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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存

三星突破DRAM的擴(kuò)展極限 成功研發(fā)10nm級(jí)DDR4內(nèi)存

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內(nèi)外兼修,江波龍DDR4內(nèi)存已通過(guò)KTI專(zhuān)項(xiàng)測(cè)試認(rèn)證

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2020-06-23 15:44:462435

DDR4DDR3的不同之處 DDR4設(shè)計(jì)與仿真案例

相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
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長(zhǎng)鑫官網(wǎng)上架DDR4/LPDDR4X內(nèi)存,首顆國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片即將開(kāi)賣(mài)!

據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方網(wǎng)站已經(jīng)公開(kāi)列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片,都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,目前已經(jīng)處于售前咨詢階段(Contact Sales)。 長(zhǎng)鑫特別強(qiáng)調(diào)
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DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程(DDR~DDR4

號(hào)技術(shù)的DDR4內(nèi)存其傳輸速率則將可以達(dá)到6.4Gbps。由于通過(guò)一個(gè)DRAM實(shí)現(xiàn)兩種接口基本上是不可能的,因此DDR4內(nèi)存將會(huì)同時(shí)存在基于傳統(tǒng)SE信號(hào)和微分信號(hào)的兩種規(guī)格產(chǎn)品。  根據(jù)多位半導(dǎo)體業(yè)界
2011-02-27 16:47:17

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

`這幾年以來(lái),國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存,以期打破壟斷,尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言,三星占了全球80%的份額,成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前,三星一反常態(tài),放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
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三星i9000不夜城水貨報(bào)價(jià),三星i9000水貨價(jià)格,上海哪里買(mǎi)三星i9000水貨

32GB的擴(kuò)展存儲(chǔ),讓用戶可以隨心存儲(chǔ)自己喜歡的資料。同時(shí),常用的藍(lán)牙,WIFI和GPS等功能一應(yīng)俱全,整機(jī)表現(xiàn)非常全面。編輯點(diǎn)評(píng): 三星I9000擁有非常優(yōu)秀的屏幕,較新的安卓系統(tǒng),強(qiáng)悍的處理器及內(nèi)存
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三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

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三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

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三星手機(jī)RFID讀取芯片

三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

方面的穩(wěn)定與專(zhuān)注,使三星成為為數(shù)不多的幾個(gè)能夠在經(jīng)濟(jì)危機(jī)后繼續(xù)增長(zhǎng)的公司之一。 1998年2月三星電子開(kāi)發(fā)出世界第一個(gè)128MB同步DRAM以及128MBFlash內(nèi)存。 7月三星電子開(kāi)發(fā)出世界最小
2019-04-24 17:17:53

三星電視應(yīng)用商店下載量突破一千萬(wàn)大關(guān)

專(zhuān)屬應(yīng)用程序數(shù)量已經(jīng)超過(guò)1000個(gè),下載量突破一千萬(wàn)大關(guān),卓越的成績(jī)?cè)俅握蔑@了三星積極推進(jìn)全球智能電視生態(tài)系統(tǒng)建立的決心?! ∑渲校诰€視頻應(yīng)用程序繼續(xù)高居國(guó)內(nèi)外應(yīng)用下載排行榜榜首,同時(shí),作為美國(guó)
2011-10-26 14:04:07

內(nèi)存芯片DDR DRAM的選型表參考,從Mobil ddr 到LPDDR 都有

我碰到很多研發(fā)對(duì)DDR的分類(lèi)不太了解,包括工業(yè)級(jí),商業(yè)及,汽車(chē)級(jí),軍工級(jí),的區(qū)分定義。還有就是每個(gè)行業(yè)級(jí)別的內(nèi)存廠家排名都不一樣的。商業(yè)級(jí)的大家應(yīng)該都很了解,就是三星,海力士,鎂光,華邦等,工業(yè)級(jí)
2016-12-20 15:10:20

VIVADO 2016.1怎樣才能實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存?

