0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

NAND價格要觸底反彈了?

SSDFans ? 來源:YXQ ? 2019-07-26 16:40 ? 次閱讀

先有日本東芝停電事故,影響東芝Memory和西數(shù)SANDISK的供應;再是7月1日,日本突然對韓國出手,限制三種半導體材料的出口(含氟聚醯亞胺用于OLED面板生產(chǎn)、光刻膠和高純氟化氫用于半導體晶圓生產(chǎn))——近期這些事端促生業(yè)內(nèi)朋友們一個不可缺少的話題NAND價格要觸底反彈了?

所謂的限制出口,一方面是出口手續(xù)從簡化手續(xù)變?yōu)樯暾堅S可,得到審批一般需要等待90天;另一方面,日本將可能把韓國從27國白名單中移除,這個白名單主要面向歐美國家,亞洲中韓國為唯一。白名單的作用在于放寬戰(zhàn)略性物資和技術出口管制,包括稀缺材料、高端作業(yè)設備等。緊接的是,韓日互相喊話后的7月12日,雙方課長級官員5小時會晤,未達成任何協(xié)議。然后7月15日,在日本斡旋了一個星期的三星太子李在镕返回韓國,宣布取得一定供應,部分消除了緊張情緒,但仍未得到長期保障。

這一系列事實下來,客觀上造成了市場的部分緊張,下半年的Memory供應預期面臨改變,在需求并無較大利好的情況下,仍然有可能造成Memory的局部供應短缺,短缺程度就很大依賴于韓日的妥協(xié)時間和妥協(xié)程度。根據(jù)來自閃存市場的報道,渠道市場的U盤、T卡、固態(tài)硬盤SSD等已經(jīng)有所反應,出現(xiàn)了不同輕微程度的上漲。那么,真的Memory要缺貨從而觸底反彈了嗎?如果真的缺貨,會缺到什么時候什么程度呢?

先說我個人的結(jié)論和判斷,個人是持謹慎樂觀態(tài)度的。

謹慎是指某種程度上Memory的供應預期會被放大性的改變,從而改變持續(xù)跌價態(tài)勢,DRAM不好說,但NAND價格走平或反彈是很有可能的;樂觀是基于需求端仍然較為低迷,隨著上游工藝的換代改進,長期供應充足趨勢不會改變,因此價格短暫(最長至2020一季度)走平或反彈后仍會繼續(xù)向下。(DRAM方面庫存仍然過大,行業(yè)利潤還比較客觀,需求低迷,因此大概率DRAM難于走平或反彈,以下我們聚焦NAND)

為什么呢?從以下幾個方面

1)東芝四日市工廠停電,沒有改變上游整體庫存過大,供過于求的局面;不好說上游實際庫存情況,但是大致的上游庫存仍然平均有2個月(8周)甚至更多,其中TMC和WDC因為從去年四季度開始就有意放出庫存,一季度略微減少wafer in,所以庫存水平應該比較正常;三星、海力士因為華為受美國制裁從而獲得向華為大力出貨的機會,庫存壓力也不大;美光庫存壓力應該最大,有傳言超過12周甚至達到18周的可能;東芝四日市的工廠停電恢復前后2周,實際情況應該沒那么嚴重,對行業(yè)整體影響最多是3-5%,也就是低于1周水平,因此影響很小。

2)整個MEMORY行業(yè)需求仍然低迷,這是事實。手機端總量需求下降,配置到頂,5G的到來不會改變配置,要延續(xù)到2020年下半年才會有需求端的大變化;數(shù)據(jù)中心建設有所恢復,但仍然緩慢;PC端SSD需求總量大為增加,但增速即將進入下降階段,因為256G/512G已經(jīng)夠用了,現(xiàn)在是量增加,但因為SSD的數(shù)據(jù)保持時間是硬的缺陷,有些場景硬盤不可替代,單位量的增加即將減速。

3)日本對韓國出手,政治原因大于經(jīng)貿(mào)競爭。

因為文在寅政府推翻樸槿惠政府與日本達成的二戰(zhàn)賠償和慰安婦問題協(xié)議,安倍政府剛剛當選,為了強化對選民的回饋與安撫,安倍政府有意采取強硬態(tài)度。當然這個強硬態(tài)度也是受特朗普的啟發(fā),特朗普談判基本技巧就是先強硬要條件,然后戰(zhàn)而勝之,所以強硬是為了談判,不是為了打擊報復,這是第一個政治目的;

