東芝存儲(chǔ)：存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存比采用SLC技術(shù)的TLC快10倍
東芝存儲(chǔ)公司6日宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（SCM）——XL-FLASH，并開(kāi)始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實(shí)現(xiàn)3D閃存BiCSFLASH的高速讀寫(xiě)。128Gbit芯片的樣品出貨將于9月開(kāi)始，大規(guī)模生產(chǎn)將于2020年開(kāi)始。
XL-FLASH采用16物理平面結(jié)構(gòu)，具有出色的并行處理能力，以及與現(xiàn)有TLC（3位/單元）BiCSFLASH相比可實(shí)現(xiàn)高速處理的電路技術(shù)。它實(shí)現(xiàn)了5μs或更短的讀取延遲，速度提高了10倍，并且定位為新的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)，填補(bǔ)了DRAM和NAND閃存之間的性能差異。
此外，與傳統(tǒng)DRAM相比，該產(chǎn)品可降低每比特成本，并且是支持NAND閃存等大容量的非易失性存儲(chǔ)器。東芝存儲(chǔ)將通過(guò)XL-FLASH響應(yīng)不斷擴(kuò)大的SCM市場(chǎng)的需求，包括用于數(shù)據(jù)中心和企業(yè)存儲(chǔ)的高速SSD。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
TLC
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
136瀏覽量
51452 -
slc
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
47瀏覽量
22698 -
東芝存儲(chǔ)
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
6瀏覽量
3762
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
東芝PC級(jí)機(jī)械硬盤(pán)助力新聞工作者有效存儲(chǔ)數(shù)據(jù)
東芝PC級(jí)機(jī)械硬盤(pán)提供非常廣泛的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)磁盤(pán)存儲(chǔ)容量，能幫助新聞工作者有效存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，提升工作效率。其中DT02 7200rpm 2TB內(nèi)置盤(pán)，2TB
存儲(chǔ)芯片的PSLC的工作原理
我們?cè)诮佑|存儲(chǔ)芯片時(shí)，會(huì)了解到FLASH晶圓的類(lèi)型。隨著時(shí)間的變化FLASH類(lèi)型發(fā)展也由SLC、MLC、TLC、3DTLC等，但PSLC卻是一種革新性的存儲(chǔ)
內(nèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是速度快成本低容量小對(duì)嗎
最低的。 1. 內(nèi)存儲(chǔ)器的分類(lèi) 內(nèi)存儲(chǔ)器可以根據(jù)其存儲(chǔ)技術(shù)、速度、容量和用途進(jìn)行分類(lèi)。 1.1 按存儲(chǔ)技
內(nèi)存儲(chǔ)器由什么組成
和容量對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能有直接影響。 1. 內(nèi)存的類(lèi)型 內(nèi)存可以根據(jù)其功能和用途分為幾種類(lèi)型： 1.1 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM） 靜態(tài)RAM（SRAM） ：速度快，成本高，通常用于緩存
內(nèi)存儲(chǔ)器主要用來(lái)存儲(chǔ)什么
內(nèi)存儲(chǔ)器（內(nèi)部存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)硬件的重要組成部分，它直接與中央處理器（CPU）相連，用于存儲(chǔ)正在運(yùn)行的程序和當(dāng)前處理的數(shù)據(jù)。內(nèi)存儲(chǔ)器的容量、速度和類(lèi)型對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能有著直接的影響。
內(nèi)存儲(chǔ)器分為隨機(jī)存儲(chǔ)器和什么
內(nèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的關(guān)鍵部件，它直接影響到計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度和性能。內(nèi)存儲(chǔ)器主要分為兩大類(lèi)：隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM，Random Access Memory）和只讀
東芝推出MG10-D系列企業(yè)級(jí)硬盤(pán)
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布推出MG10-D系列企業(yè)級(jí)硬盤(pán)。該產(chǎn)品是傳統(tǒng)磁記錄 (CMR) 空氣硬盤(pán)家族成員，支持SAS和SA
江波龍SLC NANDFlash存儲(chǔ)芯片出貨量超5000萬(wàn)顆
江波龍電子近期公布的投資者關(guān)系活動(dòng)數(shù)據(jù)顯示，公司在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)加大研發(fā)投入，2024年上半年研發(fā)費(fèi)用較去年同期實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)，彰顯了其在企業(yè)級(jí)、工規(guī)級(jí)
Jtti:新加坡云服務(wù)器運(yùn)行內(nèi)存和存儲(chǔ)內(nèi)存有何區(qū)別？
。它是一種易失性存儲(chǔ)，意味著在斷電后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)會(huì)丟失。 存儲(chǔ)內(nèi)存：用于持久化存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，如操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)庫(kù)和用戶數(shù)據(jù)。它是一種非易失
內(nèi)存儲(chǔ)器與外存儲(chǔ)器的主要區(qū)別
在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器是不可或缺的核心部件，它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和處理各種數(shù)據(jù)和信息。根據(jù)存儲(chǔ)位置和功能的不同，存儲(chǔ)器可大致分為內(nèi)存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱
東芝電子成功展示了容量超過(guò)30TB的近線存儲(chǔ)硬盤(pán)
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）成功實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)容量超過(guò) 30TB[1] 的硬盤(pán)，其中采用兩項(xiàng)新一代大容量硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDDs）記錄
CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲(chǔ)芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲(chǔ)，TF卡替代方案
。
另外，物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品越來(lái)越小，對(duì)元器件尺寸要求更高。為應(yīng)對(duì)這些問(wèn)題，SD NAND出現(xiàn)了。它采用SLC NAND Flash，具備長(zhǎng)壽命和穩(wěn)定性，擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10萬(wàn)次。內(nèi)置Flash控制器和Firmware
發(fā)表于 01-24 18:30
什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片?
技術(shù)支持，容量：8GB，比TF卡穩(wěn)定，比eMMC易用，樣品免費(fèi)試用。
SD NAND和eMMC的區(qū)別
SD NAND和eMMC都是存儲(chǔ)設(shè)備，但它們有一些不同之處：
SD N
發(fā)表于 01-05 17:54
段式存儲(chǔ)管理和頁(yè)式存儲(chǔ)管理的區(qū)別
段式存儲(chǔ)管理和頁(yè)式存儲(chǔ)管理是操作系統(tǒng)中兩種常見(jiàn)的內(nèi)存管理技術(shù)，它們?cè)谖锢?b class='flag-5'>內(nèi)存的分配和管理上有著顯著的區(qū)別。本文將對(duì)這兩種
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論