資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于周四宣布的新技術(shù)允許存儲(chǔ)芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:21
4222 據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來(lái)自存儲(chǔ)器芯片制造商的多個(gè)消息來(lái)源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來(lái)越強(qiáng)勁，把三星和蘋(píng)果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 在設(shè)計(jì)使用NAND閃存的系統(tǒng)時(shí)，選擇適當(dāng)?shù)奶匦云胶夥浅Ｖ匾?閃存控制器還必須足夠靈活，以進(jìn)行適當(dāng)?shù)臋?quán)衡。 選擇正確的閃存控制器對(duì)于確保閃存滿(mǎn)足產(chǎn)品要求至關(guān)重要。NAND閃存是一種大眾化
2020-12-03 13:52:282455 與內(nèi)存有關(guān)的錯(cuò)誤，屬于那種最令人驚恐的錯(cuò)誤。在時(shí)間和空間上，經(jīng)常在距離錯(cuò)誤源一段距離之后才表現(xiàn)出來(lái)。將錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)寫(xiě)到錯(cuò)誤的位置，你的程序可能在最終失敗之前運(yùn)行了一段時(shí)間。 下面列舉并分析了與內(nèi)存有關(guān)的幾種錯(cuò)誤：
2023-06-20 10:41:50549 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
該行業(yè)非常重視單個(gè)ECC代碼的強(qiáng)度：但經(jīng)常被忽視的是錯(cuò)誤預(yù)防的強(qiáng)度，這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率？您可能已在工程團(tuán)隊(duì)或存儲(chǔ)系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過(guò)
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
K9F5608UOA閃存塊的大小為16K，每頁(yè)的大小是512字節(jié)，每頁(yè)還16字節(jié)空閑區(qū)用來(lái)存放錯(cuò)誤校驗(yàn)碼空間(有時(shí)也稱(chēng)為out-of-band，OOB空間)；在進(jìn)行寫(xiě)操作的時(shí)候NAND閃存每次將一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)放入
2014-04-23 18:24:52
的大小為16K，每頁(yè)的大小是512字節(jié)，每頁(yè)還16字節(jié)空閑區(qū)用來(lái)存放錯(cuò)誤校驗(yàn)碼空間(有時(shí)也稱(chēng)為out-of-band，OOB空間)；在進(jìn)行寫(xiě)操作的時(shí)候NAND閃存每次將一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)放入內(nèi)部的緩存區(qū)
2013-04-02 23:02:03
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn)： XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng)，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺(tái)閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺(tái)，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛(ài)的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶(hù)正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問(wèn)候錢(qián)德拉以上來(lái)自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來(lái)構(gòu)建 .stldr？我走對(duì)路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠(yuǎn)離ML403板支持的CFI兼容性，您無(wú)法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項(xiàng)目?jī)H限于Virtex 4平臺(tái)，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
嗨，我們想用Spartan 6汽車(chē)級(jí)FPGA（XA6SLX100-2FGG484Q-ND）設(shè)計(jì)一種新的PCB。請(qǐng)為設(shè)計(jì)指定SPI配置閃存，因?yàn)閄ilinx（間接編程簡(jiǎn)介 - SPI或BPI閃存）中列出的所有SPI閃存都是合法的。請(qǐng)建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)思路
2021-04-27 07:00:42
你好，使用未被配置數(shù)據(jù)占用的配置閃存的剩余內(nèi)存有哪些規(guī)則？我在我的8Mb閃存的最后16個(gè)地址放置了一個(gè)16字節(jié)的哈希值，它配置了一個(gè)Spartan 6 LX25。配置數(shù)據(jù)僅占用大約4/5的地址。謝謝
2019-06-26 08:41:22
我在我的設(shè)計(jì)中使用Xilinx XCF128X-FTG64C平臺(tái)閃存?，F(xiàn)在我正在嘗試使用Virtex-6 FPGA進(jìn)行PCB布局和布線(xiàn)存儲(chǔ)器。我還沒(méi)有找到有關(guān)內(nèi)存跟蹤長(zhǎng)度匹配的任何信息。但我在
2019-09-03 09:33:44
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲(chǔ)單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
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NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 韓國(guó)三星電子公司周一說(shuō)，它和蘋(píng)果電腦公司就合資生產(chǎn)NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋(píng)果最新便攜音樂(lè)播放
2006-03-13 13:05:36389 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)部門(mén)的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開(kāi)始批
2010-03-04 11:02:511088 爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫(xiě)的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類(lèi)型
Flash閃存是非易失性存儲(chǔ)器，這是相對(duì)于SDRAM等存儲(chǔ)器所說(shuō)的。即存儲(chǔ)器斷電后，內(nèi)部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術(shù)方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類(lèi)型，其中NAND型是專(zhuān)為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類(lèi)型的
2010-05-20 09:26:23770 
據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào)，盡管超級(jí)本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應(yīng)商相比，專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢(shì)。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場(chǎng)以及令
2012-07-06 09:39:14807 
東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來(lái)首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 對(duì)于許多消費(fèi)類(lèi)音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品
2012-07-27 17:03:381471 
東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849 內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來(lái) 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23599 本來(lái)這幾天有關(guān)于華為P10閃存造假的問(wèn)題已經(jīng)沒(méi)有前幾天那么火熱了，可是，今天貼吧再曝光華為旗下兩款手機(jī)閃存有問(wèn)題。
2017-04-25 10:09:1013874 
目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開(kāi)發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
三星NAND閃存規(guī)格書(shū) K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動(dòng)到操作系統(tǒng)啟動(dòng)的過(guò)渡，為運(yùn)行操作系統(tǒng)提供基本的運(yùn)行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲(chǔ)器系統(tǒng)等，其功能類(lèi)似于PC機(jī)的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場(chǎng)供需情況已經(jīng)變了，本來(lái)預(yù)計(jì)Q3季度會(huì)有蘋(píng)果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過(guò)現(xiàn)在來(lái)看這些廠商想的太樂(lè)觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場(chǎng)大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤(pán)等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴(lài)進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:003750 DVEVM可以啟動(dòng)或（默認(rèn)），與非門(mén)，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問(wèn)和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問(wèn)；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長(zhǎng)，許多客戶(hù)想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對(duì)于許多消費(fèi)類(lèi)音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道，頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 2017年經(jīng)歷市況樂(lè)觀的一年后，NAND閃存（flash）市場(chǎng)在2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示，去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過(guò)于求了，從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570 