第二個政治目的是安倍政府為了強化美日關系,在美日韓三角關系中取得主動地位。美國一直推動美日韓關系制衡中俄朝,但自從特朗普上臺,金三胖大轉(zhuǎn)彎之后,韓國在美朝之間越發(fā)得心應手,相反日本一直希望和普京搞好關系,并一再的向金三胖拋媚眼,但一直沒有得到正向回應;

中日之間近期雖然有明顯改善,但日本作為美國在亞洲三大駐軍基地的最大一個,唯有不斷強化美日關系,方能在地緣政治政治中有所保障,其國內(nèi)也方能逐步推進修憲和國家正?;R虼巳毡緦γ绹騺硎菬o所保留的。此次韓日經(jīng)貿(mào)和政治沖突,韓國拿不到三大材料的供應,三星、海力士和LG顯示受重創(chuàng),最大的受益者是誰?是日本自己嗎?是中國京東方、中芯國際、合肥長鑫、武漢長江存儲嗎?是***臺積電、南亞和華邦嗎?是日本東芝和日本半導體材料廠商嗎?也許京東方、長存、東芝會有一定程度的受益,但都不是最大的受益方,最大的受益方是美光、intel。

而日本自己,恰恰相反,恐怕無論短期還是長期都是受害者,短期日本材料廠商不得不降價賣給美國、***;長期韓國自己、中國都會發(fā)展半導體材料行業(yè)。所以安倍政府可能有所考量向特朗普政府送大禮包,從而換取美日更加牢靠的關系。別忘了,G20之前,特朗普政府對美日續(xù)簽協(xié)定是頗有微詞的,但協(xié)定還是很順利的簽訂了,而G20后,日本就馬上出手了,這是巧合嗎?我們不知道。但是結(jié)論很清晰,政治原因大于經(jīng)貿(mào)競爭,因為安倍再拿日本的經(jīng)濟利益換取政治利益!

4)對市場真正有影響的是三星、海力士會不會部分或者全面停產(chǎn),但很難發(fā)展到那個程度。我們做最壞的打算,就是日本會把韓國從白名單拿掉,也就是除了三大半導體材料、還涉及到一些設備。三種材料中,含氟聚醯亞胺用于OLED可折疊屏制造,光刻膠和高純氟化氫(也稱作氫氟酸)用于3D NAND晶圓制造

先易后難,先說說高純氟化氫,這是一種腐蝕性氣體,用于制造蝕刻藥水,是半導體蝕刻工藝的必要材料。高純氟化氫,日本大概也就是40-50%的市場份額,從2005年后中國在化學材料領域發(fā)展是很快的(這一點不得不贊嘆中國的發(fā)展,中國太大了,人口太多了,任何一個產(chǎn)業(yè)都不能放過,否則就養(yǎng)不起這么多人口了),另外***也是一大產(chǎn)地,因此氟化氫的可獲得資源相對是比較充分的,韓國企業(yè)可以通過本土、大陸和***取得。由于高純氟化氫具有極強的腐蝕性,因此儲存是有特殊要求的,通常是專用罐子,本身也是很貴的,這種罐子都要周轉(zhuǎn)使用,因此高純氟化氫確實無法大量儲存,通常有個兩三周庫存,進進出出很快,但是好在可獲得性并不差。關鍵的是光刻膠,光刻膠是感光物質(zhì),利用光照反應,感應不同波長的光線,將掩模圖形轉(zhuǎn)移至基板襯底上。不同的工藝使用不同的光刻膠,根據(jù)精度不同對應不同波長。確確實實,光刻膠日本廠商占據(jù)絕對市場地位,超過70%市場份額全世界從日本出口;但是,據(jù)了解,高端芯片晶圓生產(chǎn)使用的光刻膠如三星最新工藝EUV(14/10nm邏輯目前使用,Memory暫時還未使用,未來Memory肯定會使用,尤其是DRAM即將進入16NM以下;而2D NAND到了15NM就停止了,3D NAND目前還是基于3XNM的64/96L工藝)使用的光刻膠極度依賴于日本。日本光刻膠生產(chǎn)廠家如JSR、信越其生產(chǎn)基地既有日本本土也有海外,高端光刻膠在日本生產(chǎn),而中低端光刻膠大量分布在海外。據(jù)了解3D NAND和DRAM使用的光刻膠大部分供應來自于日本廠家的海外工廠,基本是不受日本出口管制的,另外光刻膠也比較容易保存。因而真正有影響的三星的手機AP CPU,這估計也是太子李在镕真正著急的主要原因。

