回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹

2019年6月20-22日，第四屆MOS-AK器件模型國(guó)際會(huì)議（成都）順利閉幕。本次會(huì)議由電子科技大學(xué)主辦，XMOD 作為協(xié)辦方配合工作。MOS-AK（成都）也得到了Cogenda、華大九天、Maury、華美博科技（北京）有限公司、FOCUS、益豐電子、Platform-Da、KEYSIGHT、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、極高頻復(fù)雜系統(tǒng)國(guó)防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室、集成電路與系統(tǒng)學(xué)科創(chuàng)新引智基地（“111基地”）和微波毫米波集成電路與系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室（不分先后）的贊助。本次為期兩天的會(huì)議吸引來(lái)自學(xué)校、研究院、半導(dǎo)體廠商、設(shè)計(jì)公司等科研單位人員的參加。本次會(huì)議在主辦方的積極籌備之下，投稿數(shù)量，邀請(qǐng)報(bào)告數(shù)量均創(chuàng)歷年新高。本次接受了近30篇文章，內(nèi)容涉及IGBT，advanced CMOS，SOI，GaN, GaAs, FinFET，TFT以及最熱門(mén)的AI在器件模型中的應(yīng)用等。本次會(huì)議共包含8篇邀請(qǐng)報(bào)告，14篇演講報(bào)告，4篇POSTER。

本次會(huì)議的第一部分培訓(xùn)在6月20日，首先來(lái)自Infineon的專(zhuān)家Dr.Andreas Pawlak進(jìn)行了基于SiGe HBT工藝的器件建模講解，之后來(lái)自Silicon Radar 的歐盟項(xiàng)目專(zhuān)家Dr. Wojciech Debski，為大家介紹了基于SiGe HBT工藝的電路設(shè)計(jì)以及終端應(yīng)用（24GHz，60GHz, 120GHz，300GHz) ，很多現(xiàn)場(chǎng)DEMO讓人印象深刻（圖片可點(diǎn)擊放大觀看）。

正式會(huì)議在6月21日正式開(kāi)始，來(lái)自電子科技大學(xué)的康凱教授致開(kāi)幕詞，熱烈的歡迎大家的到來(lái)，預(yù)祝本次活動(dòng)圓滿(mǎn)的成功，大家都能有所收獲。來(lái)自XMOD&MOS-AK的張珉博士回顧了這幾年MOS-AK的會(huì)議情況，特別提到MOS-AK成都會(huì)議的突破，一個(gè)是在成電徐躍杭教授團(tuán)隊(duì)的努力下，獲得了SCI期刊出版的對(duì)接。另一個(gè)是企業(yè)主動(dòng)發(fā)起的學(xué)生Wide Band PA設(shè)計(jì)競(jìng)賽，為工藝，模型，設(shè)計(jì)提供了很好的鏈接, 加深模型在電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中重要性的理解。最值得欣慰的是，MOS-AK 活動(dòng)的舉辦，推動(dòng)了中國(guó)器件模型產(chǎn)業(yè)成立組織協(xié)會(huì)的決心，讓更多半導(dǎo)體行業(yè)伙伴進(jìn)來(lái)成為可能，也真正讓更多人理解模型產(chǎn)業(yè)的核心價(jià)值。

此次報(bào)告的質(zhì)量獲得了很多在場(chǎng)專(zhuān)家的一致好評(píng)，收獲頗多。邀請(qǐng)報(bào)告中，UC Berkeley教授對(duì)于模型最基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)時(shí)期發(fā)生的編程，仿真等問(wèn)題做了很明了的闡述，并提出了MAPP 平臺(tái)理念，為模型開(kāi)發(fā)者服務(wù)。香港科大教授帶來(lái)的對(duì)隨時(shí)間變化器件模型和仿真的新穎解決方案，令人印象深刻。華大九天和合作伙伴帶來(lái)了一個(gè)關(guān)于TFT生產(chǎn)過(guò)程中的工藝波動(dòng)引起GOA故障的報(bào)告，通過(guò)Bin 和Corner模型的結(jié)合應(yīng)用，對(duì)降低TFT-LCD的生產(chǎn)成本和功耗起到了很好前瞻并獲得驗(yàn)證，使模型的二次開(kāi)發(fā)真正帶來(lái)了附加價(jià)值。

成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面，Negative Capacitance FET and Nanowire /Nanosheet FET modeling的主題讓人耳目一新，提出了下一代新器件的方向。在 III-V族微波方面，成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)分享在III-V模型實(shí)際應(yīng)用中獲得的點(diǎn)點(diǎn)滴滴，通過(guò)QPZD準(zhǔn)物理基的大信號(hào)模型開(kāi)發(fā)，特別通過(guò)和半導(dǎo)體廠合作，使設(shè)計(jì)公司縮短電路設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)驗(yàn)證周期成為可能，也充分展示了模型的橋梁作用。加拿大Carleton 大學(xué)帶來(lái)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)理念對(duì)III-V族器件模型的開(kāi)發(fā)，展示了模型開(kāi)發(fā)的新趨勢(shì)。西安電子科大團(tuán)隊(duì)帶來(lái)的主題是針對(duì)毫米波頻段氮化鎵器件，從工藝、制備、TCAD模型仿真設(shè)計(jì)到MMIC電路設(shè)計(jì)的一整套關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)器件開(kāi)發(fā)和工藝設(shè)計(jì)都有很好的指導(dǎo)意義。

邀請(qǐng)報(bào)告不分先后：

除了上述的邀請(qǐng)報(bào)告外，來(lái)自工業(yè)界，學(xué)術(shù)界等的報(bào)告都令人印象深刻，并且POSTER的部分也引來(lái)了很多同行駐足討論。總的來(lái)說(shuō)，這次會(huì)議，給了模型相關(guān)的半導(dǎo)體廠，設(shè)計(jì)公司，科研院所等非常好的交流平臺(tái)。

演講報(bào)告不分先后：

最后，會(huì)議在MOS-AK 2020的主辦方西安電子科技大學(xué)的精彩介紹中順利閉幕，期待與大家2020年西安再會(huì)！想了解后續(xù)報(bào)告解讀或者演講內(nèi)容下載的，可以留意我們的公眾號(hào)，后續(xù)會(huì)給大家?guī)?lái)更多信息。

部分參與人員合影：