回顧MOS-AK 北京器件模型國(guó)際會(huì)議的主要內(nèi)容和主題

2018年6月15-16日，第三屆MOS-AK器件模型國(guó)際會(huì)議（北京）順利閉幕。 本次會(huì)議由清華大學(xué)主辦，中國(guó)仿真協(xié)會(huì)集成微系統(tǒng)建模和仿真專委會(huì)、XMOD共同協(xié)辦。MOS-AK（北京）也得到了華大九天，Maury, Platform-Da, Cogenda, 杭州電子科技大學(xué)的贊助。本次為期二天的會(huì)議吸引了來(lái)自設(shè)計(jì)公司、半導(dǎo)體廠、EDA廠商、學(xué)校和研究所等科研單位人員來(lái)參加。 會(huì)議共包含了6篇邀請(qǐng)報(bào)告，14篇演講報(bào)告，給大家留下了深刻印象。MOS-AK（北京）的報(bào)告注重質(zhì)量，而且產(chǎn)學(xué)研的路線貫徹到底，得到 了參會(huì)人員的好評(píng)。

中國(guó)仿真協(xié)會(huì)集成微系統(tǒng)建模與仿真專業(yè)委員會(huì)副主任委員、國(guó)際期刊Journal of Computational Electronics副主編、清華大學(xué)王燕教授致開(kāi)幕詞，熱烈歡迎大家到來(lái)，提出了模型產(chǎn)業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要性，并預(yù)祝本次活動(dòng)圓滿成功。 接下來(lái)，XMOD作為協(xié)辦方介紹了本年度各地MOS-AK會(huì)議的安排，也回顧了前幾年的活動(dòng)情況。另外，對(duì)于當(dāng)前的模型產(chǎn)業(yè)細(xì)分的狀況，希望通過(guò)MOS-AK平臺(tái)互相交流，取長(zhǎng)補(bǔ)短。

作為邀請(qǐng)報(bào)告部分，香港科技大學(xué)對(duì)于存儲(chǔ)器件的仿真和大規(guī)模產(chǎn)業(yè)應(yīng)用給出了指導(dǎo)性的意見(jiàn)。德國(guó)Fraunhofer IAF和Ondosense的III-V族方面的報(bào)告，讓大家意識(shí)到，和歐洲先進(jìn)工藝和技術(shù)相比，差距還是比較大的。清華大學(xué)帶來(lái)了Angelov模型方面的實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用，通過(guò)開(kāi)發(fā)統(tǒng)一等效電路，解析公式以及創(chuàng)建的參數(shù)抽取方法獲得了測(cè)試和仿真非常匹配的結(jié)果，有很不錯(cuò)的借鑒作用。 華大九大的OLED器件的模型介紹，讓大家意識(shí)到一個(gè)好的模型開(kāi)發(fā)，要經(jīng)歷各種挑戰(zhàn)和瓶頸，需要不斷從工業(yè)界的反饋中把模型做的更接近實(shí)際結(jié)果。中科院半導(dǎo)體所的報(bào)告，從非?；A(chǔ)的第一性原理出發(fā)，對(duì)新材料、新結(jié)構(gòu)的器件做了前瞻的分析，給后續(xù)的研究、應(yīng)用打好了基礎(chǔ)。Qorvo帶來(lái)的關(guān)于TCAD用于III-V器件仿真的報(bào)告，從器件的真實(shí)材料、結(jié)構(gòu)以及物理現(xiàn)象出發(fā)，對(duì)于TCAD可能的不一致性提出了自己的觀點(diǎn)。

此次活動(dòng)，除了上述邀請(qǐng)報(bào)告，也吸引到了其他半導(dǎo)體廠，設(shè)計(jì)公司，EDA廠商，科院院所和學(xué)校的報(bào)告和文章。他們分別是Cadence、 Synopsys、 中科院微系統(tǒng)所、中科院微電子所、中國(guó)工程物理研究院、Cogenda,、Platform-Da、華中科技大學(xué)、西安電子科大、成都電子科大、杭州電子科大、澳大利亞Macquarie 大學(xué)、蘇州能訊、海威華芯、MOS-AK等（以上次序不分先后）。 在這里，特別要提到中科院下面的幾個(gè)研究所，分別作了非?；A(chǔ)的研究，比如半導(dǎo)體所和微電子所，他們通過(guò)最基礎(chǔ)的物理，電子方程給國(guó)內(nèi)模型產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了借鑒作用，對(duì)后續(xù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的模型開(kāi)發(fā)起了非常好的輔助作用。微系統(tǒng)所在總劑量模型方面，介紹了總劑量模型軟件, 為宇航芯片研發(fā)提供了設(shè)計(jì)支持。中國(guó)工程物理研究院對(duì)70nm GaAs mHEMT 工藝，提出了自己的一套Design oriented Model 方法，使之能夠在220GHz 范圍內(nèi)做到理想的匹配。這些經(jīng)驗(yàn)對(duì)應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化，提供了很好的知識(shí)儲(chǔ)備。 當(dāng)然，EDA廠商，半導(dǎo)體服務(wù)企業(yè)，國(guó)內(nèi)外的幾所大學(xué)的報(bào)告也同樣精彩，后續(xù)我們會(huì)在網(wǎng)站上和大家一起分享。

最后， 會(huì)議在MOS-AK 2019的主辦方成都電子科大的精彩介紹中順利閉幕，大家共同期待2019年成都再次相見(jiàn)。

開(kāi)幕詞：

邀請(qǐng)報(bào)告（不分先后）：

演講嘉賓（不分先后）：

部分參與人員合影：

當(dāng)然，MOS-AK會(huì)議前期的培訓(xùn)部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的RF測(cè)試和建模一天課程，很多培訓(xùn)者給了大大的贊，連贊助商的參展人員，也說(shuō)，這么多干貨的培訓(xùn)確實(shí)難得，對(duì)于明年再次贊助MOS-AK活動(dòng)表達(dá)了強(qiáng)烈的意愿。

RF器件測(cè)量模型培訓(xùn)（6月14日）：

MOS-AK 北京器件模型國(guó)際會(huì)議結(jié)束后，我們會(huì)和演講者一起解讀幾篇有特色的報(bào)告給大家。對(duì)會(huì)議PPT感興趣的朋友，由于演講報(bào)告和最終報(bào)告有區(qū)別（有些報(bào)告需要?jiǎng)h除敏感內(nèi)容），需要些時(shí)間，請(qǐng)耐心等待。

最后再次感謝本次MOS-AK活動(dòng)的組織方和贊助方：

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