綜合這兩種材料來看,對Memory而言尤其是對大容量3D NAND而言,這兩種材料的出口管制并不會有太大的影響,除非日本政府進一步干涉日本企業(yè),不僅僅是出口管制,而是像美國一樣把韓國企業(yè)列入黑名單之類的。因而我們說三星、海力士的Memory部分很難部分停產(chǎn)或全面停產(chǎn)。

5)政治問題終將通過政治談判解決。由于日本政府刻意的像TRUMP學習的行為,事實上日本企業(yè)界對政府一定是有很大的壓力和巨大的游說動力,因為這種在經(jīng)貿(mào)環(huán)節(jié)制造障礙的政治行為,一定會帶來其他國家大力發(fā)展本國產(chǎn)業(yè),對日本企業(yè)來說長期傷害不可估量。另外三星、海力士和LG目前一定也是多管齊下,該去要貨的要貨,同時推動日本企業(yè)準備申請書,暗中股東日本企業(yè)向日本政府施壓等等,那么韓日的政治談判就會在經(jīng)貿(mào)界的推動下,長則一年,短則半年終將解決分歧,否則誰都受不了。就短期來看,從政治上韓國明顯理虧勢弱(慰安婦協(xié)議確實不公平,但那是樸槿惠政府的愚蠢,文在寅政府再翻舊賬,一方面是目前韓國經(jīng)濟并不理想,出口下降情況下,同時韓幣還大幅貶值,唯一算得上政績的就是推動美朝談判但也一度因為特朗普的任性而陷入僵局直至最近才重新轉(zhuǎn)機,因此文在寅政府從政治上把慰安婦協(xié)議翻出來也是對國內(nèi)支持率的挽回;另一方面,韓國政府眼看日本受朝冷落,東亞地緣政治對日有一定優(yōu)勢,因此也是一種政治投機行為),再加上,如果日本政府真的有意對韓國經(jīng)濟命脈半導體產(chǎn)業(yè)進行壓制,那么真到痛的時候,韓國政府妥協(xié)的可能性是很大的。不要忘了三星產(chǎn)值占韓國約20%的GDP比重,加上海力士和LG,這個影響力不可謂不大。那么什么時候是痛的時候呢?如果減產(chǎn)20%以內(nèi)算痛而可以忍受,那么超過20%是痛而不可忍受。真正要緊的EUV光刻膠對三星手機的影響,假設成品庫存4-6周,耗損材料庫存3-4周,李在镕又解決了一部分供應問題,那么支撐3-6個月估計是有可能的,因此估計到11-12月份兩國政府達成妥協(xié)的概率是非常大的。

盡管客觀上分析,韓日事件對MEMORY的影響非常有限,但是后續(xù)發(fā)展仍然不可控,目前的國際貿(mào)易環(huán)境在特朗普效應下很是不穩(wěn)定

有三種情況,一種是維持目前的制裁(即僅僅出口管制),一種是據(jù)說7月底前會把韓國從白名單移除(影響日本設備和其他軍用敏感材料,設備方面半導體晶圓制造設備主要還是荷蘭和美國,影響不大,日本在封裝設備上比較牛13,但目前已有封裝產(chǎn)能非常充足。敏感材料如碳纖維對半導體沒有影響),這兩種可能性都很大,而且二合一的可能性也很大,但對Memory的影響都很有限,我們后面再來猜測和模擬。第三種情況是日本再度加大制裁,采取黑名單制度要求日本企業(yè)全面禁止對韓國企業(yè)的供應行為,如果出現(xiàn)這種情況,那真的要出大事,不過就如前面我們說的,可能性不大,真要出現(xiàn)這種情況,韓國人得跪求了。

