關(guān)于硅光電應(yīng)用下的on-chip ESD的性能分析和介紹

2006年前英特爾高級(jí)副總裁帕特·基爾辛格說(shuō)：“今天，光學(xué)是一個(gè)非常小的細(xì)分技術(shù)，明天，它將成為我們制造每一個(gè)芯片的主流?！?事實(shí)上，光互連對(duì)于內(nèi)部和數(shù)據(jù)中心之間的高速通信是非常重要的。

最近公司接觸的項(xiàng)目中，因?yàn)樗衅渌Χ寄芨叨燃稍谝粋€(gè)CMOS芯片上，外部只需要激光二極管。為了讓CMOS高速通信芯片和激光二極管之間實(shí)現(xiàn)高速通信，片上ESD（靜電保護(hù)）保護(hù)的寄生電容必須盡可能的小。在過(guò)去5年當(dāng)中，公司在不同的光互聯(lián)項(xiàng)目中，一直使用公司自創(chuàng)的TAKE CHARGE 工具，得到了很好的結(jié)果。當(dāng)通用的或者半導(dǎo)體廠的在片ESD不符合您的需求時(shí)，采用公司的TAKE CHARGE是非常理智的選擇。因?yàn)椋琓AKE CHARGE在數(shù)千個(gè)IC商業(yè)應(yīng)用芯片上已經(jīng)證明，它能提供一個(gè)快速，可靠的方式來(lái)平衡ESD保護(hù)與成本之間的關(guān)系，同時(shí)發(fā)揮最大的IC性能。

設(shè)計(jì)無(wú)約束

保護(hù)接口與最敏感的節(jié)點(diǎn)，如GATE，核心器件等

高速電路的低寄生電容

200fF，100fF甚至低于15fF

縮短幾個(gè)月量產(chǎn)和上市的時(shí)間

現(xiàn)有低寄生電容可用的on-chip ESD 解決方案ESD

TSMC: 180nm down to 28nm

UMC: 130nm, 65nm, 28nm

GF: 65nm

SMIC: 40nm

Several other foundries, …

針對(duì)其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)或者半導(dǎo)體廠的私人定制EOS / ESD解決方案，可在幾天內(nèi)交貨

大幅降低IC成本

已經(jīng)在硅產(chǎn)品上被證明的ESD解決方案有助于降低IC開(kāi)發(fā)成本和時(shí)

兼容所有的標(biāo)準(zhǔn)工藝流程

已經(jīng)和歐洲，美國(guó)的大客戶在光互連項(xiàng)目方面取得很多合作和經(jīng)驗(yàn)

公司所有合作的客戶：

如果你在硅光電這塊或者高速電路這塊有涉足，那么公司的on-chip ESD 解決方案，會(huì)給貴公司產(chǎn)品帶來(lái)更多的附加價(jià)值。