國家存儲器基地項目已受電成功 明年將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距

據(jù)中新網(wǎng)8月3日報道， 國家存儲器基地項目（一期）二階段工程項目中低壓配電系統(tǒng)已經(jīng)受電成功，終端機臺的電力供給得到保證，芯片的目標量產(chǎn)指日可待。

據(jù)了解，長江存儲科技有限責(zé)任公司是國家存儲器基地項目的實施主體。根據(jù)武漢市此前公布的2019年第一季度政府工作報告執(zhí)行情況顯示，武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)在存儲器基地方面取得了重大進展，長江存儲器基地一期已實現(xiàn)量產(chǎn)，一季度產(chǎn)能達到5000片/月，辦公人數(shù)已達3000人。同時國家先進存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心也已完成法人主體注冊。

2019年7月3日，湖北省委副書記、省長王曉東在調(diào)研國家存儲器基地時指出，要優(yōu)化環(huán)境、全力支持，更大力度爭取國家支持并落實支持政策，完善服務(wù)機制，當(dāng)好項目“秘書”，解決實際難題，全力保障國家存儲器基地建設(shè)，為加快“一芯兩帶三區(qū)”區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局提供重要支撐。

據(jù)了解，國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其它若干配套建筑。

根據(jù)此前的資料顯示，長江存儲今年底前將正式量產(chǎn)64層3D NAND產(chǎn)品，明年將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距。

國家存儲器基地的建立，以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設(shè)計、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，標志著芯片自主創(chuàng)新之路邁出可靠而重要的一步。