在前兩種情況下,一個實實在在的影響就是供應緊張情緒被營造了出來。目前NAND是什么市場環(huán)境?上游除了三星之外是虧損的,營運利潤率普遍在-20%~-10%左右,即使是三星營運利潤率也低于10%,實在虧損邊緣的。上游廠商中,美光重新獲得許可可以向華為出貨,其他廠家?guī)齑嫠骄兴陆?,下半年又是需求傳統(tǒng)旺季;中美目前暫時還處于溫和而沒有加劇的階段,需求的悲觀情緒有所緩解,對市場來說,這就是供需兩側(cè)的情緒和預期都有微妙的改變,那么各個環(huán)節(jié)的行為都會改變。對于下游端來說,采購行為就不能向以前一樣單向的控制庫存壓低買貨,適當?shù)募哟蟀踩珟齑婢头浅S斜匾?。中間的通路商必然會有一定的賭博行為,悄悄囤貨行為也會出現(xiàn)。對上游來說,除了三星之外,正好順勢而為。最大的變數(shù)仍然是三星,如果沒有這些意外的發(fā)生,三星的最好策略是繼續(xù)壓低價格或者控制價位不讓它漲起來,因為隨著其他廠家的持續(xù)失血,TMC的上市計劃也會被迫延緩,即使上市也籌不到可觀的錢。對于INTEL來說就真的有必要考慮和HYNIX或者中國廠家進行戰(zhàn)略合作或重組。對于海力士而言,技術演進必然受挫,那么總有一天上游格局會收縮,對于三星來說太有利了。只是,隨著意外事件的發(fā)生,三星就不得不考慮促使行業(yè)整合所要付出的代價,萬一惹得美國人和日本人繼續(xù)聯(lián)手政治韓國人,那就是大件事了。所以大概率三星也會順水推舟,先掙點錢再說。因此大概率NAND價格觸底并有所反彈。

因此總的來說,NAND真的是會在下半年有所反彈。

鑒于需求并不如預期的好,起碼在2020年下半年之前,需求不振會使得此次反彈僅僅是小反彈而已,不可能再像16-17年的全行業(yè)大緊缺,到目前為止供應端的96L仍然即將順利量產(chǎn),11月的需求旺季后,明年一季度和二季度仍將經(jīng)歷一波下行周期。這是大家要理性看待的。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 東芝
    +關注

    關注

    6

    文章

    1373

    瀏覽量

    120871
  • NAND
    +關注

    關注

    16

    文章

    1653

    瀏覽量

    135730

原文標題:專家:NAND價格要觸底反彈了嗎?

文章出處:【微信號:SSDFans,微信公眾號:SSDFans】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    功率半導體價格觸底,下游需求回暖!多家廠商上半年業(yè)績預期實現(xiàn)增長

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)近日,華潤微在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,公司代工及自有產(chǎn)品的產(chǎn)能利用率均滿載,產(chǎn)品價格觸底企穩(wěn);同時,公司上半年已針對部分 MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品上調(diào)了價格。華潤微
    的頭像 發(fā)表于 08-01 01:18 ?4072次閱讀

    減產(chǎn)有成效,Q4三星NAND Flash漲價10%,加速存儲市場反彈

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)近日有消息稱,三星計劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價格提高10%以上,預計最快會從10月開始漲價。與此同時,為了加速去庫存以配合漲價,三星自今年以來就一直
    的頭像 發(fā)表于 10-08 09:01 ?2821次閱讀

    SD NAND和SPI NAND的區(qū)別

    SD NAND和SPI NAND各有優(yōu)缺點,適用于不同的應用場景。SD NAND提供更高的讀寫速度和大容量存儲,適合需要高性能和大容量存儲的應用。而SPI NAND則以其簡單的接口、低
    的頭像 發(fā)表于 06-04 14:26 ?1164次閱讀

    三星電子即將開啟290層V9 NAND芯片量產(chǎn)

    市場研究機構(gòu)Omdia的最新預測顯示,盡管NAND閃存市場在2023年經(jīng)歷了下滑,但預計今年將迎來強勁反彈,增長率高達38.1%。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 15:27 ?842次閱讀

