回顧存儲市場崩盤的可能性分析

據(jù)CNBC等外媒報道，大摩分析師Shawn Kim 6日指出，存儲市況近幾周來有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫存、定價壓力與日俱增，而NAND型快閃存儲的供給則委實太多。

Kim還提到，根據(jù)他最近向半導體業(yè)務、買家取得的訊息，PC、行動裝置與資料中心這三大應用產(chǎn)品的需求動能，過去兩周都明顯趨緩，這恐怕會讓第三季報價一路走弱。另外，由于需求降溫的關(guān)系，三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士 (SK Hynix )的庫存也愈堆愈多。

聽聞此消息，美光在日前一口氣重挫9.87%、收44.65美元，創(chuàng)2月22日來收盤低，跌幅居費半30支成分股之冠。

美光過去五日的股價走勢

Baird分析師Tristan Gerra才剛在9月4日發(fā)表研究報告指出，智慧型手機的買氣動能難以提振，NAND型快閃存儲的供給過剩情況最近日益惡化。Gerra說，預估下半年智慧機的出貨表現(xiàn)將相對疲弱，蘋果 ( Apple Inc. )與中國智慧機供應鏈前景都不太妙。

Evercore ISI分析師CJ Muse 4日報告預測，2019年上半，NAND flash價格將重摔11~13%，他認為目前的存儲定價周期與2014年末到2015年初情況相似，當時也出現(xiàn)存儲裝置需求大跌的狀況。分析師估計，明年上半為止，NAND flash價格將大跌10%以上。

另外，根據(jù)FactSet紀錄，晶圓檢測設(shè)備制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )財務長Bren Higgins 6日在花旗全球科技大會上也指出，由于DRAM市況的關(guān)系，六周前該公司原本預期10- 12月市況應會大幅好轉(zhuǎn)，但如今他認為，市況好轉(zhuǎn)幅度恐會略低于先前預估。他并表示，屆時出貨量應會持平、或出現(xiàn)個位數(shù)的減幅，遜于原先預估的持平或個位數(shù)增幅。

科磊6日聞訊大跌9.72%、收107.28美元，創(chuàng)7月30日來收盤低。費城半導體指6日終場則重挫2.67%(37.48點)、收1,366.35點，創(chuàng)8月23日以來收盤低，為6月25日以來最大單日跌幅。

科磊過去五天的股價走勢

美國其他半導體設(shè)備股同步下挫。半導體測試控制儀器商MKS Instruments, Inc.重挫8.21%、收85美元，創(chuàng)2017年9月8日來收盤低，跌幅在費半30支成分股中僅次于美光。同為費城成分股的半導體蝕刻機臺制造商科林研發(fā)公司( Lam Research Corp. )，6日終場也下挫6.97%、收160.05美元，創(chuàng)2017年8月25日來收盤低。

科林過去五天的股價走勢

三星、SK海力士推遲擴產(chǎn)，抑制價格下跌？

過去兩年是存儲產(chǎn)業(yè)的好年景，根據(jù)Gartner的統(tǒng)計顯示，去年前十的半導體廠商中，其中有一半是來自存儲廠商，前五名的廠商中們也有三個是做存儲的，且這些內(nèi)存廠商的增長率較之其他行業(yè)的廠商，有明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢。三星更是憑借存儲價格的高漲，取代霸占半導體營收排名榜首二十多年的英特爾，成為新的半導體霸主。

全球半導體廠商2017年營收排名

Gartner統(tǒng)計顯示，2017年存儲市場營收增加將近500億美元，市場規(guī)模達1,300億美元，較2016年成長61.8％。2017年光是三星的存儲營收就增加近200億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，2017年DRAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格漲幅也近四成。

在今年一季度和二季度，雖然很多分析師多方不看好存儲的走勢，但是DRAM依然還是持續(xù)上漲，三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴產(chǎn)計劃。但進入最近，局面似乎有所轉(zhuǎn)變。

在上月中，三星宣布，將原訂本季完成每月增產(chǎn)3萬片DRAM計劃，決定延至今年底，為DRAM價格形成有力支撐。隨著三星新產(chǎn)能擴充腳步延后、供給獲得節(jié)制，一般預料，DRAM價格在今年11月前都將持穩(wěn)不墜，臺系DRAM大廠南亞科、華邦電今年營收也將同步繳出創(chuàng)歷史新高佳績。

三星未透露延后此次擴產(chǎn)時間的原因。業(yè)界分析，三星的財報當中，存儲已是集團獲利最大來源，占集團總獲利比重高達78%，其中超過七成來自DRAM，在DRAM供需結(jié)構(gòu)中，原本的供給缺口在各家去瓶頸填補下，逐漸縮小，導致近期市況開始松動。

據(jù)悉，三星考量若此時再開出每月3萬片產(chǎn)能，將改變原本DRAM市場供不應求局面，恐進一步變成供給過剩，挑動市場敏感神經(jīng)，導致DRAM價格轉(zhuǎn)跌。

三星延后DRAM增產(chǎn)計劃，也有法人圈認為進入1x/1y奈米微縮程后，技術(shù)難度提高，在良率未明顯改善下，干脆延后。不過從多方角度分析，三星不愿破壞好不容易建立的DRAM獲利模式，進而沖擊集團整體獲利，應該是最大關(guān)鍵。

存儲業(yè)者分析，三星目前月產(chǎn)能逾40萬片，每月增產(chǎn)3萬片DRAM，等于讓全球DRAM產(chǎn)能增3%，雖然下半年是DRAM備貨旺季，市場通路端和電子應用端大廠卻會等待三星擴建案再出手，導致第2季末市場買氣趨于觀望。