嗨,我正在嘗試在Kintex UltraScale(KCU105)中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存,但是(DDR4 SDRAM(MIG))中的特定部分不可用。部分是:MT401G16HBA-083E:我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。?注意:我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
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【集成電路】10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)大戰(zhàn)

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專(zhuān)業(yè)回收三星ic,高價(jià)收購(gòu)三星ic

三星ic,大量求購(gòu)三星ic,帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤(pán),回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤(pán),回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡?;厥展S庫(kù)存ic,大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
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專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星ddr

專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr,長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr,帶板的也收,大量收購(gòu)?。?!帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購(gòu)三星(K9
2021-04-06 18:09:48

專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星ddr 長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr

專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星ddr帝歐電子高價(jià)回收三星ddr,長(zhǎng)期求購(gòu)三星ddr,帶板的也收,大量收購(gòu)?。。〉蹥W趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。求購(gòu)三星(K9
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專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星芯片

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專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星芯片 高價(jià)回收三星芯片

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2016-07-01 14:04:09

回收三星ic 收購(gòu)三星ic

年收購(gòu)電子芯片,收購(gòu)電子IC,收購(gòu)DDR ,收購(gòu)集成電路芯片,收購(gòu)內(nèi)存芯片,大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列,三星,現(xiàn)代,閃迪,金士頓,鎂光,東芝,南亞,爾必達(dá),華邦等各原裝品牌。帝
2021-08-20 19:11:25

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三星ic,大量求購(gòu)三星ic,帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤(pán),回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤(pán),回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器,收購(gòu)鉭電容,回收sd卡,收購(gòu)tf卡?;厥展S庫(kù)存ic,大量收購(gòu)工廠庫(kù)存
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DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?;厥?b class="flag-6" style="color: red">三星DDR,回收海力士DDR,回收南亞DDR,回收爾必達(dá)DDR,回收美光DDR,回收DDR
2021-03-17 17:59:10

蘋(píng)果芯片供應(yīng)商名單曝光后 三星哭了!

開(kāi)始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨(dú)吃蘋(píng)果處理器大單的新記錄,2017年?duì)I收持續(xù)增長(zhǎng)基本沒(méi)什么問(wèn)題。剛剛失去蘋(píng)果訂單的三星,日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存,并將于今年下半年上市。這樣一來(lái),臺(tái)積電和三星以及蘋(píng)果的性能之爭(zhēng),就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54

詳解DDR4DDR3的區(qū)別在哪里?

DDR4DDR3的區(qū)別在哪里?DDR4內(nèi)存DDR3內(nèi)存相比,有哪些優(yōu)勢(shì)呢?
2021-06-18 08:58:23

高價(jià)回收三星芯片,專(zhuān)業(yè)收購(gòu)三星芯片

dealic@163.com。長(zhǎng)期收購(gòu)三星芯片,高價(jià)收購(gòu)手機(jī)三星芯片。保證價(jià)格好,歡迎您有貨來(lái)電咨詢,幫您快速處理庫(kù)存。帝歐還長(zhǎng)期回收ssd固態(tài)硬盤(pán),回收服務(wù)器內(nèi)存條,回收硬盤(pán),回收cpu,回收芯片,回收傳感器,收購(gòu)連接器
2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購(gòu)三星DDR3

三星ddr3 :DDR3/64*16/K4B1G1646G-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BCKODDR3/128*16/K4B2G1646Q-BYKODDR3/128*16
2021-09-23 19:20:15

教大家對(duì)DDR4做仿真

DDR仿真DDR4
小凡發(fā)布于 2022-09-13 19:03:17

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片

三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱(chēng),30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用,準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701

DDR4,什么是DDR4

DDR4,什么是DDR4 DDR 又稱(chēng)雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問(wèn)的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146

超越三星的國(guó)產(chǎn)內(nèi)存!朗科絕影DDR4-4266開(kāi)箱 #硬聲創(chuàng)作季

SamsungDDR4產(chǎn)品評(píng)測(cè)三星
jf_49750429發(fā)布于 2022-11-03 07:39:43

三星歷史首款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)完成

  三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā),并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451296

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

誰(shuí)能打破DRAM存儲(chǔ)器的三足鼎立格局?

