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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術>東芝宣布在存儲龍頭三星電子之前 研發(fā)出96層3D NAND flash存儲

東芝宣布在存儲龍頭三星電子之前 研發(fā)出96層3D NAND flash存儲

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優(yōu)勢,或許,未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來,存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當中,也
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2011-04-25 11:10:101330

NAND Flash供應商排名:三星Q3季穩(wěn)居龍頭

雖然2012年第叁季初期NAND Flash市場需求受全球經(jīng)濟復甦緩慢的影響而呈現(xiàn)疲弱不振,但東芝7月中宣布減產(chǎn)及9月中蘋果發(fā)布新的iPhone 5也為市場帶來了正面的激勵因素
2012-11-05 09:30:312154

東芝在閃存峰會上展示最新NAND存儲產(chǎn)品

東京—東芝公司 (TOKYO:6502)今天宣布,該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。
2014-09-03 11:40:13849

如何存儲MQX web page到NAND FLASH

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2015-11-26 14:51:450

為確保行業(yè)優(yōu)勢 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261209

群聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進一步擴產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲存型快閃存儲器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價格已經(jīng)松動,但包括存儲器、控制IC、封測等供應體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00513

美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲器市場

在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口,導致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布擴產(chǎn),以補足市場供不應求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922

DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析

,存儲器內(nèi)的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應用于代碼存儲介質(zhì)中,而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲。
2018-04-09 15:45:33109972

存儲器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲器,性能獲重大提升

器是新產(chǎn)品,普及還要一段時間,目前 3D TLC 快閃存儲器如何發(fā)展,依然是關鍵。24 日,東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤,是旗下 96 層堆棧 3D TLC 快閃存儲器首發(fā),讀取
2018-07-26 18:01:002026

東芝在Q4擴大963D NAND產(chǎn)品出貨量,各家原廠在96層和QLC技術上的競爭愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術的快速發(fā)展,2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈,其中,三星已在7月份宣布量產(chǎn)963D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱,東芝存儲器(TMC)963D NAND將在Q4擴大出貨,代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161227

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預計明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報捷,已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利,預計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲一直都是三星的強項。
2018-08-13 16:08:273366

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代,帶動消費性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級,加上長江存儲發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking,試圖超車追趕國際大廠,全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加,戰(zhàn)火愈益激烈,2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586

半導體行業(yè)3D NAND Flash

3D NAND Flash 作為新一代的存儲產(chǎn)品,受到了業(yè)內(nèi)的高度關注!但目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron
2018-10-08 15:52:39395

3D NAND技術的轉(zhuǎn)換促進產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應對招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后,正式轉(zhuǎn)進3D NAND Flash時代,目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)的3D
2018-12-03 09:04:571684

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:47991

長江存儲直追國際技術 NAND陷入全球混戰(zhàn)

長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281277

東芝帶動NAND Flash漲價 下半年行情有文章可做

東芝存儲器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機構(gòu)集邦TrendForce存儲器儲存研究(DRAMeXchange)評估,此事件將使得Wafer短期報價面臨漲價壓力,第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價格可能上漲,3D NAND Flash產(chǎn)品價格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855

東芝存儲XL-Flash技術2020年將量產(chǎn)

近日,據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC
2019-08-07 10:56:32665

東芝存儲器最新發(fā)布XL-Flash技術

據(jù)外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC。
2019-09-04 16:41:321234

長江存儲存儲巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長江存儲打破全球3D NAND技術壟斷,作為國家重點打造的存儲器大項目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場正式向存儲巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

東芝存儲3D XPoint前景不看好,性價比比不上XL-Flash

至于原因,東芝認為3D XPoint成本太高,在容量/價格比上難以匹敵3D NAND 技術,現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn),可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:342655

第五代BiCS Flash 3D存儲芯片可以將接口速度提高50%

存儲公司 Kioxia(原東芝存儲)近日宣布,將在今年 Q1 送樣 112 層 TLC Flash 芯片,這是第五代 BiCS Flash 3D 存儲芯片。
2020-02-03 15:44:222232

長江存儲128層NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領先

據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術,意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長江存儲128層NAND閃存研發(fā)成功,跳過了96

長江存儲科技有限責任公司宣布,128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功,這標志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:224866

NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口,多廠商擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能

在市場NAND Flash快閃存儲器供應仍有缺口,導致價格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲器大廠美光(Micron)也宣布擴產(chǎn),以補足市場供不應求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:161889

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:191922

NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設計

Nand flashflash存儲器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

長江存儲的首款消費級固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關技術答復,讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長江存儲于2014年,開始3D NAND flash研發(fā),技術團隊從最初開始研發(fā)相關技術到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時間,并在,2016年注冊公司,短短的時間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND存儲密度高達1Tb

和2022年度三星內(nèi)存技術日上所承諾的,三星今日宣布,已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb(太字節(jié))三比特單元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND,
2022-11-08 13:37:36577

存儲器迎來怎樣的2023?

NAND Flash。2007年,東芝推出3D NAND,三星也在2012年發(fā)布其第一代3D NAND。NAND Flash 技術幾十年發(fā)展保留了相同的概念、堆疊(stack)和架構(gòu),存儲密度隨時間呈指數(shù)
2022-11-25 14:57:351637

三星電子量產(chǎn)最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

NAND Flash和NOR Flash存儲器的區(qū)別

摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490

NAND Flash存儲器的基礎知識

隨著信息技術的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標及應用領域進行詳細解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446

什么是NANDFlash 存儲器?

Flash ROM NAND Flash ROM 應該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經(jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會涉及到它。比如你買手機,肯定會考慮64GB,還是256GB?
2024-03-01 17:08:45160

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