Digitimes援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱三星、SK Hynix都打算推遲產(chǎn)能擴容計劃，因為客戶需求放緩導致DRAM內(nèi)存及NAND閃存價格在2019年上半年下滑。

來到NAND Flash方面，盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季，但今年全球市場供應仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升，但由于筆記本、智能手機市場都相當飽和，需求增長有限。同時，渠道供應鏈內(nèi)堆積了大量NAND閃存芯片，進一步導致價格下滑，預計合約價會在今年第三季度環(huán)比下降10-15％，超出預期，第四季度則會再降15％。

消息人士稱，行業(yè)領(lǐng)導者三星之前主要為自家的SSD及其他產(chǎn)品供應3D NAND閃存，今年Q3季度開始對外提供存儲芯片。消息人士稱三星也在放慢3D NAND閃存產(chǎn)能擴張的計劃，新產(chǎn)能不可能在2019年上半年上線。

由于三星和SK海力士對全球的存儲市場擁有很高的市場份額。他們的這些決定釋放出很強的信號：

據(jù)市場調(diào)查機構(gòu)IHS MarkIt的數(shù)據(jù)顯示，2017年三季度，在全球動態(tài)隨機存儲器(Dram)領(lǐng)域，三星電子的市場份額占到了44.5%，排名第一。緊隨其后的是同樣來自韓國的SK 海力士公司，其市場份額為27.9%，這兩家韓國公司的產(chǎn)品占據(jù)世界Dram市場超過七成的份額，比第二季度有小幅增加。排名第三至第五的依次為，美國的美光科技(22.9%)、中國***的南亞科技(2.2%)以及華邦電子(0.8%)。

NAND Flash方面，該領(lǐng)域排名前五的巨頭中，三星電子以39%的市場份穩(wěn)居冠軍，比上季度的市場份額增加0.8%。排名第二至第五的依次為日本的東芝、美國的西部數(shù)據(jù)、美國的美光科技以及韓國的SK 海力士。三星和SK海力士幾乎占據(jù)世界的Nand市場的半壁江山。

對于中國存儲來說，是福是禍？

價格下跌，三星等廠商停止擴產(chǎn)護盤，對于謀求突破的中國存儲廠商來說，是福是禍？

眾所周知，過去兩年，存儲的大幅度漲價，中國成為了最直接的“受害者”，因為缺少關(guān)鍵的話事權(quán)，無論是供貨還是利潤方面，都沒有很大的商量余地。吃夠了虧的中國半導體產(chǎn)業(yè)唯加大投入在DRAM和NAND FLASH的建設(shè)中去，并且取得了不小的進展。

在上個月于重慶舉辦的“中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會”上，紫光集團董事長趙偉國透露，紫光集團會在2018 年底量產(chǎn)32 層64G 的NAND Flash 快閃存儲，在2019 年量產(chǎn)64 層128G 的NAND Flash 快閃存儲，并同步研發(fā)128 層256G 的NAND Flash 快閃存儲。

紫光集團聯(lián)席總裁刁石京也強調(diào)，紫光會逐漸朝 64 層的3D NAND 技術(shù)研發(fā)邁進，且導入 Xtacking 技術(shù)，在國際上，存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常長的時間，我們一直在思考如何帶來創(chuàng)新，Xtacking 技術(shù)就是最好的展現(xiàn)。紫光今年將量產(chǎn) 32 層的 3D NAND 芯片，明年將量產(chǎn) 64 層 3D NAND，與國際大廠的技術(shù)實力再度縮短。

他們還提出了全新的突破性 3D NAND 架構(gòu) Xtacking 技術(shù)，其輸入輸出速度有望與 DDR4 的 I/O 速度一較高下，且與傳統(tǒng)的 3D NAND 架構(gòu)相較，Xtacking 技術(shù)可通過將外圍電路置于存儲單元之上，實現(xiàn)更高的存儲密度，以及利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優(yōu)勢，縮短 3D NAND 產(chǎn)品的上市時間。

為了進一步推進存儲國產(chǎn)化，長江存儲的全資子公司武漢新芯集成電路制造有限公司在上個月底（以下簡稱武漢新芯）召開二期擴產(chǎn)項目現(xiàn)場推進會。二期擴產(chǎn)項目規(guī)劃總投資17.8億美元，建設(shè)自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務平臺。

來到DRAM方面，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫在七月中下旬正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。據(jù)合肥長鑫的王寧國之前的披露，合肥長鑫的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成，設(shè)備也開始安裝。根據(jù)計劃，長鑫將于2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，產(chǎn)能將達到2萬片一個月。從2020年開始，公司則開始規(guī)劃二廠，2021年則完成17nn的研發(fā)。

合肥長鑫的重要時間節(jié)點

兆易創(chuàng)新的創(chuàng)辦人朱一明更是全身心地投入到合肥長鑫的項目中，共同推動國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的更進一步。

眾所周知，2017年10月，兆易創(chuàng)新宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公司合作開展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器（含DRAM等）研發(fā)項目。這次全身心的投入，是繼他們在Nor Flash和MCU領(lǐng)域突破后，再上一個新臺階的支柱。

來到福建晉華方面，該使用12英寸晶圓制造技術(shù)制造DRAM。消息人士表示，生產(chǎn)線的建設(shè)早于原計劃完成，生產(chǎn)線的一期工程將在三季度投入生產(chǎn)。消息人士表示，晉華公司原定的內(nèi)存試生產(chǎn)時間是今年九月份，但可能會提前。根據(jù)早前的約定，晉華1期擬投入53億美元，建設(shè)晶圓產(chǎn)線、產(chǎn)業(yè)鏈配套等，預計2018年9月試產(chǎn)，并達到月產(chǎn)6萬片的規(guī)模。