回顧關(guān)于MOS-AK hangzhou 器件模型的介紹和分析

2017年的MOS-AK 器件模型國際會議于6月29-30日在美麗的杭州舉辦，會議得到了當(dāng)?shù)亟M織方杭州電子科大的積極支持和配合，籌備工作非常順利，MOS-AK組委會也非常期待半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的朋友來參加這個會議，因為器件模型是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)薄弱環(huán)節(jié)，需要大家一起來扶持和幫助。通過一段時間的積累，相信大家能看到通過模型產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自身會擁有更多核心價值。

這次會議有幾個邀請報告，在這里，我們先向大家介紹一下這些報告的主要亮點，喜歡的朋友不要錯過。

1. Beyond 100GHz: Device characterization for THz applications(IMS-Lab)

報告的內(nèi)容基于歐盟項目的結(jié)果，主要介紹在100GHz 以上的 on-wafer 校準，去嵌，測試結(jié)構(gòu)方面必須注意的事項：比如探針接觸，探針位置，機械性探針變形和探針之間的耦合對測量的影響等。這個對高頻電路設(shè)計公司非常有意義，因為設(shè)計仿真結(jié)果和流片的不匹配是經(jīng)常發(fā)生的事情，需要在測試結(jié)構(gòu)設(shè)計，測量知識方面就打好基礎(chǔ)。

2. Latest improvments in modeling for GaN and GaAs foundry processes with the support of ADS capabilities (UMS-GaAs)

此篇報告主要介紹UMS在運用Dr. C.Chang 創(chuàng)新的III-V 器件模型方程的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了對GaN和GaAsNon-Linear 特性的描述，同時也包括了頻率離散現(xiàn)象，比如自熱和電荷陷阱現(xiàn)象。新的擴展方程保證了對于不同尺寸的器件能夠有比較準確可靠的模擬結(jié)果，也在PA， LNA等的設(shè)計中得到驗證。 除了非線性模型，ADS PDK 也包含了DRC，3D 演示（for momentum simulation)，更多的PDK 方面的改善也會在報告中提到。這個報告內(nèi)容對III-V設(shè)計公司和科研院所是非常有意義的。

3.Surface Potential Based Compact Model for Thin Film Transistor (IME Chinese academy)

此篇報告運用了基于物理基礎(chǔ)的surface potential model對TFT器件進行了研究。 對TFT器件的模型描述在模型界一直是難點，主要原因是TRAP的影響對器件性能變化非常大。本篇報告通過新模型的開發(fā)和應(yīng)用，真正的實現(xiàn)了在RFID應(yīng)用方面的驗證，使設(shè)計人員能夠比較準確預(yù)判電路的特性和結(jié)果。這個報告也充分顯示了模型對于電路設(shè)計的核心價值。

4. A New Compact Model for FinFETs Accommodating Inner Thermal Effect (Hangzhou dianzi University)

隨著工藝節(jié)點的減小，F(xiàn)inFET的新結(jié)構(gòu)也越來越受人關(guān)注，不僅在數(shù)字應(yīng)用方面，RF也有應(yīng)用。 由于器件非常小，自熱效應(yīng)明顯，為了描述此現(xiàn)象，一個新型的小信號bulk FinFET模型 應(yīng)運而生。 這個模型在SMIC 14nm bulk FinFET 上得到了驗證，仿真和硅片數(shù)據(jù)在100Khz-50.2GHz 之間取得了很好的一致。這為后續(xù)設(shè)計人員設(shè)計新型電路打好了扎實的基礎(chǔ)。沒有好的器件模型，設(shè)計人員的效率會變的低下和無效。

5. Radiation Hardening of Memory Products （Cypress semiconductor)

防輻射對于某些產(chǎn)品來說一直是頭疼的問題。在這篇報告中，作者對輻射環(huán)境和安全操作的內(nèi)存產(chǎn)品在衛(wèi)星應(yīng)用中的挑戰(zhàn)做了概述。討論了基本輻射對單個晶體管水平的影響以及空間輻射效應(yīng)對產(chǎn)品級的影響，也討論易失性和非易失性內(nèi)存技術(shù)。 特別是電離總劑量（TID）對在65nm CMOS基于SONOS NOR閃存的非易失性存儲器的數(shù)據(jù)保留行為的影響。基于觀測到的輻射效應(yīng)，報告最后提出了如何使器件仿真通向電路級輻射效應(yīng)仿真的方法和建議。

除了上述邀請報告，我們也有來自很多來自工業(yè)界，學(xué)術(shù)界一年來在模型方面的研究和進展報告，他們是Keysight, NXP，Synopsys，HHGRACE ，Qinhuang University, HIWAFER，THz R&D institute, SIMIT, Silicon Radar, Cogenda等，特別是Silicon Radar 會給大家?guī)磲槍τ谀壳盁衢T的77GHz, 122GHz雷達芯片系統(tǒng)設(shè)計方面的系統(tǒng)模型經(jīng)驗。 感興趣的朋友，如果想報名或者了解會議報告內(nèi)容可以參考微信左下角的閱讀原文或者到http://www.xmodtech.cn/Agenda 。

最后歡迎大家積極參加國內(nèi)舉辦的MOS-AK器件模型國際會議，一起為這個有意義的活動加油鼓勁，讓模型這個被很多人忽視的產(chǎn)業(yè)重新獲得重視，讓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得更多和國外半導(dǎo)體競爭的核心價值。