。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車(chē)、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用領(lǐng)域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的典范，但關(guān)于嵌入式閃存技術(shù)仍有一些錯(cuò)誤的觀念，這正是我想要努力澄清的。
2018-09-16 10:43:13806 為了滿(mǎn)足這種需求而迅速發(fā)展起來(lái)的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來(lái)極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、Net
2018-09-21 20:06:01485 東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先
2018-10-08 17:11:001940 在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2018-10-25 17:37:1818 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧⊿LC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類(lèi)型：?jiǎn)螌訂卧?SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱(chēng)2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)，稱(chēng)2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長(zhǎng)39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26582 
2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開(kāi)始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣，默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專(zhuān)用控制器來(lái)處理。另一方面，DRAM被認(rèn)為是“非?！笨煽康摹７?wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)（并且可能是校正）電路，但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專(zhuān)注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805 
同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類(lèi)型。最常見(jiàn)的兩種是NOR閃存和NAND閃存。
2019-12-05 11:54:343576 我們都知道固態(tài)硬盤(pán)采用閃存顆粒NAND Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)，所以它是固態(tài)硬盤(pán)中最重要的構(gòu)成部分，其好壞也就決定著固態(tài)硬盤(pán)質(zhì)量的好壞，而我們目前常見(jiàn)的NAND閃存主要有四種類(lèi)型：Single
2020-01-01 09:31:003412 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
NAND Flash是目前閃存中最主要的產(chǎn)品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢(shì)，其陣列內(nèi)部包含由晶體管構(gòu)成的行列單元。
2020-02-24 17:57:302242 
2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:522653 的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而，三星電子過(guò)往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資，以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn)，或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn)，再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162 無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講，NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤(pán)的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤(pán)的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類(lèi)型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng)，今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類(lèi)。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專(zhuān)注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599 在為期三天的 2020 年虛擬閃存峰會(huì)期間，NEO 半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人許志安（Andy Hsu）進(jìn)行了詳細(xì)的演講，介紹了該公司全新 X-NAND 閃存架構(gòu)，該架構(gòu)有望將 SLC 閃存的速度
2020-11-15 09:27:402041 ? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來(lái)越小，NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng)，擦寫(xiě)次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766 電流互感器應(yīng)用中的一個(gè)錯(cuò)誤觀念： 電流互感器適用范圍廣泛,在電路檢驗(yàn)電流量、與電度表互相配合接線(xiàn)計(jì)量檢測(cè)功率因素、無(wú)功負(fù)荷耗電量。進(jìn)行二次繼電保護(hù)裝置設(shè)備電動(dòng)機(jī)的維護(hù)保養(yǎng)等方面許多運(yùn)用。租賃廠房
2021-02-19 16:13:23330 日本芯片制造商Kioxia開(kāi)發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580 NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(mén)（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
本文檔重點(diǎn)介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（Static Memory Controller，SMC）的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510 寫(xiě)入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:562894 EE-344：在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427 在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問(wèn)片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 NAND 閃存內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET（金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管）， 與普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同之處在于，在柵極（控制柵）與漏極/源極之間存在浮置柵，利用該浮置柵存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
內(nèi)存控制器的未來(lái)與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣，它們受摩爾定律的約束。雖然存儲(chǔ)類(lèi)存儲(chǔ)器 (SCM) 可能會(huì)因新架構(gòu)而獲得關(guān)注，但存儲(chǔ)器控制器市場(chǎng)仍然很大程度上受 NAND 閃存的支配
2022-07-20 10:35:27694 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話(huà)已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡(jiǎn)單地說(shuō)，沒(méi)有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱(chēng)為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線(xiàn)堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位，因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031197 
內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶(hù)可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 與內(nèi)存有關(guān)的錯(cuò)誤屬于那種最令人驚恐的錯(cuò)誤。在時(shí)間和空間上，經(jīng)常在距離錯(cuò)誤源一段距離之后才表現(xiàn)出來(lái)。將錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)寫(xiě)到錯(cuò)誤的位置，你的程序可能在最終失敗之前運(yùn)行了一段時(shí)間。
2023-06-20 10:41:14250 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶(hù)就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
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