 第二代SupraFRC® 301處理器顯著提升視頻顯示質(zhì)量美國(guó)卓然公司(納
2010-11-17 15:04:04607

3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過(guò)它

3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者: (1)比NAND Flash快1000
2018-04-19 14:09:0050542

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466

長(zhǎng)江儲(chǔ)存發(fā)布突破性技術(shù)Xtacking,有望大幅提升NAND I/O速度

8月8日消息 根據(jù)長(zhǎng)江儲(chǔ)存的官方消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司今天公開(kāi)發(fā)布突破性技術(shù)——Xtacking,該技術(shù)將有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps,與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。
2018-08-09 15:45:361295

中國(guó)首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:394625

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布突破性技術(shù)——Xtacking,三星是否開(kāi)始慌張?

北京時(shí)間2018年8月7日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)的一篇新聞稿表示其公開(kāi)發(fā)布了一條其突破性技術(shù)——Xtacking。
2018-08-11 10:50:2811892

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開(kāi)發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開(kāi)發(fā)布突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎(jiǎng)”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講,我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代,帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí),加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國(guó)際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586

與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

Intel正式發(fā)布第二代傲騰內(nèi)存M15 性能得到了大大提升

基于3D XPoint非易失存儲(chǔ)技術(shù)的Intel傲騰家族已經(jīng)枝繁葉茂,從數(shù)據(jù)中心到桌面到筆記本,從SSD固態(tài)盤(pán)到DC持久內(nèi)存再到內(nèi)存加速?,F(xiàn)在,Intel正式發(fā)布了第二代傲騰內(nèi)存M15,相比一代傲騰M10性能大大提升了一個(gè)檔次。
2019-05-29 17:09:5810804

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出第二代Xtacking 3D NAND存儲(chǔ)架構(gòu)

Xtacking是長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年FMS(閃存技術(shù)峰會(huì))首次公開(kāi)的3D NAND架構(gòu),榮獲當(dāng)年“Best of Show”獎(jiǎng)項(xiàng)。其獨(dú)特之處在于,采用Xtacking,可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路。
2019-09-06 16:30:372625

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開(kāi)亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的SSD產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平

根據(jù)國(guó)科微官方的消息,國(guó)科微搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品已完成批量測(cè)試。
2020-01-17 15:17:495053

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC
2020-04-13 09:29:415557

長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開(kāi)始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032

官宣!致鈦科技將發(fā)布SSD新品,配備長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D閃存

9月9日下午,致鈦科技正式宣布,9月10日14時(shí)將舉行線上發(fā)布會(huì),屆時(shí)會(huì)正式推出致鈦品牌的SSD新品,使用的是長(zhǎng)江存儲(chǔ)自己生產(chǎn)的3D閃存。
2020-09-10 10:02:33850

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長(zhǎng) 江 存 儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:341883

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:132330

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見(jiàn)面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問(wèn)題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)
2020-11-24 09:56:483572

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:314014

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫(xiě)次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

3D NAND;長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來(lái)到2020年末,美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說(shuō),存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒(méi)有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:373659

回顧長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程

日前,有媒體報(bào)道稱,消息人士透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍至10萬(wàn)片晶圓,并準(zhǔn)備最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片,不過(guò)為確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量,該計(jì)劃有可能會(huì)被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:274468

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專利

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵害訴訟場(chǎng)主張說(shuō):“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無(wú)許可地使用長(zhǎng)江低利的專利革新?!?b class="flag-6" style="color: red">長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱,美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),從與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)中防御,確保和保護(hù)市場(chǎng)占有率。
2023-11-12 14:26:45314

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書(shū)中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:05369

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。
2023-11-13 17:24:51547

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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