關(guān)于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應(yīng)用介紹

W波段（75-110GHz）最近在市場(chǎng)上慢慢引起大家重視，優(yōu)點(diǎn)還是相當(dāng)明顯，比如衰減小，分辨率高，超寬帶等。 這篇報(bào)告主要介紹德國Fraunhofer IAF MMIC W-band LNA 芯片的性能供大家參考，使用工藝是IAF 50nm mHEMT 工藝。

On-wafer measured S-parameters and
noise figure (@ T = 293 K).

總的來說，這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯(cuò)，對(duì)于其應(yīng)用還是非常廣泛的, 比如風(fēng)力發(fā)電中玻璃纖維材料葉片的雷達(dá)探傷，鋼鐵生產(chǎn)中的質(zhì)量監(jiān)控，飛機(jī)航空材料壽命探測(cè)等等。對(duì)于下一代的雷達(dá)探傷應(yīng)用，IAF已經(jīng)把工作頻率延生到260GHz, 帶寬達(dá)到60GHz, 進(jìn)一步提高了被探測(cè)物體的分辨率，這個(gè)會(huì)將會(huì)有更廣泛的應(yīng)用。

當(dāng)然，作為最終的系統(tǒng)應(yīng)用，光LNA芯片不行，需要其他芯片配合和模塊的組合。后續(xù)，我們會(huì)介紹IAF和合作伙伴的其他芯片和模塊。對(duì)W-Band芯片，市場(chǎng)應(yīng)用感興趣的，可以聯(lián)系我們。