  本月,三星電子宣布實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),再次拉大與“三國(guó)殺”剩下兩個(gè)玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031033

三星/TSMC/Intel/AMD爭(zhēng)先恐后研發(fā)7nm

10nm主要針對(duì)低功耗移動(dòng)芯片,下下個(gè)節(jié)點(diǎn)7nm才是高性能工藝,是首次突破10nm極限,也是三方爭(zhēng)搶的重點(diǎn),TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。
2016-05-30 11:53:53858

曝高通10nm處理器將由三星代工生產(chǎn)

導(dǎo)語(yǔ):聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程,高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶,據(jù)悉,高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27680

ddr4ddr3內(nèi)存的區(qū)別,可以通用嗎

雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存,但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存,因此DDR3依舊是主流,DDR4今后將逐漸取代DDR3,成為新的主流,下面我們?cè)賮?lái)看看DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3,新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變:
2017-11-08 15:42:2330895

三星10nm 8Gb LPDDR5內(nèi)存面世,將在2019年投入量產(chǎn)

昨天上午,三星官方發(fā)言,宣稱(chēng)已經(jīng)成功研制開(kāi)發(fā)出全球第一個(gè)10nm 8-gigabit(Gb)LPDDR5 DRAM,并將在2019年批量生產(chǎn)。眾所周知,三星企業(yè)在批量生產(chǎn)8GB LPDDR4內(nèi)存之后,就已經(jīng)開(kāi)始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001303

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出8Gb DDR4芯片

三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級(jí)芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331114

三星宣布量產(chǎn)第二代10nm級(jí)別1y-nm 8Gb DDR4顆粒,高頻內(nèi)存3600MHz起步

據(jù)報(bào)道,三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了,8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專(zhuān)用電路設(shè)計(jì)技術(shù),比初代10nm級(jí)別(1x-nm)的高30%,并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785

“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強(qiáng)

三星DRAM市場(chǎng)的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:011534

三星全球首發(fā)第二代10nm DRAM產(chǎn)品

三星被人稱(chēng)為世界最賺錢(qián)的公司之一,三星Q3凈利潤(rùn)高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片的消息,更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331472

叫板三星 紫光成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)首條自主DDR4內(nèi)存

DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國(guó)家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場(chǎng)中國(guó)沒(méi)有足夠的話語(yǔ)權(quán),都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道,紫光打造的中國(guó)第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問(wèn)世,讓我們看到了國(guó)產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261336

三星二代10納米將加速未來(lái)DRAM芯片問(wèn)世 進(jìn)一步搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)

三星DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)十分強(qiáng)勁,并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場(chǎng)龐大需求,三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38835

芝奇推頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝

據(jù)報(bào)道,近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱(chēng)之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝,采用三星B-die顆粒,開(kāi)啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:381558

三星悄悄引入EUV,大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片

作為DRAM芯片的龍頭企業(yè),三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級(jí)、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道,三星悄悄啟動(dòng)了引入EUV(極紫外光)光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā),基于1ynm。
2018-06-25 09:09:00809

紫光國(guó)微DDR4內(nèi)存芯片年底就可推向市場(chǎng),未來(lái)會(huì)加大投入DRAM存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國(guó)微在深交所互動(dòng)平臺(tái)上表示,目前國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中,紫光國(guó)微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場(chǎng)。
2018-07-30 15:55:471250

三星第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM量產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開(kāi)始量產(chǎn)第二代10nm級(jí)8Gb DDR4 DRAM,并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級(jí)DRAM的生產(chǎn),有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續(xù)加強(qiáng)三星市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2018-07-31 14:55:25723

