晶圓模塊捆綁在一起的新型銅CMP工藝

應(yīng)用材料公司今天為其Mirra Mesa化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）推出了兩種新的銅工藝它表示支持全系列雙大馬士革芯片集成方案。

Mirra Mesa工藝與Applied的Endura屏障/種子和Electra機(jī)電電鍍系統(tǒng)集成，作為捆綁的一部分 - Applied正在追求的模塊策略（見4月5日的故事）。應(yīng)用材料公司CMP產(chǎn)品組副總裁兼總經(jīng)理克里斯史密斯說：“這套設(shè)備讓客戶有機(jī)會(huì)購買預(yù)先集成的互連解決方案，幫助他們快速擴(kuò)大工廠的銅制造量?！?/p>

首次快速去除銅材料后，客戶可以選擇非選擇性或選擇性工藝來拋光阻隔薄膜，這取決于他們的雙大馬士革整合策略，該公司表示。非選擇性工藝采用新的成本效益方法去除阻擋膜，以及未加蓋的介電材料，如氧化物，氟化硅酸鹽玻璃（FSG）和黑鉆石膜。

選擇性CMP工藝旨在平坦化并保留用于封頂?shù)蚹電介質(zhì)應(yīng)用的頂部介電層。這兩種解決方案都可以簡化工藝流程，無需額外的電介質(zhì)拋光步驟，從而降低制造成本。

“銅CMP是芯片制造商面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，”史密斯說。 “將我們的下一代銅工藝與Mirra Mesa系統(tǒng)的多板結(jié)構(gòu)，先進(jìn)的拋光頭技術(shù)以及我們新的FullScan端點(diǎn)技術(shù)相結(jié)合，為體積銅生產(chǎn)創(chuàng)造了一種高生產(chǎn)率的拋光工具。”

FullScan端點(diǎn)技術(shù)可精確識別整個(gè)晶圓上的薄膜去除點(diǎn)。結(jié)合工藝順序，這可以最大限度地減少銅布線結(jié)構(gòu)的凹陷和腐蝕，創(chuàng)造出創(chuàng)建多層互連所需的平面表面形貌，Smith解釋道。

系統(tǒng)的銅工藝已經(jīng)過特性測試和測試缺陷水平。該系統(tǒng)的Mesa集成式CMP后清洗站采用超聲波清洗技術(shù)和雙面刷洗，有助于抵抗腐蝕，去除晶圓兩側(cè)的顆粒和漿料殘留物，包括非常小的凹陷特征和難以傾斜的區(qū)域。