大功率led封裝流程

（ 大功率）LED 具有壽命長(zhǎng)、低污染、低功耗、節(jié)能和抗沖擊等優(yōu)點(diǎn)。跟傳統(tǒng)的照明器具相比較，（ 大功率）LED 不僅單色性好、光學(xué)效率高、光效強(qiáng)，而且可以滿足不同的需要高顯色指數(shù)。盡管如此，大功率LED 的封裝工藝卻有嚴(yán)格的要求。

具體體現(xiàn)在：①低成本；②系統(tǒng)效率最大化；③易于替換和維護(hù)；④多個(gè)LED 可實(shí)現(xiàn)模塊化；⑤散熱系數(shù)高等簡(jiǎn)單的要求。

根據(jù)大功率LED 封裝技術(shù)要考慮的種種因素，在封裝關(guān)鍵技術(shù)方面也提出了幾點(diǎn)。主要包括：

（1） 在大功率LED 散熱方面：考慮到低熱阻封裝。LED 芯片是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，是LED光源的核心部分。由于大功率LED 芯片大小不一，并且在驅(qū)動(dòng)方式上采用的是恒流驅(qū)動(dòng)的方式。

可以直接把電能轉(zhuǎn)化為光能所以LED 芯片在點(diǎn)亮過(guò)程需要吸收輸入的大部分電能， 在此過(guò)程當(dāng)中會(huì)產(chǎn)生很大的熱量。所以，針對(duì)大功率LED 芯片散熱技術(shù)是LED 封裝工藝的重要技術(shù)，也是在大功率LED 封裝過(guò)程中必須解決的關(guān)鍵問(wèn)題。

（2）LED 的心臟是一個(gè)半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附在一個(gè)支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極。所以高取光率封裝結(jié)構(gòu)也是大功率LED 封裝過(guò)程中一項(xiàng)重要的關(guān)鍵技術(shù)。在LED 芯片發(fā)光過(guò)程中，在發(fā)射過(guò)程中，由于界面處折射率的不同會(huì)引起光子反射的損失和可能造成的全反射損失等，所以可以在芯片表面涂覆一層折射率相對(duì)較高的透明膠。

這層透明膠必須具有其透光率高、折射率高、流動(dòng)性好、易于噴涂、熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。目前常用的透明膠層有環(huán)氧樹(shù)脂和硅膠這兩種材料。

LED的封裝是一門多學(xué)科的工藝技術(shù)。涉及到如光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、機(jī)械學(xué)、材料、半導(dǎo)體等研究?jī)?nèi)容。所以大功率LED 的封裝技術(shù)是一門比較復(fù)雜的綜合性學(xué)科。良好的LED封裝需要把各個(gè)學(xué)科的因素考慮進(jìn)去。下面就LED封裝工藝流程作一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。其流程如圖2所示。