內(nèi)存芯片市場低迷 三星推遲30萬億韓元的DRAM工廠計劃

盡管內(nèi)存現(xiàn)貨價格上周漲了23%，但是調(diào)研公司蓋特納的報告顯示全球半導(dǎo)體市場今年會繼續(xù)降溫，產(chǎn)值只有4290億美元，同比下滑9.6%，主力產(chǎn)品內(nèi)存芯片價格已經(jīng)跌了42%，供過于求的情況要持續(xù)到明年Q2季度。

這樣的趨勢下一些廠商的投資也會隨之調(diào)整，今年3月份的時候三星還表態(tài)不會因為市場不景氣而縮減投資，結(jié)果不到4個月之后三星改變初心了，原計劃今年底投產(chǎn)的平澤P2工廠推遲到了明年Q3到Q4季度。

2017到2018年間，由于內(nèi)存、閃存大漲價，三星花費30萬億韓元（約合254億美元）在韓國平澤市建設(shè)了全球最大的存儲芯片工廠，這是平澤P1工程，一層主要生產(chǎn)NAND閃存，二層主要生產(chǎn)DRAM內(nèi)存，月產(chǎn)能分別是10萬晶圓、20萬晶圓。

平澤P1工廠之后，三星還計劃在今年底建成平澤P2工廠，為此三星獲得了289萬平方米的土地，相當(dāng)于400個足球場那么大，當(dāng)?shù)仉娏緸榇私ㄔO(shè)了200兆瓦的電力設(shè)施。

平澤P2工廠的投資額也是30萬億韓元，主要生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，月產(chǎn)能也高達30萬片晶圓，原計劃今年Q3季度開始安裝設(shè)備，年底投產(chǎn)，不過韓媒報道稱三星已經(jīng)推遲了平澤P2工廠的投產(chǎn)計劃，今年內(nèi)只會維護必要設(shè)備，明年Q1季度才會裝機。

按照晶圓廠正常的步驟來說，裝完設(shè)備調(diào)試還需要很多時間，平澤P2工廠真正量產(chǎn)內(nèi)存芯片的時間要到明年Q3或者Q4季度了，比現(xiàn)在推遲了差不多一年。

三星推遲如此巨額的投資項目，原因比較復(fù)雜，近期日本管制三種重要原材料出口也是個因素，三星如果不能獲得穩(wěn)定的光刻膠、氟化氫等材料，內(nèi)存芯片生產(chǎn)是會受到影響的。

其次就是全球的貿(mào)易糾紛，這也影響了全球經(jīng)濟，導(dǎo)致需求下滑。

不過根本上來說，三星推遲平澤P2工廠投資計劃還是現(xiàn)在的內(nèi)存價格太低了，三星今年前兩個季度的利潤已經(jīng)因為內(nèi)存跌價大幅下滑50%，如今再投產(chǎn)這么大的內(nèi)存工廠，產(chǎn)能過剩的問題只會愈加嚴(yán)重。