在政策的大力推動(dòng)下,人工智能產(chǎn)業(yè)正步入加速發(fā)展期,并給軟硬件產(chǎn)品帶來(lái)新發(fā)展機(jī)遇。人工智能領(lǐng)域的獨(dú)角獸企業(yè)寒武紀(jì),地平線、深鑒科技等人工智能芯片企業(yè),均致力于開(kāi)發(fā)AI處理器、建立AI開(kāi)發(fā)平臺(tái),并積極推出新產(chǎn)品和新應(yīng)用。 按照研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè),在將來(lái)的幾年里,人工智能領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)前所未有的大布局和大繁榮。
從人工智能的半導(dǎo)體項(xiàng)目來(lái)看有明顯的幾個(gè)特征:
1. 基本上是大玩家在參與(如google,百度等),有少許初創(chuàng)企業(yè)
2. 投資巨大 ,背后有大的基金或者投資機(jī)構(gòu)支持
3. 產(chǎn)品應(yīng)用這塊,高功率比如服務(wù)器,低功率比如移動(dòng)平臺(tái)
從設(shè)計(jì)和工藝來(lái)看基本上有以下特征:
1. 基本上使用最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,比如16nm, 7nm FinFET等
2. 新的處理器架構(gòu)
3. 大的裸片和封裝
4. 非常多的界面
5. 需要高速傳輸界面來(lái)傳輸大數(shù)據(jù)
6. 寬的功率譜
7. 芯片非常昂貴 (前期投入加上量產(chǎn)不夠)
在這種背景下,我們仔細(xì)看一下傳統(tǒng)的on-chip ESD是否符合AI 芯片的需求,特別是半導(dǎo)體廠的現(xiàn)有解決方案是否存在局限和新的挑戰(zhàn)。
1. 先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)(FinFET) 非常容易產(chǎn)生ESD保護(hù)失敗
a. 核心器件和IO 器件經(jīng)不起snapback
b. 核心器件容易遭受瞬態(tài)氧化物擊穿(Transient oxide Breakdown)
2. 最高的瞬態(tài)電壓對(duì)于核心器件不能超過(guò)3V
3. 沒(méi)辦法使用自我保護(hù)NMOS/PMOS驅(qū)動(dòng)
4. RC-big FET 引入非常大的漏電
5. 金屬鏈接非常單薄,缺乏穩(wěn)定性
為了解決上述的困境,專注于on-chip ESD 解決方案的sofics 提出了自己的解決方案使上面的各種問(wèn)題迎刃而解。關(guān)鍵在和客戶的項(xiàng)目合作中,獲得了很多寶貴的經(jīng)驗(yàn), 比如已經(jīng)結(jié)束的5個(gè)16nm FinFET 項(xiàng)目,1個(gè) 12nm FinFET 項(xiàng)目,和目前在進(jìn)行的 7nm FinFET 項(xiàng)目等。 這些項(xiàng)目主要用于人工智能,人機(jī)學(xué)習(xí),硅光電,高速傳輸?shù)葢?yīng)用。
上面也談到,人工智能需要大數(shù)據(jù)和高速傳輸,設(shè)計(jì)人員也非常清楚,高速電路不能容忍高寄生電容,因此在這個(gè)方面,Sofics 的解決方案也實(shí)現(xiàn)了:
在PAD中不引入ESD電路的電阻
實(shí)現(xiàn)超低寄生電容,比如10-20fF
在模擬電路中實(shí)現(xiàn)更低工作電壓,低于標(biāo)準(zhǔn)IO水平
ESD是一個(gè)比較特殊的方向,在芯片沒(méi)有出來(lái)之前預(yù)期不了真正的性能,所以直接使用硅片驗(yàn)證過(guò)(Si-Proven) 的ESD解決方案尤其重要,這樣一來(lái),充分減少了芯片ESD失敗的風(fēng)險(xiǎn)(導(dǎo)致芯片開(kāi)發(fā)周期延長(zhǎng),失去市場(chǎng)),同時(shí)Sofics的解決方案可能幫助客戶在高端的工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)增加ESD性能外,還能減少ESD面積,使芯片費(fèi)用減少,更有競(jìng)爭(zhēng)力。
Sofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝,應(yīng)用也非常廣泛,除了上面的人工智能,硅光電,高速電路外,汽車電子,物聯(lián)網(wǎng),SOI,防輻射,醫(yī)療等應(yīng)用,都有我們的身影,對(duì)IO有特殊需求的,我們也可以私人定制。作為深耕on-chip ESD 領(lǐng)域近20年的公司,希望和國(guó)內(nèi)的AI 公司以及其他領(lǐng)域的設(shè)計(jì)公司,半導(dǎo)體廠深度合作。
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