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789

三星成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM,主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備

三星宣布成功開(kāi)發(fā)業(yè)界首款10nm級(jí)8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來(lái),三星就開(kāi)始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過(guò)渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281050

三星10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM開(kāi)始量產(chǎn),主要用于汽車(chē)

4月25日,三星電子宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)汽車(chē)用10nm級(jí)16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產(chǎn)品具備高性能,同時(shí)還顯著提高需要在極端環(huán)境下工作的汽車(chē)應(yīng)用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262143

南亞科完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市場(chǎng)

臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科技術(shù)能力大躍進(jìn),完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通過(guò)個(gè)人電腦(PC)客戶認(rèn)證,本月開(kāi)始出貨,為南亞科轉(zhuǎn)攻利基型DRAM多年后,再度重返個(gè)人電腦市場(chǎng),明年農(nóng)歷年后將再切入服務(wù)器市場(chǎng),南亞科借此成為韓系和美系大廠之后,另一穩(wěn)定供貨來(lái)源。
2018-08-28 16:09:212734

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)?如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真?

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn),并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存,因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖,目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341

SK海力士研發(fā)完成基于1Ynm工藝的DDR4 DRAM芯片

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097

10nm以下先進(jìn)制程 臺(tái)積電和三星采取怎樣的策略

晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺,隨著英特爾的10nm制程久攻不下,聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后,10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺(tái)積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:373675

韓國(guó)公司生產(chǎn)的DRAM內(nèi)存)芯片已經(jīng)占到全球市場(chǎng)的75%

今年11月15日,SK海力士發(fā)布第一個(gè)符合JEDEC規(guī)格的DDR5 DRAM,而三星則在7月份成功開(kāi)發(fā)出10nm級(jí)別的LPDDR5 DRAM,在技術(shù)上進(jìn)一步領(lǐng)先于世界同類(lèi)企業(yè)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,SK
2018-11-23 17:27:117379

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

三星宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片

3月21日,三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083251

三星電子將開(kāi)發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:163659

三星第三代10nm工藝DDR4內(nèi)存下半年量產(chǎn)

關(guān)鍵詞:DRAM , DDR4 三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片,將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景,這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215

美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存,這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝,這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司,這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003359

西安紫光國(guó)芯將展示全系列內(nèi)存產(chǎn)品 包括DDR4

隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598

國(guó)產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相,年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場(chǎng)

隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來(lái)也會(huì)迎來(lái)一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開(kāi)展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029

英偉達(dá)安培顯卡或基于三星10nm工藝

根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道,爆料消息稱(chēng)英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程,而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝,據(jù)稱(chēng)使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù),另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:462670

三星率先將EUV用于DRAM內(nèi)存顆粒生產(chǎn)中,預(yù)計(jì)12英寸晶圓生產(chǎn)率翻番

這家韓國(guó)巨頭今日宣布,已經(jīng)出貨100萬(wàn)第一代10nm EUV級(jí)(D1x)DDR4 DRAM模組,并完成全球客戶評(píng)估,這為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級(jí)服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)啟新大門(mén)。
2020-03-25 15:33:342434

江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出DDR4國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存

國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路 FORESEE國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的10nm級(jí)最新版本8Gb顆粒,該顆粒已
2020-05-22 15:24:522345

采用長(zhǎng)鑫DRAM,國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條發(fā)售

近日,據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息,國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683

DDR5內(nèi)存DDR4有啥不同

第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感,也許正是這個(gè)原因,很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái),特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同,我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074

三星首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。? “ ?三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示: 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521

三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM開(kāi)發(fā)成功

出其首款采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評(píng)估。 三星電子首款12納米級(jí)DDR5 DRAM 三星電子高級(jí)副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823

三星再次減產(chǎn),刺激DDR4價(jià)格上漲

三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能,而今年以來(lái)這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期,三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲,而目前
2023-09-15 17:42:08996

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003905

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