功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間

您的功耗相關(guān)設(shè)計(jì)可以節(jié)省雙MOSFET的空間，因?yàn)槟?jīng)常成對(duì)使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體（圖片）的P溝道FDZ2552P和類(lèi)似的N溝道FDZ2551N MOSFET用于低閾值電池保護(hù)應(yīng)用（V GS = 2.5V）和低導(dǎo)通電阻。這些雙器件采用BGA封裝，印刷電路板面積為0.10 cm，約為可比SO-8器件面積的三分之一。

N通道雙器件具有R DS（ON） 0.018W，V GS = 4.5V，0.030W，V GS = 2.5V; P溝道器件的可比數(shù)字為0.045和0.075W。 BGA封裝，安裝在印刷電路板上時(shí)僅高0.70 mm，具有出色的散熱特性和尺寸。例如，N溝道器件支持高達(dá)9A的連續(xù)漏極電流。這些雙MOSFET還提供SuperSOT-8和TSSOP-8封裝;價(jià)格從85美分（10,000）開(kāi)始。

如果您需要低壓雙器件，您可以考慮使用Siliconix/Vishay Intertechnology的P和N通道Si3552DV，雙P溝道Si3909DV和Si3905DV，以及雙N溝道Si3948DV。這些器件的工作電壓低至1.8V，采用TSSOP-6封裝，但由于導(dǎo)通電阻比其前代產(chǎn)品低61％，因此可替代更大的SOT-23 MOSFET。根據(jù)您選擇的器件，您可以獲得關(guān)鍵參數(shù)的組合，包括R DS（ON） = 0.20W，V GS = - 4.5V（-20V擊穿），R DS（ON） = 0.265W，V GS = - 1.8V（-8V擊穿）;和R DS（ON） = 0.105W且R DS（ON） = 0.200W ，均為V GS = 10V。您可以以26美分（100,000）的頻率訪問(wèn)TSOP-6雙MOSFET。

最后，國(guó)際整流器公司的IRF7901D1將高端控制FET和低側(cè)同步FET與并聯(lián)肖特基二極管放在一起。 SO-8封裝，用于同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器架構(gòu)。該IC最大限度地減少了外部印刷電路板走線并減少了雜散電感，從而對(duì)效率和性能產(chǎn)生不利影響。使用這款65美分（100,000）IC，您可以在5,3.3和1.8V輸出時(shí)提供高達(dá)5A的峰值輸出，效率高達(dá)96％。該供應(yīng)商還提供了一個(gè)設(shè)計(jì)套件，可讓您評(píng)估應(yīng)用中的離散對(duì)雙FET方法。