關(guān)于MOS-AK的性能分析和介紹

2017 在杭州電子科技大學(xué)舉辦的MOS-AK 器件模型國際會(huì)議，我們很欣喜得看到了國內(nèi)對基礎(chǔ)研究有很多投入的公司，它就是鴻之微科技(HZWTECH), 在這次會(huì)議上帶來了對新材料，新器件和對器件性能表征有挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)和仿真解決方案。

仿真是設(shè)計(jì)人員和半導(dǎo)體廠之間的橋梁，演講以當(dāng)前傳統(tǒng)仿真碰到的問題入手，隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮小，越來越多的物理現(xiàn)象需要更多的參數(shù)來解釋。 從工藝仿真，器件搭建到最終的器件仿真，整個(gè)工程是龐大而耗時(shí)。更嚴(yán)重的問題是對于某些物理現(xiàn)象和新材料，傳統(tǒng)仿真無從著手。

在這種背景下，更基于底層的原子TCAD仿真，相比于傳統(tǒng)的工具，讓人感到返樸歸真的感覺--簡單，最基礎(chǔ)的才是好。在量子仿真中，使用了電子傳輸?shù)娜孔用枋觯牧咸匦缘念A(yù)測和非平衡格林函數(shù)的可測試性設(shè)計(jì)，同時(shí)也可以獲得緊湊模型和必要的參數(shù)，為新器件設(shè)計(jì)提供預(yù)測幫助。

這種基于原子的仿真，應(yīng)用非常廣泛，對于前沿的新材料，新器件開發(fā)有著很好的指導(dǎo)意義。

從上面的應(yīng)用來看，原子仿真的優(yōu)勢是明顯的，對于材料，器件特性有非常深入和準(zhǔn)確的描述，特別針對于目前熱門的TFT，MTJ ,FDSOI和先進(jìn)節(jié)點(diǎn)MOSFET器件研究是很好的切入點(diǎn)。作為一個(gè)完整的仿真工具，和傳統(tǒng)TCAD一樣，需要抽出器件參數(shù)，用于將來的仿真。

報(bào)告對Atomistic-TCAD工具作了總結(jié)，對將來的應(yīng)用也是充滿期待。

從大會(huì)的反饋來看，很多對新器件，新材料研究的單位是非常有興趣的，同時(shí)對于國內(nèi)半導(dǎo)體的前沿預(yù)測有非常好的借鑒，也能使中國半導(dǎo)體能在基礎(chǔ)研究上和歐美等先進(jìn)國家縮小差距。

上述材料由HZWTECH提供，作為本次的贊助商和演講單位，確實(shí)給國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了一股清新的味道。希望明年2018能看到國內(nèi)有更多扎根于基礎(chǔ)研究的企業(yè)來到國際模型會(huì)議演講。