    三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

    三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND
    的頭像 發(fā)表于 03-14 15:35 ?451次閱讀

    俠提升NAND產(chǎn)能 行業(yè)影響及業(yè)界觀點

    潘建成表示,群聯(lián)當前正面臨供應短缺問題,若NAND閃存制造商以合理價格提供穩(wěn)定的供應,將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認為,原廠擴大產(chǎn)能,有利于維護NAND市場秩序,使價格合理回歸,否則過高
    的頭像 發(fā)表于 03-05 14:05 ?348次閱讀

    NAND Flash封裝模組短缺 大容量消費級SSD價格或許會大幅上漲

    1月23日消息,據(jù)外媒Tom’s Hardware報導,有市場人士表示,由4個或8個NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應求,特別是大容量消費級SSD的價格或許會大幅上漲,而且預計一季度晚些時候會出現(xiàn)。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 17:17 ?810次閱讀

    NAND芯片報價逐季上漲,盛景回歸

    半年和2023年上半年的低迷市況后,NAND Flash在2023年下半年實現(xiàn)了市場的逆轉(zhuǎn)。合約報價開始逐季上漲,漲幅甚至高達雙位數(shù)百分比,這一強勁的反彈歸功于三星、美光、SK海力士和鎧俠等主要內(nèi)存制造商的共同努力減產(chǎn),導致市
    的頭像 發(fā)表于 01-24 15:24 ?312次閱讀

    NAND封裝短缺導致大容量SSD價格暴漲

    消息人士指出,NAND封裝短缺對供應鏈的全面影響可能需要兩到三個月的時間,屆時一些最好的2TB和4TB固態(tài)硬盤的價格將 "暴漲"。
    發(fā)表于 01-19 10:10 ?321次閱讀
    <b class='flag-5'>NAND</b>封裝短缺導致大容量SSD<b class='flag-5'>價格</b>暴漲

    NAND Flash市場動態(tài):需求擴大與價格漲勢

     在2024年第一季度,NAND Flash及其相關產(chǎn)品的價格預計將呈現(xiàn)上漲趨勢。盡管面臨傳統(tǒng)淡季需求下降的情況,采購活動仍在持續(xù)擴大,以建立安全庫存水位。
    的頭像 發(fā)表于 01-11 16:42 ?997次閱讀

    2024年第一季度NAND Flash合同價格預計將上漲15%-20%

    供應商為了盡量減少損失,正在推高NAND Flash價格。
    的頭像 發(fā)表于 01-10 10:02 ?572次閱讀
    2024年第一季度<b class='flag-5'>NAND</b> Flash合同<b class='flag-5'>價格</b>預計將上漲15%-20%

    NAND大漲價!西部數(shù)據(jù)開第一槍

    目前業(yè)界有很多樂觀的降價反彈,但目前大部分供應商和客戶都個別通知價格調(diào)整,西部數(shù)據(jù)給客戶發(fā)了漲價信,預計價格會出現(xiàn)驚人的上漲,是業(yè)界第一次全面大漲價格。得益于西部數(shù)據(jù)大規(guī)模
    的頭像 發(fā)表于 12-07 14:37 ?489次閱讀

    存儲芯片市場價格止跌 AI芯片需求推動先進工藝發(fā)展

    經(jīng)歷漫長的下行周期之后,存儲芯片市場價格止跌,部分型號存儲芯片價格出現(xiàn)反彈,該行業(yè)的疲軟需求可能終于觸底。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 10:47 ?900次閱讀

    NAND Flash四季度漲幅預計10%以上

    三星內(nèi)部認為當前NAND Flash供應價格過低,計劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價格,漲幅預計在10%以上。
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:15 ?1075次閱讀

    DRAM ,終于迎來了春天

    在芯片供應過剩、需求低迷的情況下,DRAM芯片現(xiàn)貨價格自2022年2月以來一直處于下跌狀態(tài)。三星和SK海力士自去年底開始大幅削減芯片產(chǎn)量,導致芯片庫存資產(chǎn)觸底反彈,芯片價格持續(xù)走低。
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:35 ?723次閱讀